Керамический материал

Керамический материал

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

О П И С А Н И Е ISII63

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависпмое от авт. свидетельства №

Заявлено 22. l I 1.1965 (№ 948024/29-14) Кл, 21с, 2/01 с присоединением -заявки №

МПК Н 010

УДК 621.315.612:546.621 (088.8) Приоритет

Опубликовано 15.IV.1966. Бюллетень № 9

Дата опубликования описания 9Х1.1966 йомитвт по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

1 ; н:: г; х у

Г Аветиков Г В Болдырева А А Зыгильский и 3 F-. )Bgpe÷ö-о ,...„, И п0 Гс1(Авторы изобретения

Заявитель

КЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ

3200 †40

Изобретение относится к керамическим материалам, используемым в приборах электронной и радиоэлектронной промышленности.

Известные керамические материалы на основе А1зОз с добавками силикатных композиций, содержащих ВзОс, СаО, SiO> и др., отличаются малой теплопроводностью и значительпым ростом диэлектрических потерь с повышением температуры и частоты.

Описываемый керамический материал обладает повышенной теплопроводностью и малыми диэлектрическими потерями при прочих равноценных физико-химических характеристиках. Это достигается тем, что указанные компоненты входят в материал в следующих количествах (в вес. %): А1зОс 98 — 98,5; ВвОс

0,5 — 0,6; СаО 0,6 — 0,7; кроме того, он содержит ZrO 0,4 — 0,7.

Описываемый материал характеризуется следующими основными показателями:

Объемный вес, г/c M3.... 3,89 — 3,93

Пористость истинная, %... 0,25 — 1,25

Предел прочности при статическом изгибе и температуре

20 С, кг/сл-

Теплопроводность при температуре 20 С, кал/слс сек оград 55 — 60

Тангенс угла диэлектрических потерь (1о б 104) при частоте

5 10тс га и температуре

20 C .. 0,5 — 1,5

500 С .. 1,0 — 2,0

Газоотделение, вес.

H2 ... 6 10 с

10 Ов .... 6 10

N и пр.... 1 ° 10

Материал хорошо металлизируется и обеспечивает получение вакуумпо-плотных спаев с металлами.

Предмет изобретения

Керамический материал, используемый в приборах электронной и радиоэлектронной техники, «а основе А1.0с, ВзОз и СаО, отла20 чаюи1ийся тем, что, с целью получения материала с малыми диэлектрическими потерями и повышенной теплопроводностью, указанные компоненты входят в следующих количествах (в вес. % ): А1зОз 98 — 98,5; ВеОз 0,5 — 0,6;

25 аО 0,6 — 0,7; кроме того, он содержит ZrO

0,4 — 0,7.