Магнитооптический носитель информации
Иллюстрации
Показать всеРеферат
Использование: в области накопления информации, в частности при термомагнитооптической записи и хранении информации . Сущность изобретения: носитель содержит прозрачную основу и последовательно нанесенные на нее адгезионный слой и магнитооптическую пленку толщиной 100 нм с одноосной анизотропией, перпендикулярной ее поверхности, выполненную из соединения оксида железа, оксида кобальта , оксида висмута и оксида индия при следующем соотношении компонентов, мае. %: оксид железа 46,15-46,21; оксид Кобальта 27,02-27,08; оксид висмута 16,72- 16,80; оксид индия 9,99-10,05. 2 табл., 3 ил.
COIO3 СОВЕТСКИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИК (51)5 G 11 В 13/04
ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ
ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
47 Ег!146
- к (21) 4930749/10 (22) 24,04.91 (46) 07.02.93, Бюл. М 5 . (71) Научно-исследовательский технологический институт функциональной микроэлектроники (72) П.Н. Богатов; А,П. Гресько, О,Е. Красов, О.O. Коновалов и О.Н, Малышев (56) Балбашов А.M. и др. Магнитные матери- . алы для микроэлектроники, М.: 1979, с. 132—
133, Патент США N- 4467383, кл. G 01 В
13/04, 1983. (54) МАГНИТООПТИЧЕСКИЙ НОСИТЕЛЬ
ИНФОРМАЦИИ
Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для создания запоминающих устройств с повышенной информационной емкостью.
Известен ряд магнитооптических материалов на основе MnBi для термомагнитооптической записи. Недостатками этих материалов являются низкая магнитооптическая добротность, затрудняющая процесс считывания информации, и метастабильность, вызванная фазовым превращением низкотемпературной фазы в высокотемпературную фазу.
Известен также магнитооптический носитель информации на основе аморфного материала состава GdDyFe, нанесенного на стеклянную подложку в виде тонкой пленки толщиной 100 нм способом катодного распыления, Недостатком этого носителя информации является низкая стабильность магнитных свойств используемого в нем ма.... Ж„, 1793466 А1 (57) Использование: в области накопления информации, в частности при термомагнитооптической записи и хранении информации. Сущность изобретения: носитель содержит прозрачную основу и последовательно нанесенные на нее адгезионный слой и магнитооптическую пленку толщиной
100 нм с одноосной анизотропией, перпендикулярной ее поверхности, выполненную из соединения оксида железа, оксида кобальта, оксида висмута и оксида индия при следующем соотношении компонентов, мас. %: оксид железа 46,15-46,21; оксид кобальта 27,02 — 27,08; оксид висмута 16,7216,80; оксид индия 9,99 — 10,05. 2 табл., 3 ип, териала, связанная с процессами старения в аморфных пленках составов редкая земля — переходной металл, которые обусловлены высокой подверженностью гадолиния к окислению и метастабильностью атомного расположения, допускающей возможность атомной перестройки. Ухудшение свойств происходит сначала за счет уменьшения константы анизотропии неокисленного слоя, которое связано со структурной релаксацией, а затем за счет расширения окисленной зоны, которая имеет очень низкую константу анизотропии, В основу изобретения положена задача выполнения магнитооптической пленки носителя йнформации из такого соединения оксидов и с таким соотношением компонен.тов, чтобы было обеспечено повышение надежности и стабильности носителя к процессам окисления и старения при термомагнитной записи и хранении информации.
1793466
Поставленная задача решается тем, что в магнитооптическом носителе информации, содержащем прозрачную основу с последовательно нанесенными на нее адгезионным слоем и магнитооптической пленкой толщиной 100 нм с одноосной анизотропией, перпендикулярной поверхности пленки, согласно изобретению магнитооптическая пленка выполнена из соединения оксида железа, оксида кобальта, оксида висмута и оксида индия при следующем соотношении компонентов, мас. %:
Оксид железа 46,15 — 46,21
Оксид кобальта 27,02 — 27,08
Оксид висмута 16,72 — 16,80
Оксид индия 9,99-10,05
Преимущество предлагаемого носителя ийформации заключается в том, что магнитооптическая пленка из соединения оксидов металлов обладает как известными свойствами термомагнитооптической записи на аморфных материалах системы редкая земля — переходной металл, так и в отличие от данных материалов не подвержена процессам окисления и старения с изменением магнитооптических параметров. При этом одноосная аниэотропия достигается введением двухвалентного кобальта, обеспечение керровского вращения — введением трехвалентного висмута, а стабильность состава к возможности диффузии и окисления — введением трехвалентного индия, Присутствие оксидов йсключает окисление носителя. а процентное соотношение компонентов состава обеспечивает стабильность материала магнитооптической пленки.
