Способ выращивания монокристаллов i -:-г.-у;луч':;,'• . .?!, •'•,. ..j i .1|,/л

Способ выращивания монокристаллов i -:-г.-у;луч':;,'• . .?!, •'•,. ..j i .1|,/л

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Со!оз Советских

Сощ .алистииеских

Республик

l7342l

Зависимое от авт. свидетельства №

Кл. 404 1зо

Заявлено 07.11 1964 (№ 880554/22-2) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 21.VI I.1965. Бюллетень № 15

МПК С 22f

Государственный комитет по делам изобретений и открытий СССР

УДК 669.621Д15 502 (088.8)

66.065.5:548.55 (088.8) Дата опубликования описания 24Х111.1965

Автор. изобретения

И, С. Рез, Е. И. Сперанская, А. И. Сафонов, Л. В. Козлова, Г. M. Сафронов, И. A. Буслаев и Е. Я. Роде

Заявитель

1 ... ;ГГ„,,:, С11ОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОИОКРИСТАЛЛОВ

СЕ1ИЕТОЭЛЕКтРИ IEСKHX СОЕДИНЕНИЙ

Подписная группа № 1б1

В известных способах выращивания монокристаллов слоистого титаната висмута кристаллизацией из раствора — расплава бинарной системы В40„.— TiO кристаллы Bi4Ti>04» отделяют после кристаллизации всего расплава.

Описываемый способ отличается тем, что для увеличения выхода кристаллов и улучшения их электрофизических характеристик предлагается полученные кристаллы основного соединения отделять от расплава с помощью подвижной сетки-сепаратора при температуре выше температуры образования инконгруэнтно плавящегося соединения.

По описываемому способу смесь исходных компонентов (В40, 78 (о и TiO> 22%) загружают в платиновый тигель, в котором помещается также сетка, соединенная стержнем с подъемным устройством. После расплавления шихты расплав выдерживают в течение суток при 1200 С; сетка в это время служит для перемешивания расплава. После выдержки температуру расплава равномерно снижают со скоростью 1 — 2 в час до 900 С (сетка находится на дне тигля), в результате чего происходит процесс кристаллизации

Bi4Ti:04». При 900 С сетку с кристаллами поднимают и выдерживают 5 — 6 час для стекания с них остатков растворителя.

Кристаллы Bi4Ti;;0> могут быть подвергнуты отжигу при 600 С в том же устройстве.

Отделение кристаллов се -нетоэлектрического соединения от расплава при температуре выше 865 С необходимо для предотвращения разъедания кристаллов и загрязнения их

10 поверхностей примесью вследствие образования при 865 С несегнетоэлектрического инконгруэнтно плавящегося соединения В18Т104„, Предмет изобретения

Способ выращивания монокристаллов сегнетоэлектрических соединений, например

Bi4Ti;,04, кристаллизацией из раствора в расплаве, отличающийся тем, что, с целью

20 увеличения выхода кристаллов и улучшения их электрофизических характеристик, полученные кристаллы основного соединения отделя|от от расплава с помощью подвижной сетки-сепаратора при температуре выше темпе25 ратуры 0 op азо вания и нконгруэнтно плавящихся соединений.