Электроизоляционное стекло

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Использование: для создания покрытий и металлостеклянных спаев на предприятиях электронной, радиотехнической и злектровакуумной промышленности. Сущность изобретения: электроизоляционное стекло содержит, мас.%: оксид кремния 21,55-22,0 БФ SI02; оксид лития 2,0-2,5 БФ LJ02,1 оксид бора 12,4-13,0 БФ В 20з; оксид кадмия 10,5- 11,2 БФ CdO; оксид натрия 8,0-9,5 БФ №20; оксид титана 15,0-16,0 БФ TlOa; оксид калия 17,5-18,2 БФ К20; оксид никеля 0,8-1,0 БФ NiO; оксид свинца 8,6-9,5 БФ РЬО. Характеристики стекла: КЛТР (159-

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

Is1)s С 03 С 8/24 ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ

ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) (21) 4912414/33 (22) 18.02.91 (46) 30.03.93. Бюл. N, 12 (71) Опытное конструкторско-технологическое бюро "Кристалл" при Ленинградском технологическом институте им. Ленсовета (?2) И.А.Василенко, И.А,Сродникова, Е.Б.Хвостова и Т,И.дравнина (56) Авторское свидетельство СССР

М 1152938, кл, С 03 С 3/066;

Авторское свидетельство СССР

N. 1021663, кл. С 03 С 8/24, 1983. (54) ЭЛЕКТРОИЗОЛЯЦИОННОЕ СТЕКЛО, (57) Использование: для создания покрытий и металлостеклянных спаев на предприятиИзобретение относится к области создания покрытий и металлостеклянных спаев с высокими электроизоляционными свойствами и может найти широкое применение для эмалирования изделий из сплавов на алюминиевой и никелевой основе на предприятиях электронной, радиотехнической и электровакуумной промышленности, Цель изобретения — получение легкоплавкого стекла с высокими значениями удельного объемного электрического сопротивления.

Поставленная цель достигается тем. что стекло, включающее %02, В203, Na20, К20, Li2O, CdO дополнительно содержит TI02, Ni0, РЬО при следуюшем соотношении компонентов, мас. g,:

%02 21,5 — 22.0

В203 12,4 — 13,0 йа20 8,0-9,5

КгО 1?,5 — 18,2...5U 1805105 А1 ях электронной, радиотехнической и электровакуумной промышленности. Сущность изобретения: электроизоляционное стекло содержит, мас. : оксид кремния 21,55-22,0

Б Ф SI02; оксид лития 2,0-2,5 БФ. LI02; оксид бора 12,4-13,0 БФ 8203; оксид кадмия 10,511,2 БФ CdO; оксид натрия 8,0-9,5 БФ

N320; оксид титана 15,0-16,0 БФ Т!02; оксид калия 17,5-18,2 БФ К20; оксид никеля

0,8 — 1,0 БФ МО; оксид свинца 8,6 — 9;5 БФ . Pb0. Ха7оактеристики стекла: КЛТР (159170) 10 1/град; удельное объемное электрическое сопротивление при 100 С

6 10 г — 2 10 Ом м, температураспаива-. ния 500 — 520 С. 2 табл.

Li20 2,0-2.5.

CdO 10,5 — 11,2

Т!02 . 15 0 — 16 0

Ni0 0,8-1,0

PbO 8,6-9.5 ОО

Включение в стекло Т!02, NIO, PbO повышает удельное объемное электрическое Q3 сопротивление. виват

Новизна в сравнении с прототипом заключается в том, что стекло, в состав кото- (Л рого входит 8,6-9,5 мас.g PbO, 0,8 — 1,0 мас. ф, Ni0, 15,0-16,0 мас.$ Т102 обладает а большими значениями удельного объемно-:. Ф го электрического сопротивления, а именно ри1во с =(2 10 -2 10 )Ом м иру1офс =

13» . 14 (8.5 10 ) Ом м соответственно, Удельное объемное электрическое сопротивление заявляемого стекла значительно выше,чемУаналога Рд1офс=2 0 Ом м и и рч1ооос= 6 10 Ом м соответственно.

