Способ измерения эффективного магнитного поля одноосной анизотропии в магнитной пленке

Способ измерения эффективного магнитного поля одноосной анизотропии в магнитной пленке

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для аттестации магнитных пленок, предназначенных для использования в магнитооптических устройствах обработки и хранения информации. Целью изобретения является снижение потребляемой мощности и расширение области применения способа путем измерения эффективных магнитных полей одноосной анизотропии в магнитных пленках со слабой одноосной анизотропией . Способ основан на намагничивании магнитной пленки до насыщения перпендикулярно ее плоскости магнитным полем смещения Нем, воздействии на магнитную пленку противоположно направленным импульсным магнитным полем Ни и регистрации доменов с обратной намагниченностью, причем регистрируют плотность доменов Р с обратной намагниченностью, зарождающихся во время действия импульсного магнитного поля Ни, изменяют напряженность внешнего магнитного поля Н Ни - НСм и определяют зависимость Р 1 от Н. по которой судят об эффективном магнитном поле одноосной анизотропии в магнитной пленке . 1 ил. (Л С

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (я)з G 11 С 11/14

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИ4ЕТЕЛЬСТВУ 0 ! (л

00 (21) 4871015/24 (22) 06.09,90 (46) 30.09.92. Бюл. N - 36 (75) М.В.Логунов и В,В.Рандошкин (56) Рандошкин В.В. Применение импульсного перемагничивания монокристаллических пленок феррит-гранатов для контроля их свойств. Препринт ИОФАН йг 23, М„

1989, с,13.

Иванов Л,П., Логгинов А.С., Непокойчицкий Г.А., Никитин Н,И. Влияние магнитной анизотропии на процессы импульсного перемагничивания пленок феррит-гранатов. ФТТ, 1983, т,25, вып.3, с,839 — 849. (54) СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ЭФФЕКТИВНОГО МАГНИТНОГО ПОЛЯ ОДНООСНОЙ

АНИЗОТРОПИИ В МАГНИТНОЙ ПЛЕНКЕ (57) Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для аттестации магнитных пленок, предназначенных для использования в магнитооптических устройствах обработки и хранения

Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано для аттестации магнитных пленок, предназначенных для магнитооптических устройств обработки и хранения информации., Целью изобретения является снижение потребляемой мощности и расширение области применения способа путем измерения эффективных магнитных полей одноосной анизотропии в магнитных пленках со слабой одноосной анизотропией, Для этого магнитную пленку намагничивают до насыщения перпендикулярно ее плоскости магнитным полем смещения Нс, воздействуют на магнитную пленку противоположно направленным импульсным маг,, Я2,„, 1765847 А1 информации. Целью изобретения является снижение потребляемой мощности и расширение области применения способа путем измерения эффективных магнитных полей одноосной анизотропии в магнитных пленках со слабой одноосной анизотропией, Способ основан на намагничивании магнитной пленки до насыщения перпендикулярно ее плоскости магнитным полем смещения Н,м, воздействии на магнитную плвнку противоположно направленным импульсным магнитным полем Ни и регистрации доменов с обратной намагниченностью, причем регистрируют плотность доменов Р с обратной намагниченностью, зарождающихся во время действия импульсного магнитного поля Ни, изменяют напряженность внешнего магнитного поля Н = Н, - Нс и определяют зависимость P от Н, по которой судят об эффективном магнитном поле одноосной анизотропии в магнитной пленке, 1 ил, нитным полем Ни, регистрируют плотность

P доменов с обратной намагниченностью, зарождающихся во время действия импульсного магнитного поля Ни, изменяют напряженность внешнего магнитного поля Н = Н

- HcM и определяют зависимость P от Н, по которой судят об эффективном магнитном поле однооснои анизотропии в магнитной пленке путем экстраполяции этой зависимости до пересечения с осью абсцисс, Изобретение поясняется чертежом, где приведена зависимость P от Н, а также зависимость х от Н, по которой определя-1 ют эффективное магнитное поле одноосной анизотропии в прототипе, Здесь х — время перемагничивания магнитной пленки. На чертеже видно, что при экстраполяции кри1765847 но, что экстраполяция обеих кривых дает значение эффективного магнитного поля одноосной анизотропии равное 108 Э, у-

orH. P

1,чкс-1 t0

Н, Э

Составитель В.Рандошкин

Редактор Т,Орловская Техред М.Моргентал Корректор Э.дончакова

Заказ 3387 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб„4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 101 вой P (Н) и участка кривой г (Н) с наиболь-1 -1 шей крутизной точка пересечения с осью абсцисс одна и та же. Для построения кривой P (Н) требуются меньшие внешние по-1 ля, чем для построения кривой х (Н).

Способ реализован при исследовании монокристаллических пленок феррит-граната состава (Bi, Но)з(Ре, Са)ь01г со слабой одноосной анизотропией, выращенных методом жидкофазной эпитаксии на подложках из гадолиний-галлиевого граната, на установке высокоскоростной фотографии, Магнитную пленку помещали на столик поляризационного микроскопа, Перпендикулярно плоскости пленки прикладывали поле смещения Н = 600 Э, намагничивающее пленку до насыщения. В противоположном направлении прикладывали импульсное магнитное поле с амплитудой Н, изменяющейся в диапазоне от 100 до 850 Э. Изменяя задержку импульса подсветки в установке высокоскоростной фотографии относительно начала импульса магнитного поля, регистрировали число доменов с обратной намагниченностью в поле зрения микроскопа, зарождающихся в процессе действия импульса магнитного поля. Кроме того, регистрировали время перемагничивания г магнитной пленки. Строили зависимости

P (Н) иг (Н), показанные на чертеже. Вид5 Формула изобретения

Способ измерения эффективного магнитного поля одноосной анизотропии в магнитной пленке, основанный на намагничивании магнитной пленки до насыщения

10 перпендикулярно ее плоскости магнитным полем смещения Н, воздействии на магнитную пленку противоположно направленным импульсным магнитным полем Н и регистрации доменов с обратной намагни15 ченностью, отличающийся тем, что, с целью снижения потребляемой мощности и расширения области применения способа путем измерения эффективных магнитных полей одноосной анизотропии в магнитных

20 пленках со слабой одноосной анизотропией, регистрируют плотность P доменов с обратной намагниченностью, зарождающихся во время действия импульсного магнитного поля Н,, изменяют напряженность

25 внешнего магнитного поля Н = Н - HcM u определяют зависимость P" от Н, по которой судят об эффективном магнитном поле одноосной анизотропии в магнитной пленке путем экстраполяции этой зависимости

30 до пересечения с осью абсцисс.