Устройство для токовой защиты источника вторичного электропитания постоянного тока

Устройство для токовой защиты источника вторичного электропитания постоянного тока

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

.Использование: для защиты стабилизаторов и преобразователей напряжения от перегрузки по току. Сущность изобретения: устр-во содержит датчик тока, включенный в одну из выходных шин, защитный транзистор , цепь блокировки управляющего органа источника электропитания, делитель напряжения , полупроводниковый переход одной проводимости с переходом база-эмиттер защитного транзистора, и узел прямого смещения. Эмиттер защитного тра Нзистора соединен с одним из выводов датчика тока. Напряжение Un - полупроводникового перехода и 11бэз база-эмиттер защитного транзистора относятся как Un ибэз. При этом значительно уменьшается ток к.з. Для повышения стабильности порога срабатывания защиты при изменении температуры в устр-во может быть введен дополнительный делитель напряжения, подключаемый параллельно полупроводниковому переходу. При этом напряжения ид на одном из плеч дополнительного делителя и Убэз относятся как 1)д 11бэз. 1 з п. ф-лы, 6 ил. Ё

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

ГОСУДАР СТВЕ ННОЕ ПАТЕНТНОЕ

ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ рЛ .- ЛИОТАР

1 (21) 4877704/07; 4880786/07 (22) 01.10.90 (46) 23,12.92, Бюл. N 47 (75) В.И.Колбин (56) С.Д.Додик. Полупроводниковые стабилизаторы постоянного напряжения и тока, М., "Сов. радио", 1980, с, 265-271.

Авторское свидетельство СССР

N. 1707610, кл. G 05 F 1/573, 1990. (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ТОКОВОЙ ЗАЩИТЫ ИСТОЧНИКА ВТОРИЧНОГО ЭЛЕКТРОПИТАНИЯ ПОСТОЯННОГО ТОКА (57).Использование: для защиты стабилизаторов и преобразователей напряжения от перегрузки по току. Сущность изобретения: устр-во содержит датчик тока, включенный в одну из выходных шин, защитный транзистор, цепь блокировки управляющего оргаИзобретение относится к области электротехники и может быть использовано для защиты стабилизаторов и преобразователей напряжения постоянного тока от перегрузки по току.

Известны линейные стабилизаторы напряжения постоянного тока с устройствами защиты от перегрузок по току, Недостаток этих схем заключается в большом дрейфе порога срабатывания защиты при изменении температуры окружающей среды.

В схеме, приведенной в работе, например, рис. 10.5.е, сравниваются падение напряжения на резисторе дополнительного делителя напряжения, подключенного параллельно переходу база-змиттер регулирующего транзистора и датчике тока; с

„„5Q„„1783503 Al на источника электропитания, делитель напряжения, полупроводниковый переход одной проводимости с переходом база — эмиттер защитного транзистора, и узел прямого смещения. Эмиттер защитного транзистора соединен с одним из выводов датчика тока. Напряжение U> полупроводникового перехода и Ue» база — эмиттер защйтного транзистора относятся как Ол< 0бээ. При этом значительно уменьшается ток к.з. Для повышения стабильности порога срабатывания защиты при изменейии температуры в устр-во может быть введен дополнительный делитель напряжения, подключаемый параллельно полупроводниковому переходу. При этом напряжения Од на одном из плеч дополнительного

ДелитЕлЯ и ОБээ относитСЯ как Од< ОБээ 1 з.и. ф-лы, 6 ил. одной стороны, с падением напряжения на резисторе основного делителя напряжения, подключенного к промежуточному выводу дополнительного делителя напряжения, и переходе база — эмиттер защитного-транзистора, с другой стороны.

Недостаток этой схемы заключается в следующем.

Напряжение на резисторах первого делителя напряжения, подключенного параллельно переходу база — эмиттер регулирующего транзистора, изменяется в соответствии с дрейфом напряжения этого .перехода.

