Патент ссср 180936
Иллюстрации
Реферат
I8O936
СОюз Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства №
Кл. 48b, 11сс
Заявлено 21 V11.1964 (№ 913547/22-2) с присоединением заявки ¹
МПК С 23с
Комитет по делам изобретеиий и OTKpblTNA при Совете Мииистлав
СССР
Приоритет
Опубликовано 26.1|1.1966. Бюллетень № 8
Дата опубликования описания 21 V.1966
Ъ ДК 621.793.1:669.718.
-". !.:I -,,„. т / ! („,„„
А. А. Плетюшкин и H. Г. Славина ,т
Институт металлургии имени А. A. Байкова ГосударствекногЬкомитета по черной и цветной металлургии при Госплане СССР
Авторы изобретения
Заявитель
СПОСОБ НАНЕСЕНИЯ ПОКРЪ|ТИЙ НИТРИДА АЛ|ОМИНИЯ
HA ГРАФИТ, КВАРЦ И ДРУГИЕ ТУГОПЛАВКИЕ МАТЕРИАЛЪ|
Известный способ нанесения покрытий нитрида алюм!шия на графит, кварц и другие тугопл",вкие материалы из газовой фазы путем взаимодействия паров хлор!истого ялюмнIIHsI с азотом 1!;Ill !Iммияком не oocclic I liis;I cт 5 получения особо чистых покрытий.
Предложенный способ отличается от известных тем, что используют моноаммиакяты галогенидов (хлоридов, бромидов, йодидов) 10 а !юх!ини!1, например моноаммиакят хлористого алюминия (A1C1> ХНз) .
Сущность способа состоит в том, что подлежащий покрытию материал нягревя!От до температуры 800 1300"C в атмосфере паров мо- 15 ноаммиакатов галогеннда алюминия. Очи!ценный монояммиакат галогенида алюминия испаряют в токе инертного газа-носителя (аргон, водород н др.) при температуре 160—
300 С и пары его поступают в реакционную 20 камеру, где находится подле кащш! покрытию материал. Концентрация моноаммиакята в газе-носителе 0,01 — 2 г/л, что достигается подбором температуры нагрева моноаммиаката и скоростью подачи ш!ертного газа.
Процесс осаждения нитрида алюмшшя в случае применения моноаммиякятя хлористого алюминия протекает по реакции
А1С1! XH." --А1Х+ ЗНС! и длится в течение
1 — 10 час в з;! IIciiiIocTII от требуемой толщины осажденного слоя. Способ позволяет получать особо чистые покрытия. Толщина покры-. тий от 0,01 до нескольких миллиметров. Получаемь:е покрытия нитрида алюминия устойчивы к действию расплавов ярсенидя галлия.
Предмет изобретения
С посо о на несения покр ьlти 11 111!Tp1!да алюм! ния на графит, кварц и другие тугоплавкие
ы атер!!ял1 IIpiI терхlическом разложении галогенидов алюминия, orëiòoþøïéñÿ тем, что, с целью получения особо чистых слоев нитрида алюминия, используют моно",ììèàêçòû 1ялогенидов, например моноаммиакят хлористого алюминия,;1 процесс осущеcTB;IIIIoT !! атмосфере инертного гязя или в вакууме.