Бескорпусная интегральная микросхема

Бескорпусная интегральная микросхема

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Использование: создание и производство сверхминиатюризованных интегральных схем. Сущность изобретения: бескорпусная интегральная схема содержит полупроводниковый кристалл с активными элементами, первый элемент защиты и систему взаимосвязанных внутренних и внешних выводов, второй элемент защиты, выполненный в виде жесткой пластины, размещенной с зазором над первым элементом защиты и герметично соединенной с ним по периметру кристалла, а связь внутренних и внешних выводов осуществлена через герметичные металлизированные переходы во втором элементе защиты. 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (st>s Н 01 1. 23/38

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН

V

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4731282/21 (22) 20.08.89 (46) 30.11.92. Бюл. М 44 (71) Научно-исследовательский институт точной технологии (72) В. Г. Шамардин (56) Электроника, М 3, 1971, с. 26.

Заявка Японии М 62-194640, кл. Н 01

1 21/82, 1987. (54) БЕСКОРПУСНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ

МИКРОСХЕМА (57) Использование: создание и производство сверхминиатюриэованных интегральных

Изобретение относится к радиоэлектронике и может быть использовано при создании и производстве сверхминиатюризованных интегральных схем.

Целью изобретения является повышение надежности.

Бескорпусная интегральная схема представлена на чертеже, Она содержит полупроводниковый кристалл 1 с. активными элементами, первый элемент защиты 2 и систему взаимосвязанных внутренних 3 и внешних 4 выводов, второй элемент защиты 5, выполненный в виде жесткой пластины из материала, температурный коэффициент линейного расширения которого выбран равным(2,4-4,5) 10 К, размещенной с зазором 6 над первым элементом защиты 2 и герметично соединенной с ним по периметру кристалла. Внешние выводы 4 размещены на наружной поверхности второго... Я2„„1778822 A 1 схем. Сущность изобретения: бескорпусная интегральная схема содержит полупроводниковый кристалл с активными элементами, первый элемент защиты и систему взаимосвязанных внутренних и внешних выводов, второй элемент защиты, выполненный в виде жесткой пластины, размещенной с зазором над первым элементом защиты и герметично соединенной с ним по периметру кристалла, а связь внутренних и внешних выводов осуществлена через герметичные металлизированные переходы во втором элементе защиты. 1 ил. элемента защиты 5, а связь внутренних 3 и внешних 4 выводов осуществлена через герметичные металлизированные переходы 7 во втором элементе защиты 5.

Бескорпусная интегральная схема работает следующим образом, Сигнал от внешних выводов 4 через герметичные переходы 7 поступает на внутренние выводы

3, а затем на активные элементы кристалла

1. Обрабатывается на активных элементах и выводится вновь на внешние выводы 4. Надежность обработки обеспечивается наличием герметично присоединенного к кристаллу 1 второго элемента защиты 5, Выполнение вакуумноплотной защиты поверхности кристалла с активными прибо рами с помощью крышки, припаянной к кристаллу, дает бескорпусной интегральной микросхеме рад преимуществ, а именно: — отпадает необходимость применения корпуса;

1778822 фф В

Составитель Е.Панов

° Техред M.Ìoðãåíòàë Корректор М.Петрова

Редактор

Заказ 4197 Тираж Подписное

ВКИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж 35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 — упрощается технология сборки; — обеспечивается возможность проведения электротоковой тренировки; — практически исключается применение драгоценных металлов; 5 — уменьшаются габариты и масса по сравнению с корпусной интегральной схемой; — обеспечивается воэможность замены отказавших интегральных микросхем в со- 10 ставе электронных модулей; — обеспечивается высокая степень миниатюризации радиоэлектронной аппаратуры, построенной на этих микросхемах.

Формула изобретения

Бескорпусная интегральная микросхема, содержащая полупроводниковый кристалл с активными элементами, первый элемент защиты и систему взаимосвязанных внутреннихи внешних выводов,отл ича ющ а я с я тем, что, с целью повышения надежности, микросхема снабжена вторым элементом защиты, выполненным в виде жесткой пластины из материала, температурный коэффициент линейного расширен и я которîrо выбран равным (2,4-4,5) 106K, размещенной с зазором над первым элементом защиты и герметично соединенной с ним по периметру кристалла, при этом внешние выводы размещены на наружной поверхности второго элемента защиты, а связь внутренних и внешних выводов осуществлена через герметичные металлизированные переходы во втором элементе защиты.