Способ базирования и закрепления спутника

Способ базирования и закрепления спутника

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Использование: при установке спутников на станках типа обрабатывающий центр и на автоматических линиях. Сущность изобретения; на плите с возможностью поворота установлены пальцы и с РК-профильной поверхностью в поперечном сечении. На указанные пальцы двумя отверстиями с аналогичными РК-прбфйльйыми поверхностями в поперечном сечении устанавливается спутник. При повороте пальцев вразные стороны происходит одновременное базирование и закрепление спутника. При этом один из пальцев выполнен с четным количеством граней, а другой - с нечетным . 7 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (я)з В 23 0 3/00, 7/00

ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ

ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4836778/08 (22) 09.04.90 . (46) 28,02,93. Бюл. М 8 (71) Московский станкоинструментальный институт (72) С.Н.Лапин, А,И.Тимченко и H,Ï.Êîðçþêîa (56) Корсаков В.С. Основы конструирования приспособлений. M.: Машиностроение, 1983, с.261, рис.169. (54) СПОСОБ БАЗИРОВАНИЯ И ЗАКРЕПЛЕНИЯ СПУТНИКА (57) Использование; при установке спутников на станках типа обрабатывающий центр

Изобретение относится к станкостроению, в частности для станков типа обрабатывающий, центр и автоматических линий со спутниками.

Целью изобретения является повышение точности установки и производительности.

Это достигается тем, что пальцы и соответствующие им отверстия выполнены в виде профильной кривой с равноосным контуром в поперечном сечении (PK-профиль) наружней и внутрейней поверхности причем один из пальцев выполнен с нечетным количеством граней, а другой с четным количеством, причем пальцы установлены в плите с возможностью поворота вокруг своих осей.

На фиг.1 представлена схема, реализующая способ базирования; на фиг.2 — схема реализации с 3-мя и 2-мя гранными пальцами; на фиг.3 — схема реализации с 3-мя и

4-мя гранными пальцами; на фиг.4 — схема формирования погрешности базирования в прототипе; на фиг.5 — схема формирования погрешности базирования по предлагаемо«ЯЛ ) 1798103 А1

:2 и на автоматических линиях. Сущность изобретения: на плите с воэможностью поворота установлены пальцы и с РК-профйльной поверхностью в поперечном сечении. На указанные пальцы двумя отверстиями с аналогичными РК-профильными поверхностями в поперечном сечении улстанавливается спутник. При повороге пальцев в- разные стороны происходит одновремейное базирование и закрепление спутника. При этом один из пальцев выполнен с четным количеством граней, а другой — с нечет-. ным. 7 ил. му способу; на фиг.б — действие сил в паре палец-отверстие при приложении Мкр, на фиг.7 — разрез А-А на фиг,б.

Способ базирования и закрепления спутника поясняется на фйг.1 и 2, где на плите 1 установлены пальцы 2 и 3 с нечетным количеством граней, например РК-3 ь профилем, и чЕтным количеством граней, К-2 профилем соответственно. В спутнике 4 имеются соответствующие .гнезда под О . профильные пальцы 2 и 3. После установки спутника 4 на стол станка фиксаторы 2 и 3 поворачивают относительно плиты 1 в раз- С) ные стороны с помощью педали 5, произво- () дя тем самым бааирпаание и закрепление спутника на столе станка.

Во время базирования спутника относительно стола станка происходит поворот базирующих пальцев на требуемый угол, при этом происходит выборка зазора в трех и двух точках соответственно. Контактные напряжения, возникающие в соединениях, приводят к самоустановке спутника 4 относительно профильных пальцев 2 и 3, совершая при этом точное центрирование оси

1798103

3 . - . 4 профильного отверстия относительно оси пальцев 28 мм. Иэ таблицы видно, что зазор профильного пальца; Из фиг.4 наглядно .: в паре по варианту — И не влияет на погрешвидно, что:максимальная погрешность ба-:ность базирования, так как он: полностью зирования в прототипе изменяется с изме- . выбирается профильным соединением. Кронением величины зазора . в:паре 5 ме того;точность базирования по И-му варипалец- отверстие.и определяется по форму- анту увеличивается в 2,4 раза и более, . ле; ...: . . " .... За счет совмещения операций базироТэ-Ь+Т +Т :: - .вания и закрепления повышается произвогде Л вЂ” гарантированный диаметральный дительность обработки заготовки, Это зазор в паре палец-отверстие; ." 10 осуществляется за счет заклинивания e PKТо — допуск на изготовление круглого профильном соединении в паре палец-ототверстия;,: .:- .. -: верстие-при подаче крутящего момента M„p

T — допуск.на изготовление круглого на профильный палец 2. При приложении. пальца: .:-, ... крутящего момента Мкр возникают распорПри базировании заготовки в предло- 15 ные усилия Рв, которые в свою очередь поженном устройстве фиг.5 на основе анали- эволяют удерживать спутник 4 на столе тических исследований было -установлено, станка, как в горизонтальной плоскости, так что-максимальный:допуск на базирование:. и в вертикальной с силой Fzp, при условии: заготовки.по PK-3 и К-2 профильному coe- . F p > Px динению может быть определен по форму- 20 ле: .: " — .:-...: Формула изобретения

Способ. базирования и закрепления

Те - 0,167 (Т ) +.{Тл )2,: . спутника, при котором базирование послед.где То — допуск йа базирование заготовки; него осуществляют путеМ совмещения двух

То - допуск на изготовление профиль- 25 базовых отверстий спутника с базирующи-, . ного отверстия;:: ..; .: .:::: . ми пальцами, форма поперечного сечения

Тл — допуск на изготовление профиль- . каждогоиз которыханалогична формесоотного пальца.,, : .:: .ветствующего отверстия, о т л и ч à io щи йВ таблице приведены сравнительные с я тем, что, с целью повышения точности . данные по двум вариантам базирования: 1 — 30. установки и производительности, для баэи-. цилиндрическому и срезанному пальцам:и рования и закрепления пальцы берут РКпо И вЂ” РК-3 и К-2 профильным пальцам, с профильными поворотными, причем один различными диаметральными заэорамй а из пальцев выполнен с.четным количеством паре Н7/g6, Н7/пб/ Н7/16 с размерами граней, а другой — с нечетным.

Схема бази- Посадка от- Величина рования верстия с гарантировалом ванного эазоамм

Допуск на изготовле-.

we отверстия, Т<, мм

Допуск на ПогрешИЗГОТОВЛЕ- НОСТЬ ПРОние вала, мем. звена, То, мм мм

Погрешность базирования мак Т6, мм

Н7/й6.

Н7/дб

Н7/т6

0,007

0,02

0,21 .

0,21

0,21

0,013

0,013

0,013

По плоскости и:двум пал ь.цам (один цилиндрический и один конический)

По плоско сти и двум профильным паль цам (один .РК-3. а втоой К-2

0,034

0,041

0,054

Н7/Ь,6

Н7/g6

Н7/f6 .

0,007

0,02

0,21

0,21

0,21

0,01

0,01

0,01

0,013

0,013

0,013

0;014

0,014 0,014

1798103

1798103

Фйг. 4

1798103

1798103 иг.

Составитель С,Лапин

Техред М.Моргентал Корректор М.Максимишинец

Редактор

Производственно-издательский комбинат "Патент", r. Ужгород, ул.Гагарина, 101

Заказ 739 . Тираж ПодпиСное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР . 113035, Москва, Ж-35; Раушская наб.. 4/5