На фиг. 1 показана структура магнитооптического носителя информации в виде диска; на фиг, 2 — зависимость намагниченности насыщения (4 л Ms) от температуры; на фиг. 3 — зависимость угла керровского вращения О к от температуры.
Магнитооптический носитель информации выполнен в виде диска. структура которого содержит прозрачную основу (подложку) 1, например, из стекла, адгеэионный слой 2 иэ кремния толщиной 35„,45 нм и магнитооптическую пленку 3 из соединения Со(В!Ре!п)г04 толщиной 100 нм с одноосной анизотропией, перпендикулярной поверхности пленки.
Способ изготовления магнитооптической пленки 3 для носителя информации включает изготовление мишени и осаждение пленки 3 на прозрачную основу 1 носителя информации способом
ВЧ-распыления. Способ изготовления мишени является стандартным и включает многократный обжиг. спекание соответствующих хомпонентов (чистотой 99,99%) и последующее прессование. Вхождение в состав мишени исходных компонентов в массовых процентах принято следующим:
5 Со 27,02...27,08;, В1гОз 16,72...16.80; РеОз
46,15„,46,21; !пгОз 9,99...10,05. Указанные окислы перемешивают сухим способом, добавляют пластификатор связи (1% поливинилового спирта) и затем смесь подвергают холодному прессованию при давлении (Р), равном 90 МПа, Затем заготовку подвергают предварительному спеканию в течение 2 ч при температуре 500...700 С, горячему прессованию при температуре (tnpecc)
1200 С с дальнейшей выдержкой в течение
3 ч при температуре 1пресс и постепенным снижением давления от 50 МПа до О. Размеры полученной керамической мишени составляют; диаметр 50 мм, толщина 10 мм, 20 Распыление материала пленки проводят на модернизированной установке УВН73-1,54М способом ВЧ-распыления. В качестве подложки поименяют стеклянную основу 1 с нанесенным на нее адгезионным слоем 2
25 из кремния толщиной 35...45 нм. Режим напыления магнитооптической пленки следующий; рабочий газ — 50%-ная смесь аргона с кислородом, давление газа 4 10 Па, -1 прикладываемое напряжение к основе, установленной в зоне потока напыляемых атомов, составляет от 0 до 200 В относительно корпуса камеры, прикладываемое к мишени электрическое напряжение составляет 1 кВ относительно корпуса камеры, скорость распыления материала равна 10 нм/мин.
Материал магнитооптической пленки имеет мелкокристаллическую структуру, Пример 1, Образец материала магнитооптической пленки носителя информа40 ции получают путем изготовления мишени и осаждения магнитооптической пленки на стеклянную подложку носителя информации способом ВЧ-распыления. Способ изготовления мишени является стандартным и
45 включает многократный отжиг, спекание соответствующих компонентов (чистотой
99,99%) и последующее прессование. Состав мишени принят следующим: смесь оксидов РегОз, !пгОз. СоО, В!гОз. Указанные
50 окислы перемешивают сухим способом, добавляют пластификатор связи (1% поливинилового спирта) и затем смесь подвергают холодному прессованию при давлении (P) 90
МПа. Затем заготовку подвергают предварительному спеканию в течение 2 ч при температуре 500...700 С, горячему прессованию при температуре (Inpecc)
1200 С с дальнейшей выдержкой в течение
3 ч при температуре пресс и постепенным снижением давления от 50 МПа до О, Разме1793466
15 (4 к Ms) — 1260 Гс, угол вращения Керра ( к) равен 0,52 град., поле одноосной анизот50
Оксид железа Оксид кобальта
46,15 — 46,21
27,02 — 27,08 ры полученной керамической мишени со. ставляют: диаметр 50 мм, толщина 10 мм.
