Патент ссср 181331
Иллюстрации
Реферат
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Сок!з Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства №
Кл. 42g, 1/10
За!яв !!ено 04.1.1965 (№ 936483/26-10) с присоединением заявки №
МПК G Olh
УДК 534.833.534 (088.8)
62-758.34 (088.8) Приоритет
Опубликовано 15.IV.1966. Бюллетень № 9
Дата опубликоьания описания 15.Ч1,196б
Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Мииистров
СССР! -- -! -аЗ11 Ц
1, 1"U, Й !" L>
Автор изобретения
А. Д. Лапин
Заявитель
СПОСОБ ЗАТУХАНИЯ ЗВУКА
Предмет изобретения
10 Способ затухания звука путем поглощения его в волноводе, облицованном звукопоглощающим материалом, отличающийся тем, что, с целью увеличения затухания звука, нормальные волны низкой частоты трансформируют в резонаторных отростках волновода в норма,н,ные волны высоких порядков (номеров), рошо поглощаемые на стенках волновода.
Известен способ поглощения звука, распространяющегося в волноводе, путем покрытия впутрепп!!х его стенок звукопоглощающимп материалами. При осуществле!!ии этого способа звукопогло!ц!!!опт!!е материалы песпособill>! поглоп!ать з!!мко!;ь!с вол!!ы и!!з!то!! частоты.
Осо!бсппость!о lip! л!!г<1с ÎÃÎ спосооа! 5!! ляется то, что нормальные волны низкой частоты трансформируют в резона горных отростках волновода в нормальные волны высоких номеров, поглощаемые па стенках волновода.
При таком способе обеспечивается пракrr!чески полное затухание звука в волповоде.
Сущность способа поясняется чертежом.
При р". ñïðîñòð,àíåíèè в волноводс /, облицованном звукопоглощающим материалом, звуковых волн, имеющих частоту, равную собственной частоте резонаторов илп близкую и ней, в резонаторах 2 происходит интенсивное рассеяние звука. В результате рассеяния нормальные волны низких номеров трансформируются в нормальные волны высоких номеров, которые поглощаются на сгепках волцовода.
18133!
Составитель Э. Леонтьев
Редактор В. П. Борисова Техред А. А. Камышникова 1(орректоры: М. П. Ромашова и С. Н. Соколова
Заказ 1549/13 Тираж 950 Формат бум. 60X90 /з Объем 0,1 изд. л. Подписное
ЦНИИПИ 1(омитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, Центр, пр. Серова, д. 4
Тгн ография, пр. Сапунова, 2