Составной транзистор

Составной транзистор

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Использование: в полупроводниковой Электронике, в генераторных и усилительных устройствах. Сущность изобретения: составной транзистор содержит транзисторы 1 и 2 одинаковой структуры, обратный диод 3 и стабилитрон 4. База первого транзистора соединена с эмиттером второго транзистора, переход база-эмиттер которого шунтирован обратным диодом. База второго , эмиттер первого и объединенные коллекторы первого и второго транзисторов являются соответственно базой, эмиттером и коллектором составного транзистора. Стабилитрон включен последовательно с диодом , при этом их аноды соединены,в результате чего уменьшается время запирания транзистора 1, что приводит к повышению быстродействия составного транзистора. 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (5!)5 Н 03 F 3/19

ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ

ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ ABTOPCKOMY CBMQETEflbCTBY (21) 4949592/21 (22) 26.06.91 (46) 23.65.93. Бюл, М 19 (75) НЯ.Юрьев (56) Транзисторы: Справочнйк. — М.: Радио и связь, 1989, с.5-6, рис.3, (54) СОСТАВНОЙ ТРАНЗИСТОР (57) Использование: в полупроводниковой электронике, в генераторных и усилительных устройствах. Сущность изобретения: составной транзистор содержит транзисторы 1 и 2 одинаковой структуры, обратный диод 3 и стабилитрон 4. База первого тран„„Я2„„1817225 А1

2 зистора соединена с эмиттером второго транзистора, переход база — эмиттер которого шунтирован обратным диодом. База второго, змиттер первого и объединенные коллекторы первого и второго транзисторов являются соответственно базой, эмиттером и коллектором составного транзистора. Стабилитрон включен последовательно с диодом, при этом их аноды соединены, в результате чего уменьшается время запирания транзистора 1, что приводит к повышению быстродействия составного транзистора. 1 ил.

1817225 и падением напряжения на диоде 3 и стабилитроне 4. В результате такого включения диода и стабилитрона уменьшается время запирания транзистора 1 и, как результат этого, уменьшается время запирания всего составного транзистора, что приводит к llQвышению его быстродействия.

Составитель Н.Юрьев

Техред M.Ìîðãåíòàë

Редактор Т.Иванова

Корректор M.Ïåòðîâà

Заказ 1730 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35. Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", r. Ужгород, ул.Гагарина, 101

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может использоваться в генераторных и усилительных устройствах.

Целью изобретения является повышение быстродействия.

На чертеже приведена принципиальная электрическая схема составного транзистора.

Составной транзистор содержит первый 1 и второй 2 транзисторы, обратныйдиод 3 и стабилитрон 4, Составной транзистор работает следующим образом.

При подаче на базу транзистора 1 относительно эмиттера транзистора 2 отрицательного запирающего напряжения к переходу база-эмиттер транзистора 1 прикладывается запирающее напряжение, равное падению напряжения на диоде 3 и 20 стабилитроне 4, а к переходу база — эмит1 ер транзистора 2 прикладывается разность напряжений между напряжением управления

Формула изобретения

Составной транзистор, содержащий первый и второй транзисторы одинаковой структуры, база первого транзистора соединена с эмиттером второго транзистора, переход база-эмиттер которого шунтирован обратным диодом, при этом база второго, эмиттер первого и объединенные коллекто- . ры первого и второго транзисторов являются соответственно базой, эмиттером и. коллектором составного транзистора, о тл ича ющийся тем,что,сцельюповышения быстродействия, последовательно с диодом включен стабилитрон, при этом аноды диода и стабилитрона соединены.