Многоканальный формирователь импульсов со счетным входом

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (505 Н 03 К 3/72

ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ

ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) .,с

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

1 (21) 1540481/21 (22) 11,10,71 (46) 07,02,93, Бюл. М 5 (72) Г.А. Алексеев, В,В. Ведерников и А.Н, Камышный

Формирователь предназначен для использования в целях одноразового действия бортовых ракетных систем, например, для запуска корректирующих пороховых ракетных микродвигателей или для обеспечения заданной последовательности подрыва зарядов боевой части ракеты с целью формирования требуемой диаграммы направленности взрыва.

Целью изобретения является уменьшение требуемой амплитуды запускающих импульсов и повышение надежности устройства.

На чертеже представлена схема формирователя импульсов со счетным входом.

Формирователь содержит зажимы 1

"Вход", полупроводниковые транзисторы 2, 3, 4 с трансформируемой структурой, нити накаливания пирозапалов 5, 6, 7, накопительный конденсатор 8, резистор 9 в цепи заряда конденсатора, источник 10 питания, Формирователь работает следующим образом.

В исходном состоянии напряжение источника 10 питания подано только на транзистор 2 и накопительный конденсатор 8, На транзисторы 3 и 4 напряжение не подается, так как выводы их коллекторов через пирозапалы 5 и 6 соединены с землей, Вследствие этого при подаче управляющего импульса на базы всех трех транзисторов 2, 3, 4 открывается только транзистор 2 и ээ счет протекания через него большого раз- рядного тока его структура трансформиру„„5U„„1793533 А1

2 (54) МНОГОКАНАЛЬНЫЙ ФОРМИРОВАТЕЛЬ ИМПУЛЬСОВ СО СЧЕТНЫМ ВХОДОМ ется с образованием токопроводящей перемычки, Необратимый пробой транзистора 2 и образование токопроводящей перемычки приводят к срабатыванию пирозапала 5 с последующим разрывом цепи между выводом эмиттера и корпусом (землей).

При завершении первого цикла работы схемы напряжение источника питания 10 подается на транзистор 3 через короткозамкнутую структуру транзистора 2 (сопротивление короткозамкнутой структуры составляет единицы или десятки миллионов), На транзистор 4, как и ранее, напряжение не подается.

Ъ «

Приход на базы транзисторов следующего управляющего импульса открывает в транзистор 3, что, в конечном счете, приво- 4 дит к трансформации его структуры с токопроводящей перемычки за счет энергии, накопленной на конденсаторе 8 за время между срабатыванием пирозапала 5 и приходом второго управляющего импульса. Ы

Следствием является подрыв пирозапала 6, Cd

Формирователь оказывается подготовленным к следующему, третьему, циклу работы.

К началу третьего цикла работы напряжение источника 10 подается на транзистор 4 через короткозамкнутые структуры транзисторов 2 и 3. При поступлении следующего управляющего импульса открывается тран- . зистор 4 и эа счет большого разрядного тока его электроды замыкаются токопроводящей перемычкой. Следствием является срабатывание пирозапала 7, 1793533

Составитель Н.Маркин

Техред М,Моргентал Корректор M,Ñàìáîðñêàÿ

Редактор Б.Федотов

Заказ 510 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного Комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Рэушская наб„4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул, Гагарина, 101

Аналогично может быть собрана и работает схема, пoo eðåäío подключающая источник питания не только трем, но и к . большему числу нагрузок вплоть до нескольких десятков пирозапалов. При большем числе нагрузок суммарное остаточное сопротивление трансформированных полупроводниковых структур может достичь

Формула изобретения

Многоканальный формирователь импульсов со счетным входом, содержаший в каждом из каналов последовательно соединенные элемент с тр" Hñôîðìèðóåìoé структурой и элемент, перегорающий после превращения элемента с трансформируемой структурой в прямое электрическое соединение, например пирозапал, о т л и ч а юшийся тем, что, с целью уменьшения требуемой амплитуды запускающих импульбольшой величины, что затрудняет необратимый пробой последующих транзисторов.

В таких случаях предлагается через каждый 30-40 транзисторов подключить аналогично основному дополнительный накопительный конденсатор, необходимый для поочередного пробоя следующей группы транзисторов, сов и повышения надежности формирователя, в качестве элементов с трансформируемой структурой использованы транзисторы, при этом коллектор транзистора с трансформируемой структурой первого канала подсоединен к источнику питания, коллектор транзистора каждого последующего канала подсоединен к эмиттеру транзистора соседнего предыдущего канала, а базы транзисторов всех каналов соединены с входной клеммой устройства,