При стабильных резисторах датчика тока и делителей напряжения стабильность порога срабатывания защиты при изменении температуры окружающей среды зави1783503 кзсит от температурного дрейфа переходов защиты источника вторичного электропитабаза-эмиттер регулирующего и защитного ния постоянного тока, содержащем датчик транзисторов. Так как в качестве регулиру- тока; включенный в одну из выходных шин ющего и защитного транзисторов использу- для подключения источника электропитаются, как правило, транзисторы, разные по 5 ния, защитный транзйстор, коллектор кототипу и по мощности, то. из-за разного тем- рого соединен с цепью блокировки пературного дрейфа переходов база-эмит- управляющего органа йсточника электропитер этих транзисторов, порог срабатывайия тания, делитель напряжения, первый крайзащьитыприперегрузкепотокузначительно ний вывод которого соединен c другой меняется при изменении температуры окру- 10 выходной шиной для подключения источни- . жающей среды.::;::.-.:-: - - - -:---.: . ка электропйтания; а промежуточный вывод

Наиболее близким прототйпом в срав- — к базе защитного "транзиситора, йолупронемнии с предлагаемым устройством являет- -водниковый переход, однойменный по прося устройство для токовой защиты, водимости с переходом база-эмиттер описанное в заявке % 4777748/07 (002081) 15 защитноготранзистора, иузел прямогосмеот 04 января 1990 r. (21..., ".::-." .. щения, включеннйй последователрьйо с по-Недостаток в указанном в заявке уст- лупроводниковймпереходом,причемточка ройстве для токовой защиты источника вто- соединения узла прямого смещенигя с полу- . ричного электроплигтанйя постоянного тока проводниковым переходом. подключена, ко заключается в зависсймости токая"кморотктого 20 второму крайнему выводу делителя напря- .. замыканиЯ "источника от напРЯжениЯ Узла жЕнийн а свободный вЫгвод полУпРповодиикообратното смещения. Ток I кз кбрбткого за- . — - .ваго перехода подключен к первому выводу мыкания йсточнйка питания, в котоьротм при-" датчика тока, эмиттер защитного транзисто-.: менено устройство для токовой защиты, ра соединен со вторым выводом датчика описанное в заявке М 4777748/07 (002081), 25 тока, а напряжение 0 полупроводникового с достаточной точйостью определяется фор- перехода по отноилшгеьйию к напряжению Upped мулой (а): . перехода база- эмиттер защитного транзи, стора связано соотношением Оп< Us> .

+ у.;„U: . . Повышение: надежности предлагаемого — и 30 устройства путем повышения стабильности д порога срабатывания защиты при измене-. нии температуры окружающей средй достй+ см (a) гаеттся тем чсто в предлагаьемое устройсгтво введен дополнительный делитель напряже35 ния, включенный параллельно полупроводгде 0бэз — напряжение перехода база-эмит- никовому переходу, причем. второй крайний. теР защитного транзистора; - . вывод основного делителя найряжения подU си — напРЯжение Узла обРатного сме- ключен к точке соединения узла прямого . щения смещения с поглупроводниковым переходом

0о . напРЯжение пОлупроводникового через одно из плеч дополнительного дели40

Р хода: . -: :: телЯ напРЯжениЯ, напРЯ>кение Од на втоРом

Rä — сопротивление датчика тока: - плече котолрого связано с напряжением цбзэ

"Р" веден.".ои формул (a) видно перехода база-эмиттер защитного транзичто зависимость тока коротко о замыка- стоРа соотношением Уд< Цбэ . нийт источника питаний от напРЯжениЯ Уз- Ц сравнении с известным устройством л а обратного смещения определ е с защиты, в предлагаемом устройстве нет за45

Uо сМ висимости порога срабатывания защиты и

Rq . тока короткого замыкания от напряжения

Целью изобретения является повыше- узлаобратногосмещения. ние надежности источника вторичного элек- . Предлагаемое устройство обеспечивает тропитания постоянного тока путем токкороткогозамыканияменьшенавеличиуменьшения тока короткого замыкания и ць „, повышение надвиности предлагаемого ис- ну Гкз- ма в сравнании с извастным утем повыше" ия стабиильности по устройством защиты т

Pora cPa6aTb18aKMA защиты пРи изменении 55 3а счет уменьшения тока короткого за-. пературы окружающей среды — мыкания надежность источника вторичного

Повышение надежности источника вто- электропйтания постоянног0 тока с предлоричного электропитания пос оян о о тока женным устройством для токовой защиты путем уменьшения тока короткого замыкания достигается тем, что в устройстве для

