Способ определения полей анизитропии эпитаксиальной ферритовой пленки

Способ определения полей анизитропии эпитаксиальной ферритовой пленки

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к твердотельной СВЧ-электронике, и может быть использовано для измерения полей (констант) анизотропии эпитаксиальных ферритовых пленок. Исследуемую пленку 1 размещают на входном 2 и выходном 3 преобразователях и помещают между полюсами электромагнита 4 с возможностью вращения пленки относительно преобразователей. При этом изменяется угол р между кристаллографическим направлением и проекцией поля в плоскости пленки. Сигнал от генератора 5 через аттенюатор 6 поступает на входной преобразователь 2, где преобразуется в магнитостатическую волну, которая распространяется в пленке 1 до выходного преобразователя 3. С помощью аттенюатора 6 увеличивают мощность входного сигнала до тех пор, поха в спектре сигнала, снимаемого с выходного преобразователи, появится и достигнет максимума по амплитуде шумоподобный сигнал с нижней границей на частоте ftu 2fH. По зависимости частоты нижней границы шумоподобного сигнала в качестве выходной характеристики от угла поворота пленки судят об искомых величинах. 3 ил. СЛ С

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК,.,!Ж,, 1772774 А1 (ss)s G 01 R 33/05

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР!

®4@

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ "4 "" - -""/

«3 ) «1

«4 ф

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4837139/21 (22) 11.06,90 (46) 30.10.92. Бюл, N 40 (71) Саратовский филиал института радиотехники и электроники АН СССР (72) Г, Т, Казаков, A. В. Кожевников и Ю. А. Филимонов (56) 1. Физика твердого тела, 1987, т, 29, М 1, с. 110 — 115. (54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОЛЕЙ АНИЗОТРОПИИ ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ФЕРРИТОВОЙ ПЛЕНКИ (57) Изобретение относится к твердотельной СВ>-электронике, и может быть использовано для измерения полей (констант) анизотропии эпитаксиальных ферритовых пленок. Исследуемую пленку 1 размещают на входном 2 и выходном 3 преобразователях и помещают между полюсами электромагнита 4 с возможностью вращения пленки относительно преобразователей.

При этом изменяется угол р между кристаллографическим направлением и проекцией поля в плоскости пленки. Сигнал от генератора 5 через аттенюатор G поступает на входной преобразователь 2; где преобразуется в магнитостатическую волну, которая распространяется в пленке 1 до выходного преобразователя 3. С помощью аттенюатора 6 увеличивают мощность входного сигнала до тех пор, пока в спектре сигнала, снимаемого с ьыходного преобразователя, появится и достигнет максимума по амплитуде шумоподобный сигнал с нижней границей на частоте f = 2f . По зависимости частоты нижней границы шумопадобного сигнала в качестве выходной характеристики от угла поворота пленки судят об искомых величинах. 3 ил.

1772774

Изобретение относится к твердотель-. ной СВЧ-электронике и может быть использовано для измерения полей (констант) анизотропии эпитаксиальных ферритовых пленок, Целью настоящего изобретения является повышение чувствительности определения полей анизотропии.

На фиг. 1 представлена схема устройства для осуществлении способа; на фиг. 2 схематично приведен спектр входного сигнала при различных поворотах; на фиг, 3 показан спектр магнитостатических волн (МСВ) для случая касательно намагниченной пленки, поясняющий положение минимальной частоты f спектра МСВ в ферритовой пленке и процесс появления шумоподобного сигнала с нижней границей на частоте f,:>.

Способ заключается в следующем.

Исследуемую пленку 1 (фиг. I) размещают на входном 2 и выходном 3 преобразователях и помещают между полюсами электромагнита 4 так, что имеется возможность вращения пленки относительно преобразователей. При этом изменяется угол р между кристаллографическим направлением(1, m, k) и проекцией поля Кв плоскости пленки. Сигнал с часто ой f от генератора 5 через аттен оатор б поступает на входной преобразователь 2, где преобразуется в

МСВ, которая распространяется в пленке 1 до выходного преобразователя 3. Сигнал с преобразователя 3 поступает на анализатор спектр,", 7. С помощью аттенюатора бувеличивают мощность входного сигнала до тех

flop, пока ее величин» не вызовет трехмагнонный распад МСВ Интенсивность этого распада сголь вь.сока, lTO взаимодействие продуктов распада МСВ между собой приводит к образованию кинетической неустойчивости. которая проявляется в спектре прошедшего сигнала в виде шумоподобного пика с нижней границей на частоте:

fz =24, где 1„— млнимальная частота спектра МСВ в пленке 1 (см. фиг, 2), Вращением пленки 1 мы изменяем угол (см. фиг. 1) и тем самым меняем величину поля аниэотропии Hp, в пленке, которое определяет вместе с полем Н спектр МСВпленки, а значит, и частоту 1 (см. фиг. 3). Эта частота практически не зависит от волнового числа МСВ, а определяется лишь собственными параметрами пленки и внешним полем. Поскольку частота f<> образуется в результате слияния двух МСВ с законом сохранения энергии: "

5 и импульса:

Кш=Кн +Кн

10 где К вЂ” волновой вектор соответствующей

МСВ, foj и Кш удовлетворяют спектру МСВ, возбуждаемой непосредственно преобразователем, то совершенно очевидно, что ве15 личина изменения частоты fnj при вращении пленки:

20 вдвое больше величины

Отметим также, что а данном случае нет

25 необходимости измерять волновое число

МСВ, поскольку частота f>< является предельной граничной частотой спектра MCB.

Кроме того, поскольку частота входного сигнала fфик,сирована в процессе измере30 ния, а значения f не совпадают с f, то прямая электромагнитная наводка с входного преобразователя 2 на выходной преобразователь 3, имеющая частоту f, не оказывает влияния на результат измерения, 3,".

Формула изобретения

Способ определения полей аниэотропии зпитаксиальной ферритовой пленки, включающий намагничивание пленки, воз40 д йствие частоты, превыLLàþùåé удвоенное произведение гиромагнитного отношения и напряженности магнитного поля, вращение пленки вокруг оси, совпадающей с нормалью к ней, и определение из

45 зависимости выходной характеристики от угла поворота пленки искомых параметров, о т г, и ч а ю шийся тем, что, с целью повышения чувствительности определения полей анизотропии, мощность входного сиг50 нала увеличиваютдо появления и достижения в спектре максимума по амплитуде шумоподобного сигнала с нижней границей, соответствующей удвоенной минлмальной частоте спектра магнитостатических волн в

55 ферритовой пленке, по зависимости частоты нижней границы шумоподобного сип.ала от угла поворота пленки определяют искомые величины.

1772774

Редактор

Заказ 3845 Тираж подписное

ВНИИПИ Государственного комитета па изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/б

Производственно-издательский комбинат "Патент", f, Ужгород, ул.Гагарина, 101

Ы

В®

1нЩ

Составитель Л.Устинова

Техред M.Moðãåíòàë Корректор O,Êðàâöîâà