Патент ссср 173026

Патент ссср 173026

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

0 3026

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 16 111.1964 (№ 887051/26-24) с присоединением заявки ¹

Приоритет

Опубликовано 07.Ч11.1965. Бюллетень № 14

Дата опубликования описания 27Х111.19бЗ

Кл. 42m, 14р2

Государственный комитет по делам изобретений и открытий СССР

МПК G 06f

УДК 681.14 — 523 8 ,(088.8) Авторы изобретения

Л. Б. Голованова, С. К. Дементьев, П. С. Игнатенко, В. А. Костяков, Е. И. Черепов, В. Л. Дятлов и А. П, Парсанов

Институт математики СО АН СССР

Заявитель

ПАРАМЕТРОН

Подписная группа № 174

Известны параметроны, содержащие тонкую магнитную пленку и две ортогональные обмотки, причем одна из обмоток совместно с конденсатором образуют его контур.

Пердлагаемый параметрон отличается от известных тем, что в нем ось обмотки накачки расположена под углом 45 относительно оси легкого намагничивания тонкой магнитной пленки. Пленка нанесена с одной стороны первой стеклянной подложки. С другой стороны подложки помещена резонансная оомотка. Обмотка накачки нанесена с одной стороны второй стеклянной подложки, прикрепленной к пленке второй стороной. Это позволяет упростить технологию производства полностью пленочного параметрона, частота накачки которого далека от частоты собственного ферромагнитного резонанса.

На чертеже представлена конструкция предлагаемого параметрона.

При возбуждении параметрона, не содержащего дополнительной емкости в параметрическом резонансном контуре, в области ферромагнитного резонанса необходимы большие значения переменных полей, Однако, субгармонические колебания магнитного момента в пленках возможны и при частотах значительно более низких, чем частота ферромагнитного резонанса. Это объясняется тем, что за счет S-образной характеристики намагничивания значения индуктивности на частоте, близкой к частоте субгармонических колебаний, достигают больших значений, таких, что возможен резонанс на этих частотах.

Для съема субгармонических колебаний может быть использован связанный резонансный контур, выполняющий роль полосового фильтра частоты субгармоники.

Связь контура с пленкой, выполняющей функции параметрона, может быть сделана достаточно слабой, при этом резонансный контур связи не будет .влиять отрицателыно на свойства ферромагнитной пленки.

Ось легкого намагничивания располагается под углом 45 относительно оси обмотки накачки, так как при этом создаются благоприятные условия для получения необходимой Sобразной характеристики.

На чертеже изображен предложенный элемент.

На подложку 1 из стекла нанесена тонкая ферромагнитная пленка 2. На противополо>кную сторону этой подложки напылена индуктивность 8, контакты 4 и емкость 5. На аналогичную стеклянную подложку напыляется полоска металла. Вторая подложка прикрепЗ0 ляется противоположной стороной к первой

173026

Предмет изобретения

Составитель В. А. Субоотин

Техред Л. К. Ткаченко Корректор О. И. Попов»

Редактор Н. С. Коган

Заказ 2091/6 Тираж 975 Формат бум. 60X90% Объем 0,13 изд. л. Цена 6 коп.

ЦНИИПИ Государственного комитета по делам изобретений и открытий СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, д, 2 подложке со стороны напыления ферромагнитной пленки.

Преимуществом предлагаемого параметрона является простота технологии изготовления полностью напыленных конструкций.

Благодаря тому, что резонансный контур выполняет лишь роль фильтра, упрощаются требования к изготовлению отдельных компонент параметрона, индуктивности конденсато ра, Предельная частота накачки параметрона около 100 л/ги. Потребляемая мощность меньше 10 мвт.

Область применения параметрона — вычислительная техника, автоматика и телемеханика, Параметрон, содержащий тонкую магнитную лленку, две ортогональные обмотки, одна из обмоток совместно с конденсатором образует его контур, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии производства полностью пленочного параметрона, частота работы которого меньше, чем частота собст)0 венного ферромагн|итного резонанса, ось обмотки накачки расположена под углом 45 относительно оси легкого намагничивания тонкой магнитной пленки, которая нанесена с одной стороны первой стеклянной подложки, 1б с другой стороны которой помещена резонансная обмотка, а обмотка накачки нанесена с одной стороны второй стеклянной подложки, прикрепленной к пленке второй стороной.