Обээ — Un

1кз =

5 1783503 . 6 . Повышение стабильности порога сраба- стор 10, дроссель 11, диод 12 и конденсатор тывания защиты при изменении температу-: . 13. ры окружающей среды позволяет: " Преобразователь напряжейия постоянустановить ток перегрузки источника вто- . ного тока на фиг."6 содержит"датчик 1 тока, ричного электропитания постоянного уров- 5 защитный трайзистор 2, основной делитель ня на минимально необходимом уровне, что . йапряжения йа резисторах 3 и 4. дойолнитакже повышает надежность источника: .:. - тельный делитель йапряжения на реэистоИзобретение иллюстрируется-схемами, рах 5 и 6, полупроводниковый переход 7, приведенными на фиг. 1-6. ":::. "-::;:::: :: узел 8 прямого смещенйя и управляющий

На фиг. 1-6 показано включение пред- 10 орган, включаащий в себя широтно-импульлагаемого устройСтва в линейном стабияи- :.сный модулятор 9; конденсаторы 10 и 11, .. заторе, в импульсном стабилизаторе и .: трансформатор.12,траизйсторы13,14.и выпреобразователе напряжения..:::.::; :, .лрямитель 15. Линейный стабилизатор на фиг. 1. со-. -:,:. Схема на фиг, 1 работает следующим держит датчик 1 тока, защитный транзистор 15 образом.

2, делитель напряжения на "резисторах 3 и В схеме на фиг. 1 сравниваются суммы

4, полупроводниковый переход 5, узел 6 найряжений на полупрОводниковом перехо. прямого смещения и управляющий орган, де5и датчике 1тока,с одной стороны, и на включающий в себя схему 7 сравнения и - - резисторе 3 и переходе база-эмиттер зарегулирующий элемент йа транзисторе 8. 20 щитного транзистора 2; с другой стороны.

Импульсный стабилизатор на фйг, 2 со- При отсутствии. перегрузки по току и при держитдатчик1тока,защитныйтранзистор выполнении соотновения U>< Ua» защит- 2, делитель напряжения на резисторах 3 и ный транзистор 2 закрыт и не влияет на

4, полупроводниковый переход 5; узел 6 работу стабилизатора.

- прямого смещения и управляющий орган; 25 —: При увеличении тока. нагрузки выше завключающий в себя широтно-импульсйый: данного значения увелйчивается падение модулятор7,транзистор 8,дроссель9,диод - напряжения на датчике "1 тока, через рези10и конденсатор11. стор 3 на базу защитного транзистора 2

Преобразователь напряжения на фиг. 3 Нодается открывающий потенциал, защитсодержит датчик 1 тока, защитный транзи- 30 ный транзйстор2 открываетоя, шунтируется стор 2; делитель напряжения на-резисторах переход база-эмиттер транзистора 8, тран3 и 4, полупроводниковый переход S, узел 6 зистор 8 начинает закрываться, уменьшаютпрямого смещения, и управляющйй орган, сявыходноенапряжениеОнизакрывающий включающий в себя широтно-импульсный потенциал, подаваемый через резистор 4 на модулятор 7, конденсаторы 8, 9, трансфор- 35 базу транзистора 2, транзистор 2 удерживаматор 10, трайзисторы 11, 12 и выпрямитель- ется в открытом состоянии при небольшом

13; ., ..:: : токе нагрузки на выходе стабилизатора.

Линейный стабилизатор на фйг. 4 co- . Ток управления ty>p, подаваемый отсхе- держит датчик 1 тока, защитный трайзистор мы 7 сравнения на регулирующий транзи2, основной делитель напряжения на рези- - 40 стор 8, обычно имеет незначительную сторах 3 и 4 дополнительный делитель на- величину, коллекторный ток защитного пряжейия на резисторах 5 и 6, транзистора 2 также мал. Гок управления, полупроводйиковый переход 7, узел 8 пря- подаваемйй в.базу защйтного транзистора мого Смещения, и управляющий орган,: : 2; еще на порядок мейьше коллекторного включающий в себя схему 9 сравнейия и 45 тока защитного транзистора 2. 3а счет марегулирующйй элемент на транзйсторе 10; лого тока; протекаящего через резистор 3, В качестве полупроводникового перехода 7 .: падение -напряжейия-на этом резисторе 3 используйся переход база — эмиттер тран -.::...,:примерйо на порядок меньШе напряжений зистора, одйотипного с защитным транэй- :,. база-эмиттер защитного транзистора 2. постором 2. : - : - : — "-" - - 50 этому в расчете "величины тока короткого

- Импульсный стабилизатор напряжения замыкания падение напряжения на резипостоянного тока на фиг. 5 содержит датчик : стОре 3 можно не учитывать.

