Способ выращивания растений в условиях защищенного грунта

Способ выращивания растений в условиях защищенного грунта

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Область применения: сельское хозяйство , в частности овощеводства защищенного грунта. Сущность изобретения: выращивание растений осуществляют, используя их облучение энергией с длиной волны 7200- 8700 нм. Обработку проводят путем установки источников излучения около растений на уровне соцветий, в ночное время и при снижении солнечной радиации ниже 100 Вт/м , 2 табл.

союз советских

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (sl)s А 01 G 31/00

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ а- 4

g I,.

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4858756/13 (22) 13.08,90 (46) 15,12.92. Бюл. N 46 (71) Опытное проектно-конструкторское технологическое бюро по механизации овощеводства (72) M.Н.Вульф, В,М.Гарбуз, B È.Ãàëèöêèé и Ю.Д.Олейников (56) Авторское свидетельство СССР

N 1119632, кл. А 01 G 9/16, 1987. (54) СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ РАСТЕНИЙ

В УСЛОВИЯХ ЗАЩИЩЕННОГО ГРУНТА

Изобретение относится к сельскому хозяйству, а именно к способам выращивания растений в условиях защищенного грунта, и может быть использовано для выращивания растений способами гидропоники, аэропоники или агрегатопоники.

Известен способ выращивания растений, включающий облучение растений источниками света, расположенными над растениями, при этом регистрируют температуру верхнего уровня листовой поверхности и сравнивают ее с заданной, а источники света перемещают в вертикальной плоскости по результатам этого сравнения.

Недостатком известного способа является снижение урожайности из-за спадания соцветий вследствие недоиспорениях с них влаги.

Целью изобретения является повышение урожайности.

Указанная цель достигается тем, что в способе выращивания растений в условиях защищенного грунта, включающем облучение растений в процессе их культивирования осуществляют облучение энергией с,, Ы„„1780654 А1 (57) Область применения: сельское хозяйство, в частности овощеводства защищенного грунта, Сущность изобретения: выращивание растений осуществляют, используя их облучение энергией с длиной волны 7200-.

8700 нм, Обработку проводят путем установки источников излучения около растений на уровне соцветий, в ночное время и при снижении солнечной радиаций ниже 100

Вт/м, 2 табл. длиной волны 7200-8700 нм в йочное время и при снижении солнечной радиации ниже

100 вт/м в период от бутонизацийдо ббразования завязей, п) и этом источник излучения располагают у растений на уровне соцветий.

Способ осуществляют следующим образом, B теплице поддерживают температуру ,20-25 С. Между рядами растений устанавливают низкотемпературные ИК-излучатели. При этом излучатели располагают ниже уровня верхней листовой поверхности на уровне (или чуть ниже) соцветий, обеспечивая их максимальную облученность, Излучатели устанавливают. с возможностью их перемещения в вертикальном направлении соответственно росту растений и поворотов.

При появлении бутонов включают ИКиэлучители. Включение проводят в ночное время и при солнечной радиации ниже 100

Вт/м2. Облучение ведут до массовой завязи

1780654

Таблица 1

Таблица 2

Составитель С. Куваева

Редактор Т. Полионова Техред M.Ìîðãåíòàë Корректор Н, Милюкова

Заказ 4224 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Пройзводственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 плодов. Экспериментальные данные приведены в табл. 1 и 2.

Облучение в период развития листьев (до бутонообраэования) или в период развития и созревания плодов не оказывает существенного влияния на урожайность, но ведет к дополнительным энергозатратам, Поэтому облучение в эти периоды не целесообразно.

Расположение излучателя над растением ведет к тому, что бутоны (цветы), располагающиеся под листьями, слабо обогреваются, что снижает урожайность, 1

Формула изобретения

Способ выращивания растений в условиях защищенного грунта включающий облучение растений в процессе их

5 культивирования, отличающийся тем, что, с целью повышения урожайности, облучение осуществляют энергией с длиной волны 7200-8700 нм в ночное время и при снижении солнечной радиации ниже 100

10 вт/м в период от бутонизациидо образования завязей, при этом источники излучения располагают у растений на уровне соцветий.