Способ изготовления имплазионного полупроводникового прибора

Способ изготовления имплазионного полупроводникового прибора

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Назначение: технология полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: стеклянный корпус прибора отжигают в атмосфере водорода при температуре 520°С в течение 10-15 мин. 2 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

5U(, 1 781731 А1 "-! "-* -"- : (я)з Н 01 L 21/50

ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ

ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) - * ". 4„ч(, „, ;, 4ь",. Я

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ "" !" - -л ииы: MR@ Tp @

К ABTOPCKOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

1 (21) 4867100/21 (22) 23;07.90 (46) 15.12.92. Бюл. ¹ 46 (7,1) Особое конструкторское бюро при Ташкентском заводе электронной техники им.

В.И.Ленина (72) Г.С.Полков" и М.З,Юсупова (56) Технйческие условия на прибор КД 220 аАО.339.076.ТУ

\ г с

О» аО

Изобретейие относится к полупроводнйковому приборостроению, а именно ктех- нологии изготовления полупроводниковых имплазионных диодов и столбов, и может . быть использовано в электронной промыш ленности;

Известен .способ изготовления полупроводниковых имплазионных диодов типа

DSR 5500, изготовленных фирмой TRW,, США.

Прототипом является отечественный имплазионный диод типа КД220.

В качестве корпуса в этих диодах ис пользуется прозрачная стеклянная трубка, сплавленная с элементами конструкции, Корпуса таких диодов для защиты выпрямительного элемента от проникающего света, окрашиваются светонепроницаемыми лакокрасочными покрытиями.

Недостатками такого способа изготов. ления приборов являются повышенная трудоемкость, материалоемкость, а также экологическая опасность, Целью изобретения является снижение . материалоемкости и повышения экологической безопасности.

2 (54) СПОСОБ M3COTOBJlEHMSI VIIVICIJIA3MОННОГО ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИ-

БОРА (57) Назначение: технология полупроводни- . ковых приборов, Сущность изобретения: стеклянный корпус прйбора отжигают в атмосфере водорода при температуре 520 С в течение 10-15 мин. 2 ил.

Поставленная цель достигается тем, что в известном способе изготовления имплазионного прибора, включающем в себя имплазионную сборку приборов B стеклокапиллярном корпусе, корпус прибора после сборки подвергается отжигу в водороде при температуре 520 С с последующим охлаждением со скоростью

5 С/мин.

В процессе отжига поверхностная часть стеклянного корпуса теряет прозрачность и, тем самым; полностью защищает светочувствительньгй полупроводниковый кристалл от воздействия окружающего освещения. без этого защитного слоя прибор эксплуатироваться не может.

Выбор температуры отжига обосновывается снизу — реактивностью пары водород-стекло и сверху — необходимостью сохранения стекла в твердом состоянии, и свойств элементов конструкции и полупроводникового кристалла, Время отжига и скорость охлаждения приборов определяются необходимостью сохранения аморфных свойств стекла. При их увеличении в стекле наблюдаются кри1781731 сталлизационные процессы и возникают . механические напряжения на границе стекло-кристалл. Уменьшение скорости охлаждения нецелесообразно по экономическим соображениям, так как это приведет к снижению производительности оборудования.

Процесс изготовления диода по предлагаемому способу включает в себя следующие этапы.

Известными способами изготавливают имплазионные диоды в стеклокапиллярном прозрачном корпусе. Затем диоды помещают на кварцевые или графитовые подставки, Загружают в водородную печь и отжигают в потоке водорода с расходом (90 10) л/час при температуре (530 +10) С в течение (1015) мин с последующим охлаждением со скоростью не более 5 С/мин, После отжига поверхность стеклянного корпуса приобретает черный цвет и полностью теряет прозрачность. В "результате- отпадает необходимость в окрашивании диодов лакокрасочными материалами.

На фиг.1 показан общий вид диода, изготовленного по предлагаемому способу.

Прибор содержит арматуру 1 с выпрямительным элементом 2 и стеклянный корпус 3 с непрозрачным слоем 4.

Предлагаемый способ может быть использован также при изготовлении высоковольтных имплазионных выпрямительных столбов, если вместо одного применить множ GTBo, предварительно соединенных вы прямительных элементов (фиг.2).

Высоковольтный столб, содержащий аналогично диоду арматуру 1 с выпрямительными элементами 2. соединенными с помощью прокладок 3, также имеет стеклянный корпус 4 с непрозрачным слоем 5.

Изобретение может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов в корпусе из оплавленного стеклопорошка.

Формула изобретения

Способ изготовления имплазионного полупроводникового прибора, включающий сборку прибора в стеклокапиллярном корпусе и придание корпусу светонепроницае35 мости, о т л И ч а ю шийся тем, что, с целью снижения материалоемкости и повышения экологической безопасности, придание корпусу светонепроницаемости осуществляют отжигом корпуса в водороде при температу40 ре, превышающей 520 С, в течение 10-15 мин и охлаждением корпуса со скоростью 5 град/мин.

Из описания процесса изготовления светонепроницаемых имплаэиснных при- боров по предлагаемому способу видно, что он в сравнении с прототипом менее трудо5 емок за счет отсутствия операции окрашивания. Кроме этого, в связи с тем, что нет необходимости в использовании окрашивающих эмалей, снижается материалоемкость изготовления приборов.

10 Третьим преимуществом предлагаемого способа изготовления приборов является

его экологическая безопасность эа счет того, что отпадает необходимость в применении лакокрасочных материалов, 15 разбавителей и растворителей красок, пары которых представляют опасность для окружающей среды.

Реализация предлагаемого изобретения позволит сократить трудоемкость, сни20 зить материалоемкость при изготовлении имплазионных диодов и столбов различных типов и классов.

Изобретение обеспечивает изготовление приборов по экологически чистой техно25 логии.

Ожидаемая экономическая эффективность от внедрения изобретения — не менее

100 тыс. руб. в год, 1781731

Составитель Г.Полков

Техред M.Моргентал Корректор M.Äåì÷èK

Редактор Т,Иванова

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул. Г эгарина, 101

Заказ 4277 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Рэушская наб„4/5