Управляемый аттенюатор

Управляемый аттенюатор

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Использование: относится к технике СВЧ и может быть использовано для управления мощностью сигналов в широкополосных системах в диапазоне от метровых до верхней границы сантиметровых волн, в том числе в составе гибридных интегральных схем. Сущность изобретения: в управляемом аттенюаторе, содержащем отрезок микрополосковой линии передачи, между полоском и заземленным основанием которого в отверстиях, выполненных в диэлектрической подложке, установлены полупроводниковые диоды, подключенные к управляющей цепи, сама управляющая цепь выполнена в виде единого резистивноемкостного элемента, который установлен в том же отверстии, что и соответствующий диод, между ним и заземленным основанием . 2 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (51)5 Н 01 Р 1/22

ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ

ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4715386/09 (22) 05,07.89 (46) 15.05,93.Бюл, № 18 (71) Киевский научно-исследовательский институт радиоизмерительной аппаратуры (72) И.Н.Винников, А,П.Кулики П.Г.Шумерук (56) Авторское свидетельство СССР ¹

987722, Н 01 P 1/22, 1983.

Патент Великобритании N 1568359,, кл. Н 01 P 1/15, 1980. (54) УПРАВЛЯЕМЫЙ АТТЕНЮАТОР (57) Использование; относится к технике

СВЧ и может быть использовано для управления мощностью сигналов в широкополосных системах в диапазоне от метровых до

Предлагаемое техническое решение относится к радиотехнике, и в частности к технике сверхвысоких частот (СВЧ), и может быть использовано для управления мощностью сигналов в широкополосных. системах в диапазоне от метровых до верхней границы сантиметровых волн, в том числе в составе гибридных интегральных схем (ГИС), Цель изобретения — уменьшение начальное ослабления при сохранении диапазона регулировки ослабления и КСВН в широком диапазоне рабочих частот, На фиг.1 изображена конструкция аттенюатора в разрезе вдоль осей отверстий, выполненных в подложке линии передачи; на фиг.2 — горизонтальная проекция фиг.1.

„„. Ж „„1815699 А1 верхней границы сантиметровых волн, в том числе в составе гибридных интегральных схем, Сущность изобретения: в управляемом аттенюаторе, содержащем отрезок микрополосковой линии передачи, между полоском и заземленным основанием которого в отверстиях, выполненных в диэлектрической подложке, установлены полупроводниковые диоды, подключенные к управляющей цепи, сама управляющая цепь выполнена в виде единого резистивноемкостного элемента, который установлен в том же отверстии, что и соответствующий диод, между ним и заземленным основанием. 2 ил.

Аттенюатор реализован на основе отрезка микрополосковой линии передачи, а между проводником 1 и заземленным осно- Q) ванием 2 которой в отверстиях 3, выполненных в диэлектрической подложке 4, у расположены полупроводниковые диоды 5 и 6, при этом в отверстиях, расположенных со стороны входа и выхода аттенюатора О между диодами 5 и основанием линии пере- . Q дачи 2 помещены резистивно-емкостные элементы 7.

Аттенюатор работает следующим образом.

Полупроводниковые диоды подключены к проводнику 1 посредством перемычки

8 Разделение СВЧ и НЧ цепей аттенюатора

1815699 осуществляется при помощи конденсаторов

9. Управляющее напряжение подводится через дроссель 10 к проводнику 1 и подается на диоды 5 и 6. Режим диодов 6 не требует подбора. Величина тока через диоды 5 определяется сопротивлением резистивноемкостных элементов 7, Значения сопротивлений рассчитаны таким образом, что сопротивления полупроводниковых диодов 5 возрастают по мере приближения их ко входу {выходу) аттенюатора, что обеспечивает хорошее согласование аттенюатора во всем диапазоне вносимых ослаблений в широком диапазоне частот, При этом максимальное значение вносимого ослабления в этом режиме будет не менее, чем у прототипа, поскольку основной вклад в ослабление СВЧ сигнала вносят центральные диоды 6, включенные непосредственно между проводником 1 и заземленным основанием 2 линии передачи.

При отсутствии управляющего напряжения (режим начального ослабления аттенюатора) полупроводниковые диоды 5 и 6 имеют большое сопротивление и вносимое ими ослабление мало. Кроме того, ввиду достаточно большого сопротивления диодов 5 в режиме начального ослабления аттенюатора, резистивно-емкостные элементы практически изолированы от взаимодействия с

СВЧ полем линии передачи и не вносят дополнительного ослабления, Конструкция предлагаемого аттенюатора такова, что проводники линии передачи непрерывны и линия практически однородна, т.е. отсутствуют потери за счет переотражений от неоднородностей линии передачи.

Таким образом, в заявленном аттенюаторе достигается положительный эффект снижения начального ослабления в широком диапазоне частот за счет отсутствия неоднородностей в линии передачи, выполнения управляющей цепи в виде единого резистивно-емкостного элемента, который установлен непосредственно в линии передачи в том же отверстии. что и соответствующий диод, между ним и заземленным основанием.

Авторами изготовлен макет предлагае"0 мого аттенюатора на основе отрезка микрополосковой линии передачи, выполненной из фольгиро ванного органического диэлектрика с малым значением диэлектрической проницаемости типа Ф4-МБСФ-2 толщиной

15 0,27 мм. B макете использованы р-i-и диоды типа 2А540А-5 в количестве 8 шт, и резистивно-емкостные элементы, изготовленные по МОП вЂ” технологии, в количестве 4 шт.

Макет в диапазоне 8-18 ГГц имеет началь20 ные потери не более 2 дБ, КСВН не более

1,5 во всем динамическом диапазоне вносимых ослаблений, максимальное вносимое ослабление не менее 70 дБ.

Формула изобретения

Управляемый аттенюатор, содержащий отрезок микрополосковой линии передачи, между полоском и заземленным основанием которого в отверстиях, выполненных в

30 диэлектрической подложке, установлены полупроводниковые диоды. подключенные куправляющей цепи, отл и ч а ю щи и с si тем, что, с целью уменьшения начального ослабления при сохранении диапазона регулировки ослабления и КСВ в широком диапазоне рабочих частот, управляющая цепь выполнена в виде единого резистивно-емкостного элемента, который установлен в том же отверстии, что и соответствующий

40 диод, между ним и заземленным основанием.

1815699

Фиг.2

Составитель П. Шуме рук

Техред М.Моргентэл КоРРектоР M. Куль

Редактор

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул, Гагарина, 101

Заказ 1639 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5