Ждущий мультивибратор климова
Иллюстрации
Показать всеРеферат
Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в формирователях импульсов и устройствах электронной задержки. Сущность изобретения заключается в сокращении длительности срезов этих импульсов путем автоматического уменьшения постоянной времени цепи разряда соответствующего времязадающего конденсатора в момент открываний транзистора , к базе которого подключен данный времязадающий конденсатор. 1 ил.
союз советских
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИК (я)л Н 03 К 3/284
".р1",pq 2
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ
ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ
ПРИ ГКНТ СССР
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
1 (21) 4728730/21 (22) 07.08.89 (46) 30.07.92. Бюл. N 28 (72) В,Я.Климов (56) Авторское свидетельство СССР
М 936394, кл. Н 03 К 3/284, 1982, Авторское свидетельство СССР
М 389617, кл, Н 03 К 3/284, 1973. (54) ЖДУЩИЙ МУЛЬТИВИБРАТОР КЛИМОВА
Изобретение относится к. импульсной технике и может быть использовано в формирователях импульсов и устройствах электронной задержки.
Цель изобретения — сокращение длительности срезов формируемых импульсов.
На чертеже представлена принципиальная схема мультивибратора.
Ждущий мультивибратор содержит биполярный транзистор 1, резистор 2, шину 3 первого источника питания, резистор 4. шину 5 второго источника питания, полярность которого противоположна полярности пер вого источника питания, N биполярных транзисторов 6.1...6-N с одинаковой с транзистором 1 проводимостью, N времязадающих конденсаторов 7-1...7-N; 6 N резисторов 8-1„.8-N, 9-1...9-N, 10-1.„10-N, 11-1...11-N, 12-1...12-N, 13-1...13-N, 2N биполярных транзисторов 14-1...14-N. 15-1...15-N с обратной по отношению к транзистору 1 проводимостью, N стабилитронов 16-1.„16N, причем транзистор 1 эмиттером соединен с общей шиной 17, коллектором через резистор 2 с шиной 3, базой через резистор
„„QJÄÄ 1751840 А1 (57) Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в формирователях импульсов и устройствах электронной задержки, Сущность изобретения заключается в сокращении длительности срезов этих импульсов путем автоматического уменьшения постоянной времени цепи разряда соответствующего времязадающего конденсатора в момент открывания транзистора, к базе которого подключен данный времязадающий конденсатор. 1 ил.
4 с шиной 5, каждый из N транзисторов
6-1„.6-N соединен эмиттером с общей шиной 17, базой через соответствующий из N конденсаторов 7-1.„7-N c коллектором транзистора 1 и через соответствующий иэ N резисторов 8-1„.8-N с шиной 3, коллектором с первым выводом соответствующего из N резисторов 10-1...10-N и через соответствующий из N резисторов 9-1...9-N с базой транзистора 1, второй вывод соответствующего иэ N резисторов 10-1...10-N соединен через соответствующий из стабилитронов
16-1...16-N с базой соответствующего из N транзисторов 14,1...14-N, соединенного эмиттером с шиной 3 и через соответствующий из N резисторов 11-1...11-N с вторым выводом соответствующего из N резисторов 10-1„,10-N, а коллектором с эмиттером соответствующего из N транзисторов 151...15-N, соединенного также коллектором через соответствующий из M резисторов 121...12-N с базой соответствующего из N транзисторов 6-1...6-N, а базой через соответствующий из N резисторов 13-1...13-N c коллектором транзистора 1.
1751840
Ждущий мультивибратор работает следующим образом.
B длительно устойчивом состоянии транзистор 1 заперт и каждый конденсатор (7-п), (где n = 1,2...N) заряжен по цепи заряда: шина 3- резистор 2 — первая обкладка конденсатора (7;и) — вторая обкладка конденсатора (7-и) — база нормально открытого транзистора (6-n) (где n = 1,2...,N) — эмиттер транзистора (6-n) — шина 17. При этом транзистор (14-n) открыт базовым током, протекающим по цепи: эмиттер транзистора (14-и) — база транзистора (14-n) — стабилитрон (16-n) — резистор (10-п) — коллектор открытого транзистора (6-n) — эмиттер открытого транзистора (6-n) — шина 17, од.нако коллекторный ток транзистора (14-n)„ являющийся эмиттерным током транзистора (15-п) отсутствует, так как эмиттерный переход транзистора (15-п) смещен в обратном направлении и транзистор 15-и закрыт (где n = 1,2,...N).
