Способ определения температурного коэффициента стабилизации напряжения полупроводниковых

Способ определения температурного коэффициента стабилизации напряжения полупроводниковых

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт, свидетельства №

Заявлено 04.Х1.1963 (№ 864235/26-9) Кл. 21а4, 71 с присоединением заявки №

Приоритет

МПК 6 01г

УДК 621 317 619(088 8) Государственный комитет по делам изобретений и открытий СССР

Опубликовано 27.VI11.1965. Бюллетень Kо 17

Дата опубликования описания 19.Х.1965

Авторы изобретения

Заявитель

Н. Н. Вострокнутов и С. Д. Додик

Всесоюзный научно-исследовательский институт Государственного„ комитета стандартов, мер и измерительных приборов СССР

ЖлЯ =й11 и -. .

":а/,, ; I -", СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕН ИЯ ТЕМПЕРАТУРНОГО КОЭФФ И ЦИ ЕНТА

СТАБИЛИЗАЦИИ НАПРЯЖЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЬ1Х

СТАБИЛ ИТРО НОВ

Предмет изобретения

Подписная группа № 89

При известных способах определения температурного коэффициента стабилизации напряжения полупроводниковых стабилитронов измеряют тепловую составляющую приращения напряжения на стабилитроне по изменению напряжения на нем в зависимости от повышения или понижения температуры окружающей среды. При подобных способах требуется термостатировать стабилитрон, что усложняет процесс измерения.

По предлагаемому способу, с целью упрощения процесса измерения, через стаоилитрон пропускают импульс тока и измеряют приращение напряжения от значения, соответствующего напряжению после прохождения импульса тока, до установившейся величины.

Значение температурного коэффициента напряжения у определяют по формуле

ЛУ

7=

1 стет где: ЛУ вЂ” измеренное приращение напряжения;

Л1 — амплитуда импульса тока;

V„— напряжение стабилизации стабилитрона;

Р, — тепловое сопротивление стабилитрона.

Предлагаемым способом можно также определять температурный коэффициент падения напряжения на р — n-переходах полупроводниковых приборов.

1. Способ определения температурного коэффициента стабилизации напряжения полупроводниковых стабилнтронов, основанный на измерении тепловой составляющей прираще15 ния напряжения на стабилитроне, отлича ои1ийся тем, что, с целью упрощения процесса измерения, через стабилитрон пропускают импульс тока и определяют изменение напряжения на стабилитроне от исходного значения, 20 соответствующего напряжению после скачкообразного изменения тока, до значения, соответствующего установившемуся режиму.

2. Применение способа по п. 1 для определения температурного коэффициента падения

25 напряжения на р — и-переходах полупроводниковых приборов.