1 тока, защитный транзистор 2, основной С учетом этого, ток из короткого замыделитель напряжения на резисторах 3 и 4, -: кения всхеме фиг.1определяется формулой дополнительный делитель напряжения на (б): резисторах 5 и 6, полупроводниковый переход 7, узел 8 прямого смещения и управля- .. б1 ющий орган, включающий в себя широтно-импульсный модулятор 9; трайзи1783503

7 8

ПривыполнейиисоотношенияUn<Оьипри напряжения на датчике 1 тока, защитный отсутствии перегрузки на выходе стабили- транзистор 2 открывается, сигнал с транзи-. затора защитный транзистор 2 закрыт, тем стора 2 подается на широтно-импульсный самым обеспечивается выход стабилизато- модулятор 7, уменьшается Ширина импуль-. . ра в режим стабилиэацйи при включении 5 .сов, подаваемых с широтно-импульсного стабилизатора. При выполнении этого же модулятора7натранзисторы11и12,умень-, соотношения обеспечивается возврат ста- шается выходное напряжение Un и закрывабилизатора в режим стабилизации.напря- ющий потенциал, подаваемый через жения при снятий перегрузки по току.,.: резистор 4 на базу защитного транзистора

Схема на фиг. 2 работает следующим 10 2, транзистор 2 удерживается в открытомобразом.::;:,:,: -.::.:: .: :,:-: -:, . состоянии; широтно-имйульсный модулятор

В схеме на фиг, 2, так же. как и в схеме . 7 вырабатывает управля1ощие импульсы мийа фиг, 1 сравниваютСя падейие напряже- . нимальной длительности, уменьшаются ток ния на полупроводниковом переходе 5 и: .нагрузки и мощность рассейвания на и реобдатчике 1 тока, с одной стороны, и резисто- 15 разователе напряжения . При снятии пере-, ре 3 и переходе база-эмиттер защитного: грузкипотокутранзистор2 закрывается, не транзйстора 2, с другой стороны. При вы- влияет на работу широтйо-импульсного мополнении соотношения Оп< 05sg и:отсутст- дулятора 7, преобразователь возвращается вии " перегрузки при включении в режим стабилизации найряжения, ." стабилизатора защитный транзистор 2 за- 20 - Ток короткого замыкания в схеме на: крыт и не влияет на работу. стабилизатора; фиг. 3 определяется формулой (б). йри этом стабилизатор входит в режим. ста- Схема на фиг. 4 работает следующим билизации напряжения.. :..::; образом. . =:., При увеличении тока нагрузки выше за-... В схеме на фиг. 4 сравниваются суммы данного значения увеличивается падение 25 паДений. напряжений Ua на резисторе 6 и UI напряжения на датчике 1 тока, защитный датчике 1 тока, .с одной стороны, и 03 на транзистор 2 открывается, сигнал с транзи-: резисторе 3 и Us a переходе база-эмиттер .. стора 2 подается на широтно-импульсный эащитноготранзистора2,сдругойстороны." модулятор 7, уменьшается ширина импуль- Для исключения большого влияйия тока 1 д сов, подаваемых на транзистор 8. умень- 30 основного делителя напряЖения на падешатся выходное напряжение Un и ние напряжения на резисторах 5 и 6 дополэакрьвающий потенциал, подаваемый че- нительного напряжения при измЕнении

:реэ резистор 4 на базу транзистора 2, тран- выходного нап ряжения Uн стабилизаторазистор 2 удерживается в открытом тока 1дд дополнительного делителя напря- состоянии, широтно-импульсный модуля- 35 жения необходимо выбрать примерно. на тор 7 вырабатывает управляющие импульсы порядок больше тока Iop, Беэ учета падения минимальной длительности, уменьшается напряжения Оз на резисторе 3, которое в ток нагрузки, уменьшается мощность рассе-: момейт включения стабилизатора мало, для ивайия на транзисторе 8. При снятйи-пере- обеспечения закрытого состоянйя транзигрузки по току транзистора 2 закрйвается, 40 стора 3 падение напряжения 06на резистоне влияет на работу широтно-импульсного ре 6 должно быть меньше йапряйения Обээ модулятора 7, стабилизатор возвращается в база-эмиттер, при котором транзистор 2 отрежим стабилизации напряжения. -..крывается. Если в качестве полупроводни Ток короткого замыкания в схеме на кового перехода 7 используется открытый фиг,2 также определяется формулой(б) 45 переход база-эмиттер транзистора, одноСхема на фиг. 3 работает аналогично .типного с защитным транзистором 2, то, в схеме на фиг. 2..:::. :::,,,.;.„. соответствии с входными характеристиками

Сравниваются суммы напряженйй на транзистора, напряжение Un на таком отполупроводниковомпереходе5идатчике1 крытом полупроводниковом переходе 7 тока, с одной стороны, и резисторе 3 и пе- 5 всегда больше напряжения Обэз, npvt котореходебаза-эмиттерзащитноготранзисто- ром защйтный транзистор. 2 открывается.

