Электрооптический модулятор

Электрооптический модулятор

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Союз Советских

Сощиалистических

Республик

К АВТОРСИОМУ CBNP EYEPbt(73У

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 26.1.1963 (Л" 815877/26-25) К, t. 42h, 21 с присоединением заявки ¹

Государстмиж-. и комитет ло делам изобретений и открытий СССР

Приоритет

Опубликовано 21.1Õ.1965. Бюллетень ¹ 19

Дата опубликования описания 18.Х1.19á5

МПК И Озс

УДК 621.376 9(OSS.S) ЭЛ ЕКТРОО ПТИЧ ЕСКИ Й МОДУЛЯТОР

Подписная группа JH 170

Известны электрооптические затворы и модуляторы, в которых используются «pt:сталлы

АДП, КДП, CuCI, ZnS. Эти кристаллы редко встречаются в природе, очень гигроскопичны, их трудно выращивать и обрабатывать.

В предложенном электрооптическом модуляторе, состоящем из скрещенных поляризаторов, в электрическое поле помещается двуосный моноклинный кристалл пентаэритрита

С(СН ОН)4 (класс симметрии 2 или С..). Направление поля совпадает с направлением света и осью симметрии 2.

Кристаллы пентаэритрита имеют ряд преимуществ: легко выращиваются, негигроскопичны, имеют сравнительно высокую температуру плавления (275 С), являются линейными диэлектриками с удельным сопротивлением 101з — 101 ол с11 в интервале температур

30 — 130 С при отсутствии поверхностной проводимости. Кристаллы обладают ясно выраженной спайностью, что дает возможность изготавливать нужные для модуляции пластины путем скалывания по плоскости спайности.

Этим устраняется обработка кристаллов шлифованием и полированием. Ориентировочные расчеты показыва1от, что для поьорота оптической индикатрисы иа угол 22,5 к кристаллу необходимо приложить поле иаиряжениОcT6IO 220 K8!chill.

Модуляторы на кристаллах пе. таэритрита в отличие от известных кварцегых могут работать не только в резонансном, ио и в иерезонансном режиме.

Кристаллы пентаэритрпта могут быть при10 менены в различных устройствах для передачи информации по световым каналам, Предмет изобретения

Электрооптический модулятор. состоящиit из

1 скрещенных поляризаторов, между которыми

1эасполо:кен кристалл в элскт1эичс скnм поле, направление которого совпадает с направлением света и ось1о симметрии 2, от.1ичаюи1иася тем, что, с целью устранения обработки по20 верхности кристалла и влияния температуры и влажности окружающей среды иа его раooTA. пово1эота Опт1н1ескОЙ IIII 1катрисы угол до 22.5 EI работы в нерезоиаисиом режиме, в нем применен кристалл иснтаэрит25 рита.