Полупроводниковый ключ переменного тока

Полупроводниковый ключ переменного тока

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (я)5 Н 02 М 1!08

ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ

ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

2 (21) 4819525/07 (22) 24.04.90 (46) 23.04.93. Бюл. N. 15 (71) Научно-исследовательский институт по передаче электроэнергии постоянным током высокого напряжения (72) В.А.Синявский (56) Карагальцев А.М., Харлампиев В.В. Нагрузочная способность современных тиристоров на высокой частоте // Известия

ЛЭТИ, Л.: 1981. Вып. 299„с, 92-95.

Силовые полупроводниковые приборы !

О.Г.Чебовский и др.// Справочник, М,:

Энергоиздат, 1985, с, 279.

Высокочастотные реверсивно включаемые динисторы /И.В.Грехов и др,//Элект- . ротехника. 1988, М 5, с. 10-12, „„5U(„, 1810966 А1 (54) llOJlVllPOSOPHNKOBblA Kfl tO lEPEМЕННОГО ТОКА (57) Устройство содержит динисторы (1. 2), диоды (3, 4), конденсаторы контуров накачки

{5, 6), диоды (7, 8). Устройство позволяет применять полупроводниковые ключи на более высокой частоте. 1 ил.

1810966 ные цепи, каждая из которых состоит иэ последовательно соединенных реверсивно включаемого динистора и диода, кроме этого в каждую из встречно-параллельных цепей введены управляющий тиристор, конденсатор накачки и зарядный диод, анодом подключенный к катоду управляющего

Составитель В,Синявский

Редактор Г,Мельникова Техред M,Mîðãåíòàë Корректор fl.Ãåðåøè

Заказ 1450 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4(5

Производственно-издательский комбинат "Патент", r. Ужгород, ул.Гагарина, 101

Изобретение относится к высоковольтной высокочастотной полупроводниковой преобразовательной технике и может быть использовано при согласовании преобразователей и нагрузки, имеющей комплексное сопротивление.

Целью изобретения является применение полупроводниковых ключей переменного тока (ПКПТ) на более высокой частоте и увеличение КПД таких ключей.

На чертеже приведена схема предлагаемого ПКПТ.

ПКПТ собран на РВД 1, 2 с последовательно соединенными с ними отсекающими диодами 3, 4. Конденсаторы контуров накачки 5, 6 заряжаются через диоды 7, 8 от части напряжения, питающего нагрузку с комплексной проводимостью, состоящую.из нескольких частей 9-13; Конденсаторы накачки 5, 6 через управляющие тиристоры

14, 15 подключены к анодам РВД 1, 2.

Предлагаемый ПКПТ работает следующим образом.

При подаче на управляющие тиристоры системы накачки .14, 15 импульса управления, синхронизованного с напряжением на нагрузке таким образом, что при появлении на РВД положительного напряжения проходит импульс обратного тока накачки. Так как скорость нарастания тока накачки больше, чем скорость нарастания прямого тока, то в

РВД создается плазменный управляющий слой, который равномерно переключает

РВД в проводящее состояние. Таким образом часть реактивной нагрузки 11 шунтируется ПКПТ, общая комплексная нагрузка

9-13 изменяет свою величину, происходит необходимое согласование внутреннего сопротивления преобразователя с комплексной нагрузкой.

Полупроводниковый ключ переменного тока, подключенный к части комплексной нагрузки содержит две встречно-параллельl тиристора и к одной клемме конденсатора накачки, вторая клемма которого подключе"0 на к катоду РВД, катод зарядного диода подсоединен к части комплексной нагрузки, анод управляющего тиристора подключен к общей точке соединения анода РВД и катода диода.

Ф о р м у л а и.з о б р. е т е н и я

Полупроводниковый ключ переменного тока, подключенный к части комплексной нагрузки, состоящий из встречно парал20 лельных цепей, каждая из которых содержит последовательно соединенные силовой полупроводниковый прибор и диод, о т.л ич а ю шийся тем, что, с целью применения на более высокой частоте и увеличения КПД, 25 в качестве силовых полупроводниковых приборов. использованы реверсивно включаемые динисторы, а также в каждую из встречно параллельных цепей введены управляющий тиристор, конденсатор накачки

30 и зарядный диод, анодом подключенный к. катоду управляющего тиристора и к одной клемме конденсатора накачки, вторая клемма которого предназначена для подключения к .катоду реверсивно включаемого

35 динистора, причем катод зарядного диода предназначен для подсоединения к части комплексной нагрузки, анод управляющего тиристора предназначен для подключения к катоду диода, параметры цепи накачки вы40 браны из условия обеспечения скорости нарастания обратного тока накачки выше скорости нарастания прямого тока через реверсивно включаемый динистор,