После подачи запускающего импульса на базу транзистора 1 он отпирается и насыщается, а транзисторы 6-1...6-N запираются напряжением соответствующих конденсаторов 7-1...7-N, подключенных первой обкладкой через насыщенный транзистор 1 к общей шине 16. Отсутствие коллекторного тока транзистора 6-и приводит к уменьшению значения силы тока, протекающего через резистор 11-п, (где n = 1.2,...N), что приводит к снижению падения на нем напряжения, которое становится меньшим напряжения стабилизации стабилитрона
16-и. При этом ток через стабилитрон 16-п, являющийся базовым током транзистора
14-п, практически отсутствует и транзистор
14-и закрывается. Отсутствие коллекторного тока транзистора 14-п, являющегося эмиттерным током транзистора 15-и приводит к закрыванию транзистора 15-п, (где n =
1,2„,.N).
В момент начала открывания транзистора 6-и появление его коллекторного тока приводит к повышению падения напряжения на резисторе 11-п, пробою стабилитрона 16-и и открыванию транзистора 14-п, появлению эмиперного тока транзистора
15 и и открыванию последнего, (где n =
1,2,...N). В результатЕ этого постоянная времени цепи разряда конденсатора 7-п уменьшается, так как параллельно резистору 8-и подключается электрическая цепь, образованная последовательно соединенными сопротивлением резистора 12п, сопротивлением коллектор-эмиттер открытого и насыщенного транзистора 15-и и сопротивлением коллектор-эмиттер открытого и насыщенного транзистора 14-п, (где n. = 1,2,...N). Следовательно, сокращает. ся время от момента начала открывания транзистора 6-и до момента его насыщения, т.е. сокращается длительность среза им5 пульса, формируемого на коллекторе данного транзистора.
Таким образом, техническое решение обладает меньшей длительностью срезов формируемых импульсов за счет автомати10 ческого уменьшения постоянной времени цепи разряда соответствующего времязадающего конденсатора в момент открывания транзистора, к базе которого подключен данный времязадающий конденсатор, 15
Формула изобретения
Ждущий мультивибратор, содержащий основной биполярный транзистор, эмиттер которого соединен с общей шиной, коллек20 тор через первый резистор соединен с шиной первого источника питания, база через второй резистор соединена с шиной второго источника питания, полярность которого противоположна полярности первого источ25 ника питания, N биполярных транзисторов с одинаковой с основным биполярным транзистором проводимостью. база каждого из которых через соответствующий времязадающий конденсатор соединена с коллекто30 ром основного транзистора и через соответствующий базовый резистор с шиной первого источника питания, коллектор соединен с первым выводом основного коллекторного резистора и через соответству35 ющий резистор обратной связи с базой основного транзистора, а эмиттер соединен с общей шиной. отличающийся тем, что, с целью сокращения длительности срезов формируемых импульсов, в него введе40 ны N первых и и вторых дополнительных биполярных транзисторов, с обратной по отношению к основному транзистору проводимостью, N стабилитронов, N дополнительных базовых резисторов, N
45 дополнительных коллекторных резисторов и N шунтирующих резисторов, каждый из которых первым выводом соединен с шиной первого источника питания и эмиттером соответствующего второго дополнительного
50 биполярного транзистора, а вторым выводом — с вторым выводом соответствующего основного коллекторного резистора и через соответствующий стабилитрон с базой соответствующего второго до55 полнительного биполярного транзистора, коллектор которого соединен с эмиттером соответствующего первого дополнительного транзистора, база которого соединена через соответствующий дополнительный базовый резистор с коллектором основного
1751840
Составитель В.Климов
Техред М.Моргентал
Корректор О.Кравцова
Редактор М.Товтин
Заказ 2696 Тираж Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР
113035.. Москва, Ж-35, Раушская наб.. 4/5
Производственно-издательский. комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина. 101 биполярного транзистора, а коллектор через соответствующий дополнительный коллекторный резистор соединен с базой соответствующего биполя рного транзистора.