50 ра 2, с другой стороны, При выполнении Достижейие соотношения 0в< Ossa, при косоотношениЯ Un < Оьз и отсУтСтвии пеРе- тоРом тРанзистоР2 закРыт. обеспечиваетсЯ грузки на выходе преобразователя защит- делением напряжения Un с помощью резиный-транзистор 2 закрыт и не влияет на сторов5и6. работу преобразователя напряжения, при При выполнении соотношения 06< Обэ3

55 этом преобразователь входит в режим ста- "в момент включения стабилизатора защитбилизации напряжения. - ный транзистор 2 закрыт, не влияет на рабоПри увеличении тока нагрузки выше за- ту стабилизатора, и стабилизатор входит в данного значенйя увеличивается падение режим стабилизации напряжения.

1783503

10 бэз 06 кз = д (в) Выбирая падение напряжения Ug на резисторе 6 близким к напряжению 0ьэз можно получить ток короткого замыкания близким к нулевому значению, При снятии перегрузки по току уменьшается падение напряжения на датчике 1 тока, транзистор 2 закрывается, и стабилизатор напряжения возвращается в режим стабилизации напряжения, Схема на фиг. 5 работает следующим образом.

Элементы делителей напря>кения на резисторах 3...6 выбираются из тех же соотношений, которые описаны для схемы фиг. 4.

В схеме на фиг. 5, так же. как и в схеме на фиг, 4, сравниваются падения напряжений на резисторе 6 и датчике 1 тока, с одной стороны, и резисторе 3 и переходе базаэмиттер защитного транзистора 2; с другой стороны, При выполнении соотношения 06< Ua» в момент подачи напряжения U < на вход стабилизатора транзистор 2 закрыт и не влияет на режим работы стабилизатора. при этом стабилизатор входит в режим стабилизации напря>кения.

При увеличении напряжения на выходе стабилизатора через резистор 4 на базу транзистора 2 подается дополнительный запирающий потенциал, транзистор 2 остается закрытым и не влияет на работу стабилизатора при работе последнего в режиме стабилизации напряжейия.

При увеличении тока нагрузки выше заданного значения увеличивается падение напряжения на датчике 1 тока, через резистор 3 на базу транзистора 2 подается открывающий потенциал, защитный транзистор 2 открывается, часть тока 1упр от схемы управления 9 протекает через открытый транзистор 2, уменьшается ток 1улр управления, поступающий в базу транзистора

10, транзистор 10 закрывается, уменьшается выходное напряжение стабилизатора, уменьшается закрывающий потенциал, подаваемый через резисторы 4 на базу транзистора 2, транзистор 2 удерживается в открытом состоянии, в стабилизаторе устанавливается такой ток нагрузки, при котором выдерживается соотноше. ние Ut+ Ul=- 0з+ 0 эз.. В режиме короткого замыкания, когда напряжение на выходе стабилизатора равно нулю, падение напряжения 0э на резисторе 3 мало, и ток из короткого замыкания с достаточной точностью можно определить по формуле (в):

При увеличении тока нагрузки выше заданного значения увеличивается падение напряжения на датчике 1 тока, через резистор 3 на базу транзистора 2 подается от5 крывающий потенциал, транзистор 2 открывается, сигнал с транзистора 2 подается на широтно-импульсный модулятор 9, уменьшается ширина импульсОв, подавае- . мых на транзистор 10, уменьшаются выход10 ное напряжение U и звкрывающий потенциал подаваемый через резистор 4 на базу транзистора 2, транзистор 2 удерживается в открытом состоянии, широтно-импульсный модулятор 9 вырабатЫвает