Распыление материала пленки проводят на модернизированной установке УВН 751,5-4М способом ВЧ-распыления, В качестве подложки применяют стеклянную основу с нанесенным на нее адгеэионным слоем из кремния толщиной 44 нм. Режим напыления магнитооптической пленки следующий: рабочий газ — 50 -ная смесь аргона с кислородом, давление газа 4 10 Па, прикладываемое напряжение к основе, установленной в зоне потока напыляемых атомов, составляет от 0 до 200 В относительно корпуса камеры, прикладываемое к мишени электрическое напряжение составляет 1 кВ относительно корпуса камеры, скорость распыливания материала равна 10 нм/мин.
Структурный анализ материала пленки проводят на установке ДРОН-5, Результаты анализа показывают, что материал пленки имеет структуру шпинели, Материал магнитооптической пленки представляет собой мелкокристаллическую структуру и имеет следующий состав, мас.
Oj .
FezOa 46,15
СоО 27,02
Bi20g 16,72
Inz0g 9,99
Состав пленки измеряют методом полуколичественного оже-анализатора при энергии зонда Е, равной 3 кэВ. Магнитные характеристики полученного образца определяют следующим образом, Намагниченность насыщения (4 л Ms) и коэрцитивную силу (Нс) определяют по магнитооптической петле гистерезиса. поле одноосной анизотропии (Ho) — при помощи вибрационного магнитометра, диаметр ЦМД (d) определяют с помощью магнитооптического эффекта
Керра; температуру Кюри (Т,) — по изменению петли гистерезиса от температуры, угол вращения Keppa (О, ) — по эффекту
Керра. Точка Кюри (Тс) пленки равна 190 С, коэрцитивная сила (Н ) находится в пределах 0,8 — 1 кЭ, намагниченность насыщения
Формула изобретения
Магнитооптический носитель информации, содержащий прозрачную основу с последовательно нанесенными на нее адгеэионным и слоем и магнитооптической пленкой толщиной 100 нм с одноосной анизотропией, перпендикулярной поверхности пленки, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности и стабильно20
40 ропии (Н,) равно 2420 Э, коэффициент поглощения (а) для Л= 820 нм составляет
0,98 10 см, при этом диаметр (d) ЦМД равен 1,4 мкм.
Пример 2, Магнитооптический носитель информации получен по методике, описанной в примере 1, Образец имеет следующий состав, мас, %:
Fez Oa 46,21
Со0 27,08
В!20з 15,80 ! п20з 10,05
Показатели магнитных свойств образца определяют rro методике, приведенной в примере 1. Точка Кюри (Т,} пленки равна
210 С, коэрцитивная сила (Нс) находится в пределах 1„,1,5 кЭ, намагниченность насыщения (4к Ms) — 1380 Гс, угол вращения
Керра (О, ) равен 0,87 град., диаметр ЦМД (d) равен 1,1 мкм.
Пример ы 3 — 4 аналогичны примеру 1.
При этом в примере 3 приведен оптимальный состав пленки, мас, :
Ре20з 46,17
СоО 27,05
В IzOa 16,77 ! п20з 10,01
Точка Кюри (Тс) пленки равна 222 С, коэрцитивная сила (Нс) находится в пределах 1,5„.2 кЭ, намагниченность насыщения (4 тг Ms) — 1450 Гс, угол вращения Керра (Вк ) равен 0,69 град., диаметр (d) ЦМД равен 0,9 мкм.
Состав полученных образцов, их магнитные свойства, измеренные при температуре 20 С, приведены в табл. 1 и 2 соответственно, Как видно из представленных результатов, предлагаемый носитель информации позволяет увеличить угол вращения Керра в 1,5 раза по сравнению с известным носителем информации. Предложенный носитель информации имеет в 3...5 раз большую стабильность при использовании оксидов металлов в составе магнитооптической пленки. В результате повышаются надежность и стабильность магнитооптического носителя информации к процессам окисления и старения. сти носителя к процессам окисления и старения при термомагнитной записи и хранении информации, магнитооптическая пленка выполнена из соединения оксидов железа, кобальта, висмута и индия при следующем соотношении компонентов, мас.
Оксид аисмута
16,72-16,80
1793466
Оксид индия
9,99-10,05
Таблица 1
Таблица 2
1793466
Рю. 2
Составитель fl,áîãàòîâ
Техред M.Ìîðãåíòàë!
Корректор О.Густи
Редактор
Заказ 506 Тираж Подписное
ВНИИРИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5
Производственно-издательский комбинат "Патент", r. Ужгород, ул,Гагарина, 101
У,О
0g
07
04
0Я
D ы л фР ре юд л5 ыР T Ð пп и гп юп us лп л аппп Т, С