Полупроводниковый переключатель

Полупроводниковый переключатель

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

О П И С А Н И Е l74434

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Кл. 42m, 14ц

Заявлено 29.1V.1962 (¹ 776578/26-24) с присоединением заявки ¹

Приоритет

Опубликовано 27.VIII.1965. Бюллетень ¹ 17

Государственный комитет по делал изобретений и открытий СССР

МПК б 06f

УДК 681.142.07(088.8) е

Дата опубликования описания 27,Х.1965

Авторы изобретения В. С. Моин, И. В. Нежданов, Л. E. Смольников и H. H. Лаптев

Заявитель

g(1. (g

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ

Предмет из обр етен и я

Подписная группа № 174

Известны полупроводниковые переключатели, выполненные на базе p — п — р— и-структуры. Однако построение электронных схем таких переключателей связано с проблемой их гашения, в связи с тем, что переключатели после включения остаются неуправляемыми со стороны управляющего электрода.

Для того чтобы перевести переключатель из состояния «включено» в состояние «выключено» требуется снять анодное питание лиоо на переключатель подать напряжение обратной полярности.

Предлагаемый полупроводниковый переключатель отличается от известных тем, что между и-областями включен диод, анод которого подключен к п-эмиттеру, а катод к п-базе, а между р-областями включен второй диод, анод которого подключен к р-базе, а катод — к р-эмиттеру.

Такое выполнение переключателя обеспечивает уменьшение времени переключения из состояния «включено» в состояние «выключено».

На чертеже дана схема предложенного переключателя.

В схеме между п-эмиттером и п-базой четырехслойного переключателя подключен диод Дь катод которого подсоединен к п-базе, а анод — к и-эмиттеру, а между р-базой и р-эмиттером подключен диод Д, анод которого подсоединен к р-базе, а катод — к р-эмитте ру

При таком подключении при подаче обратного напряжения на зажп Ibl А и К для гашения переключателя все три перехода и,, п2 и и,, активно запираются (переход и, по цепи

Pj — и,; п по цепи Д, — и,. — Д и пз по цепи

zz„. — Д,) и время перехода переключателя в состояние «выключено» (1„„, ) резко уменьшается.

Полупроводниковый переключатель, выполненный на базе р — n — р —.n-структуры, от20 лича ои ийся тем, что, с целью уменьшения времени переключения пз состояния «включено» в состояние «выключено», между п-областямп подключен диод, анод которого подсоединен к п-эмиттеру, а катод к п-базе, а между

25 р-областями подключен второй диод, анод которого подсоединен к р-базе, а катод — к р-эмиттеру.

174434

Составитель Дубинский

Редактор Л. А. Утехина Техред Т. П. Курилко

Корректор О. Б. Тюрина

Заказ 2599 16 Тираж 975 Формат бум. 60+90 /а Объем 0,1 изд. л. Цена 5 коп.

ЦНИИПИ Государственного комитета по делам изобретении и открытий СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, 2