15 импульсы минимальной длительности, уменьшаются ток нагрузки и мощность рассеивания на транзисторе 10, Ток короткого замыкания в импульсном стабилизаторе на фиг. 5 определяется также формулой (в); По20 сле снятия перегрузки по токууменьшается падение напряжения на датчике 1 тока, транзистор 2 закрывается, увеличивается, ширина импульсов, подаваемых от широт- но-импульсного модулятора 9 на транзи25 стор 10, стабилизатор возвращается в режим стабилизации напряжения, Схема на фиг. 6 работает следующим образом, Элементы делителей напряжения . на резисторах 3...6 выбираются иэ соотношений, описанных для схемы фиг. 4. В схеме на фиг, 6, так же, как в схемах на фиг. 4 и 5; сравниваются падения напряжений на резисторе 6 и датчике 1 тока, с одной стороны, и резисторе 3. и переходе база-эмиттер

35 транзистора 2; с другой стороны, При выполнении соотношения Ов < 0ьэз в момент подачи напряжения U<> на преобразователь . транзистор 2 закрыт и не влияет на работу преобразователя напряжения, при этом

4О преобразователь напряжения входит в режим стабилизации напряжения.

При увеличении тока нагрузки выше за данного значения увеличивается падение напряжения на датчике 1 тока, на баэутранзистора 2 подается открывающий потенциал, транзистор 2 открывается, сигнал с транзистора 2 подается на широтно-импульсный 9, уменьшается ширина импульсов, подаваемых с широтно-импульсного

50 модулятора 9 на транзисторы 13 и 14, уменьшаются выходное напряжение U< и закры вающий потенциал. подаваемый через резистор 4 на базу транзистора 2, транзистор 2 удерживается в открытом состоянии, широтно-мпульсный модулятор 9 вырабатывает импульсы минимальной длительности, уменьшаются ток нагрузки и мощность, рассеиваемая на транзисторах 13 и 14. Ток i< . .короткого замыкания в преобразователе на фиг. 6 определяется формулой (в), После

1783503 снятия перегрузки по току уменьшается падение напряжения на датчике 1 тока, транзистор 2 закрывается, увеличивается ширина импульсов, подаваемых от широтно-импульсного модулятора 9 на транзисто- 5 ры 13 и 14, преобразователь напряжения возвращается в режим стабилизации напря>кения, При вь1боре полупроводникового перехода 7 с температурным дрейфом, аналогич- 10 ным дрейфу перехода база-эмиттер защитного транзистора 2, что легче достигается при использовании в качестве полупроводникового перехода 7 перехода база-эмиттер транзистора, однотипного с защитным транзистором 2, обеспечивается порогсрабатывания защиты, более стабильный при изменении температуры окру>кающей среды в сравнении со схемами, приведенными на фиг. 1, 2, 3, Формула изобретения

1. Устройство для токовой защиты источника вторичного электропитания постоянного тока, содержащее да ик тока, включенный в одну из выходных шин для подключения источника электропитания, защитный транзистор, коллектор которого соединен с цепью блокировки управляющесо органа источника электропитания, дели- 30 тель напряжения, первый крайний вывод которого соединен с другой выходной шиной для подключения источника электропитания, а проме>куточный вывод -- к базе защитного транзистора, полупроводнико- 5

6 5 вый переход, одноименный по проводимости сперех,одом база-эмиттер защитного транзистора, и узел прямого смещения, включенный последовательно с полупроводниковым переходом, причем точка соединения узла прямого смещения с полупроводниковым переходом подключены к второму крайнему выводу делителя напряжения, а свободный вывод полупроводникового перехода подключен к первому выводу датчика тока, о т л и ч а «о щ е е с я тем, что, с целью повышения надежности путем уменьшения тока короткого замыл<ания, эмиттер защитного транзистора соединен с вторым выводом датчика тока, а напряжение U> полупроводникового перехода по QTHQLU 3Hèþ к напряжению 13бэз перехода база-эмиттер защитного транзистора связано соотношением Un< Uo;>, 2. Устройство по и, 1, о т л и ч а ю щ е ес я тем, что, с целью повышения надежности путем повышения стабильности порога срабатывания защиты при изменении температуры окружающей среды, в него введен дополнительный делитель напря>кения, включенный параллельно полупроводниковому переходу, причем второй крайний вывод основного делителя напряжения подключен к точке соединения узла прямого смещения с полупроводниковым переходом через одно из плеч дополнительного делителя напряжения, напряжение Од на втором плече которого связано с напряжением 13ьз перехода база-эмиттер защитного транзистора соотношением 0д< Uaэз.

"1783503

1783503

1783503

Составитель В,Колбин

Редактор. T.Иванова:. Техред М.Моргентал Корректс М.Ткач

Заказ 4516 Тираж .. Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушскэя Ha0„4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагаринэ, 101