Способ изготовления омических контактоввсгсц»я11>&|1 .ffm^m^^т*фб:';щ1?а(а„.
Иллюстрации
Показать всеРеферат
Союз Советских
" Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства №
Заявлено 06.VI1.1964 (№ 910241/26-25) Кл. 21@, 11фх с присоединением заявки №
Государственный комитет по делам изобретений н Открытий СССР
МПК Н Oll
УДК 621.382.2/.327 (088.8) Приоритет
Опубликовано 27.Vill.1965. Бюллетень № 17
Дата опубликования описания 29.Х.19б5
Авторы изобретения
В. И. Диковский и С. Б. Вихрова
Заявитель Предприятие Государственного комитета по электронной технике СССР
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ
Подписная группа М 97
Известны способы изготовления омических контактов путем вплавления в полупроводник металлического, в частности золотого, вывода с добавками донорсв или акцепгоров или по-крытого слоем металла-примеси с предварительным его оплавлением.
Предлагаемый способ изготовления омического контакта к полупроводниковым приборам отличается тем, что металлический вывод, в част;:гости из золота. предварительно покрывают слоем висмута в количестве, не превышающем 1О/, от веса вывода, или слоем сплава золота с висмутом с содержанием висмута не ниже<0 >
Предлагаемый способ позволяет за счет улучшения смачивания поверхности кремния повысить надежность и механическую прочность омического контакта, а также осуществить контакт к кремнию и- и р-типа проводимости.
Способ осуществляется следующим образом.
На вывод из золотой заготовщики, например, в виде проволоки .наносят любым известным способом слой висмута или сплава висмута с золотом. Количество висмута должно быть не более 1% от веса золотого вывода, а в спла2 ве золота с висмутом содержание висмута должно быть не ниже 20О/о. Вывод с нанесенным металлом предварительно оплавляют при температуре, превышающей температуру эзче. лики золото — висмут, а длительность оплавления выбирают таким образом, чтобы оно произошло только в поверхностном слое. После этого проводят эплавление вывода пуи температуре 450 С в поверхность кремния, об10 работанную соответствующим образом.
Предмет изобретения
Способ изготовления омических контактов путем вплавления в полупроводник металли15 ческого вывода, легированного соответствующей примесью или покрытого слоем металла с предварительным его оплавлением, отличаюи1ийся тем, что, с целью повышения механической прочности контакта и осуществления
20 его на кремнии любого типа проводимости, на вывод предварительно наносят висмут is количестве не более 1% от веса вывода.
2. Способ .по и. 1, отличающийся тем, что на вывод предварительно наносят слой из
25 сплава золота с висмутом с содержанием висмута не ниже 20%.