1805105

Для синтеза стекла используют следующие сырьевые материалы:

Песок ГОСТ 22551 — 77

Борная кислота ГОСТ 9656-75

Оксид титана ТУ 6 — 09-2166-77

Натрий углекислый ГОСТ 83 — 79

Поташ ГОСТ 10594 — 77

Калий углекислый ГОСТ 4332 — 76

Литий углекислый ТУ 6 — 09 — 3728 — 78

Кадмий углекислый ГОСТ 6261-78

Оксид никеля ТУ 6 — 09.— 4125 75

Сурик свинцовый ТУ 6 — 09-1568 — 77

Стекло синтезируют на полупромышленной установке с мазутным отоплением в

НКТБ "Кристалл" в однолитровых кварце, вых тиглях при температуре 1000 — 1100 С в течение 40 мин и вырабатывают через водоохлаждаемые валки. Обжиг производят при температуре 360ОС в течение 2 ч.

Изобретение иллюстрируется следующими примерами, приведенными в табл,1 и

2, а более конкретно рассматривается пример 1.

Пример 1. Электроизоляционное стекло следующего состава, мас. :

SiOz 22,0

ВгОз 12,7

Naz0 9,5

КгО 18,0

ОгО . 2,0

CdO 10,5

TlOz 15.0

NiO 0,8

Pb0 9,5

Стекло синтезировали при температуре

1100 + 0 С в течение 40 мин в однолитровом тигле в печи с мазутным отоплением и вырабатывали через водоохлаждаемые валки. Из расплава стекла отливали штабики размером 3 х 3 х 50 мм для измерения ТКЛ P и круглые пластины размером 30 — 50 мм при толщине 1,0 — 2,5 мм для измерения электрических свойств.

Применение предлагаемого стекла вместо стекла по прототипу в тех случаях, когда требуются высокие электроизоляционные свойства, вполне оправдано, т.к. стекло может быть синтезировано на любом стекольном заводе без изменения существующей

5 технологии. Низкая температура синтеза предлагаемого стекла не требует дополнительных энергозатрат и изменения конструкции оборудования, Для производства предлагаемого стекла не требуется дефицитных и дорогостоящих сырьевых материалов, достаточно реактивов марок "ч" .и

"техн".

Организация спаев данного стекла с металлами не требует дополнительных энергозатрат, изменения конструкции оборудования.

Использование предлагаемого стекла в промышленности позволит решить, задачу получения металлостеклянного спая без предварительной подготовки поверхности металла, что значительно удешевит процесс организации спая.

Использование предлагаемого стекла позволит решить задачу электроизоляционной защиты изделий из сплавов на основе алюминия и никеля, повысить их надежность за счет высоких диэлектрических свойств, 30 Формула изобретения

Электроизоляционное. стекло, включающее SiOz, ВгОз, йагО, KzO, ЖО, CdO, о тл и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения удельного объемного электрического

35 сопротивления, оно дополнительно содержит Т!Ог, N10, PbO при следующем соотношении компонентов, мас, ;

SiOz 21.5 — 22,0

ВгОз 12,4 — 13,0

40 йаг0 8,0-9,5

КгО 17,5-18,2

Llz0 2,0-2,5

Cd0 10,5-11,2

Ti0z 15,0 — 16,0

45 МО 0,8 — 1,0

РЬО 8,6-9,5

1805105

Таблица 1

Составы предлагаемых стекол., Таблица 2

Свойства предлагаемых стекол. Составитель Т.Дравнина

Техред М.Моргентал Корректор: 3.Салко

Редактор

Производственно-издательский комбинат "Патент", г; Ужгород, ул.Гагарина, 101

Заказ 925 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35; Раушская наб;, 4/5