Композиция для получения триацетилцеллюлозной основы кинофотоматериалов
Иллюстрации
Показать всеРеферат
Использование: химическая и химикофотографическая промышленность, получение пленок. Сущность изобретения: композиция содержит, мас.%: триацетилцеллюлозу 10,0-13,0; метиленхлорид 75,0- 76,0; метанол 6,0-7,0; трифенилфосфат 1,1-1,5; дибутилфталат 0,5-0,7; бутанол 1,45- 4,0; модифицирующую добавку (трифенилп-нйтрофенилфосфонийхлорид или препарат Синтаф) 0,4-0,8. 2 табл.
СОЮЗ СОВЕТСКИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИК
s С 08 (1/12
ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ
ВЕДОМСТВО СССР (I 0CflATEHT CCCP) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛ6СТВУ
{21) 4815702/05 (22) 02.02.90 .. (46) 23.02.93. Бюл. N. 7
{71) Казанский научно-исследовательский технологический и проектный институт фотографической промышленности Производ. ственного объединения "Тасма" .,(72) С.И.Акчурина, Г.П.Крупнов, Н.Я.Ковшова, fl.Г.Федорина, А.П.Богданов, Г.Л,Свиридова, А,Ш.Нуриязданов и И,А.Федорина (56) Авторское свидетельство СССР
N 1121686, кл. С 081 1/12, 1985.
Авторское свидетельство СССР
М 933675, кл. С 081 1/12, 1982.
Изобретение относится к области переработки пластических масс, касается пол. учения триацетилцеллюлозной (ТАЦ) основы, обладающей улучшенными антистатическими свойствами и может быть использовано в химической и химико-фотографической промышленности при получе:. нии деталей и пленок.
Известна полимерная композиция для получения ТАЦ-основы, в которую для улучшения антистатических свойств вводят вещество "Оксифос", например алкилполиэтиленгликолевый эфир фосфорной
:. кислоты и его монозамещенных солей.
Недостатком этой композиции является ..то, что пленки, изготовленные из нее, обладают достаточно высокими антистатически. ми параметрами — полупериодом стекания зарядов с поверхности основы (полупериод стекания зарядов с поверхности основы t . 1/2 = 54-66 с) и электровозбудимостью 1,02,30 кВ, что недостаточно для защиты фото„, Ы „„1796641 А1 (54) КОМПОЗИЦИЯ ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ТРИАЦЕТИЛЦЕЛЛЮЛОЗНОЙ ОСНОВЫ КИНОФОТОМАТЕРИАЛОВ (57) Использование: химическая и химикофотографическая промышленность, получение пленок. Сущность изобретения: композиция содержит, мас.%: триацетилцеллюлозу 10,0-13,0; метиленхлорид 75,076,0; метанол 6,0-7,0; трифенилфосфат
1,1-1,5; дибутилфталат 0,5-0,7; бутанол 1,454,0: модифицирующую добавку (трифенили-нитрофенилфосфонийхлорид или препарат "Синтаф") 0,4-0,8. 2 табл, материала от зарядов статического электричества.
Известна наиболее близкая к заявленной полимерная композиция, которая в качестве добавки, снижающей электровозбудимость ТАЦ-основы, содержит триэтаноламиновую соль ди- и монозамещенных алкилфосфатов.
Эта композиция не позволяет получить
ТАЦ-основу с высокими антистатическими свойствами, так как электровозбудимость основы снижается до 1,5 кВ, а полупериод утечки зарядов с поверхности основы — до
7; 1/2 = 10 с, что недостаточно для защиты фотоматериала or зарядов статического электричества.
Целью изобретения является снижение электровозбудимости основы и полупериода стекания зарядов с нее.
Поставленная цель достигается тем, что композиция для получения триэцетилцеллюлозной основы кинофотоматериалов, со1 ?9664 I
13.0
76. О
6,0
0,5
1,1
3,0
0,4
13
75,55
7,0
0,7
1,5
1,45
0,8
НЧ вводят алкилфосолиэтиленспиртов в держащая триацетилцеллюлозу, трифенилфосфат, дибутилфталат, метанол, метиленхлорид, бутанол и модифицирующую добавку, содержит в качестве добавки трифенил-и-нитрофенилфосфонийхлорид или препарат "Синтаф" на основе смеси триэтаноламеиновых солей алкилфосфатов и моноалкилового афира полиэтиленгликоля на основе первичных жирных спиртов при следующем соотношении компонентов, мас, /,;
Триацетил целлюлоза 10-13
Метиленхлорид 75-76
Метанол 6,0-7,0
Трифенилфосфат 1,1-1,50
Дибутилфталат 0,5-0,7
Бутанол 1,45-4,0
Модифицирующая добавка 0,4-0 8
Полимерную композицию готовят следующим образом..
В смеситель, в соответствии с составом композиции, заливают растворители (метиленхлорид и метанол) и перемешивают в течение 30 мин, Затем загружают триацетилцеллюлозу и перемешивают в течение 4 ч. Затем загружают бутанол, дибутилфталат, трифенилфосфат и добавку и перемешивают в течение 14-15 ч. Далее раствор фильтруют, аэрируют и подают на отливочную машину.
Использованы композиции следующего состава:
Триацетилцеллюлоза 10,0
Метиленхлорид 76,0
Метанол 7,0
Дибутилфталат 0,7
Трифенилфосфат 1,5
Бутанол 4,0
Добавка 0,8
Формула изобретения
Композиция для получения триацетилцеллюлозной основы кинофотоматериалов, содержащая триацетилцелгюлозу, трифенилфосфат, дибутилфталат, метанол, метиленхлорид, бутанол и модифицирующую добавку. отличающаяся тем,что,с целью снижения электровозбудимости основы и полупериода стекания зарядов с нее, композиция содержит в качестве добавки трифенил-и-нитрофенилфосфонийхлорид или препарат "Синтаф" на основе смеси триII
III
Триацетилцеллюлоза
Метиленхлорид
Метанол
Дибутилфталат
Трифенилфосфат
15 Бутанол
Добавка
IV
Триацетилцеллюлоза
Метиленхлорид
20 Метанол
Дибутилфталат
Трифенилфосфат
Бутанол
Добавка
25 Пример 1. В композциию смесь триэтаноламиновых солей фатов и моноалкилового эфира и гликоля на основе первичных соотношении 1;1.
Триацетилцеллюлоза 12,5
Метиленхлорид 75,0
MeTBHOll 6,5
Дибутилфталат 0,6
Трифенилфосфат 1,4
Бутанол 3,4
Добавка 0,6
Антистатические показатели ТАЦ-основы, полученной из полимерной композиции, представлены в табл,1, Пример 2, В композицию I IV вводят
35 препарат трифенил-и-нитрофенилфосфонийхлорид.
Антистатические показатели ТАЦ-основы, полученной из полимерной композиции, представлены в табл.2, 40 этаноламиновых солей алкилфосфатов и моноалкилового эфира полиэтиленгликоля на основе первичных жирных спиртов, при следующем соотношении компонентов, мас, /:
Триацетилцеллюлоза 10,0-13,0
Метиленхлорид 75,0-76,0
Метанол 6,0-7,0
Трифенилфосфат 1,1-1,5
Дибутилфталат 0,5-0,7
Бутанол 1.45-4,0
Укаэанная модифицирую щая добавка 0.4 0,8 л(>лина !
Г1пк;! якели для АЦ-осI<
Таблица 2
Составитель T.Màðòèíñêàÿ
Техред M.Moðãåíòàë Корректор Н.Ревская
Редактор Г.Бельская
Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 10!
Заказ 630 Тираж Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5