Способ восстановления электрографического носителя с фоточувствительным слоем на основе селена

Способ восстановления электрографического носителя с фоточувствительным слоем на основе селена

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Сущность изобретения заключается в следующем. Цилиндрическую подложку электрографического носителя нагревают со стороны внутренней поверхности ее. Нагревание осуществляют при 75-90 С не менее 5 мин. После нагрева подложку обрабатывают жидким азотом.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

1797091 А1 (I9) (11) (я)л 6 03 G 21/00

ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ

ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4706118/12 (22) 15.06.89 (46) 23.02.93. Бюл. ¹ 7 (71) Харьковский государственный университет им,А.M.Ãoðüêîãî и Научно-технический кооператив "Селен" (72) А.П,Петриченко, A,Г.Лавренович, В,Н.Кондратюк, В.В.Григоренко и А,В,Григоренко (56) Авторское свидетельство СССР

¹ 649603, кл. G 03 G 21/00, 1977, Изобретение относится к электрографии и предназначено для снятия фоточувствительного слоя селена при реставрации отечественных и зарубежных электрофотогрэфических цилиндров.

Известен способ восстановления электрографического носителя с фоточувствительным слоем на основе селена, заключающийся в том, что удаление слоя цилиндрической подложки производят путем погружения цилиндра в жидкий азот с выдержкой в течение 10-15 мин, в результате чего слой отслаивается от подложки и оседает на дно ванны, Недостатком известного способа является то, что данный способ не позволяет удалять слой при толщине, равной 40 — 50 мкм, а также при наличии подслоя из окисленного селена. Кроме того, данный способ совершенно не позволяет удалять композиционные покрытия на основе селена, такие, как триселенид мышьяка AszSeg и селен, легированный теллуром и фосфором, а так(54) СПОСОБ ВОССТАНОВЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОГРАФИЧЕСКОГО НОСИТЕЛЯ С ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫМ СЛОЕМ НА ОСНОВЕ

СЕЛ ЕНА (57) Сущность изобретения заключается в следующем. Цилиндрическую подложку электрографического носителя нагревают со стороны внутренней поверхности ее. Нагревание осуществляют при 75-90" С не менее 5 мин. После нагрева подложку обрабатывают жидким азотом, же покрытия с цилиндров к аппаратам

РХ7000 (так называемый сплав ¹ 6), Цель изобретения — расширение технологических возможностей за счет обеспечения удаления тонких слоев и слоев на основе селеносодержащих композиций, Сущность изобретения заключается в том, что перед обработкой предварительно производят нагрев внутренней поверхности подложки на воздухе при 75-90 С не менее

5 мин, а затем охлаждают при температуре жидкОГО азота, Проведение предварительного нагрева внутренней поверхности цилиндрической подложки приводит к кристаллизации внутренних слоев селена, примыкающих к повехности подложки. При последующем охлаждении за счет большей разности коэффициентов термического расширения между кристаллическим селеном и аморфным происходит полно отслаивание слоя, Охлаждение электрофотографического носителя до азотных температур без

1797091

Формула изобретения с я тем, что, с целью расширения технологических возможностей за счет обеспечения удаления тонких слоев и слоев на основе селеносодержащих композиций, перед обработкой жидким азотом осуществляют нагрев внутренней поверхности подложки при

75-90 С не менее 5 мин, Способ восстановления электрографического носителя с фоточувствительным слоем на основе селена путем удаления слоя с цилиндрической подложки при обработке ее жидким азотом, о т л и ч а ю щ и йСоставитель А.Петриченко

Техред М.Моргентал Корректор M.Òêà÷

Редактор Г.Бельская

Заказ 653 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101.предварительного нагрева не позволяет полностью очистить подложку от слоя. На цилиндрах типа Rank Xегоx 7000 drum, где электрофотографический слой состоит из легированного селена, отслоение электрофотографического слоя вообще не происходит, если слой предварительно не подвергнут кристаллизации.

Нагрев цилиндра до температуры менее 75 С не приводит к полной кристаллизации слоев на основе .селена и легированного селена. В результате этого не происходит полного обсыпания слоя при температуре жидкого азота.

Нагрев подложки выше 90 С не имеет смысла, так как кристаллизация слоя при этой температуре и выше протекает самопроизвольно с выделением тепла.

Время нагрева менее 5 мин не приводит к полной кристаллизации слоя и в результате при температуре жидкого азота подложка очищается не полностью.

Время нагрева более пяти минут не приводит к улучшению результата и поэтому лишено смысла. При охлаждении предварительно нагретого носителя азотом для удаления слоя достаточно его погрузить в азот на 3 — 5 мин..