Способ формирования субмикронной электродной системы затворов

Способ формирования субмикронной электродной системы затворов

Реферат

 

1. Способ формирования субмикронной электродной системы затворов СВЧ-полевых транзисторов, включающий создание маски, осаждение в вакууме на неподвижные полупроводниковые пластины, прикрепленные к подложкодержателю, многослойных пленок из тугоплавких и драгоценных металлов, образующих управляющую и токоведущую части электродной системы, и удаление маски, отличающийся тем, что, с целью повышения адгезии пленок и снижения расхода драгоценных металлов, управляющую часть электродной системы в виде многослойной пленки из тугоплавких металлов выполняют общей толщиной 0,15-0,2 мкм и осаждают с расстояния, обеспечивающего максимальный угол расхождения осаждаемого молекулярного потока от строго параллельного не более 1^o, а токоведущую часть электродной системы, включающую подслой из тугоплавкого металла и слой золото, осаждают с расстояния, обеспечивающего максимальный угол расхождения осаждаемого молекулярного потока не более 10^o.

2. Способ формирования субмикронной электродной системы по п.1, отличающийся тем, что при одновременном осаждении пленок на несколько полупроводниковых пластин, на этапе формирования токоведущей части электродной системы, полупроводниковые пластины сдвигают к центру подложкодержателя настолько, чтобы направление осаждаемого молекулярного потока было параллельным направлению молекулярного потока, создаваемого на этапе формирования управляющей части электродной системы.

3. Способ формирования субмикронной электродной системы по пп.1 и 2, отличающийся тем, что управляющую часть электродной системы выполняют в виде двухслойной пленки из тугоплавких металлов Ti-V или Ti-Mo.

4. Способ формирования субмикронной электродной системы по пп.1-3, отличающийся тем, что токоведущую часть электродной системы выполняют в виде многослойной пленки V-Au или TI-TIN-Au или Ti-Pt-Au.