Формирователь импульсов

Формирователь импульсов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Использование: для управления модуляторной лампой импульсного модулятора в передающих устройствах с СВЧ-генераторами типа М. Сущность: устройство содержит модуляторную лампу (1), источник смещения (2), резистор смещения (3) и подмодулятор (4), в состав которого входят N транзисторов (5.1...5.N), N резисторов

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СО1 ИЛЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСГ1УБЛИК (я)л Н 03 К 3/53

ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ

ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕ НТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Ц

1ЧЬ

Цд (21) 4776729/21 (22) 03.01 90 (46) 23,05.93. Бюл, М 19 (71) Научно-исследовательский институт

"Квант" (72) А.А.Кузьмов, С.И.Москаленко и

И.В.Шамрина (56) Авторское свидетельство СССР

N 953702. кл, Н 03 К 3/53, 1982, Авторское свидетельство СССР

N 627575, кл. Н 03 К 5/01, 1978, (54) ФОРМИРОВАТЕЛЬ ИМПУЛЬСОВ.,5U, 1817229 А1 (57) Использование: для управления модуляторной лампой импульсного модулятора в передающих устройствах с СВЧ-генераторами типа М, Сущность; устройство содержит модуляторную лампу (1), источник смещения (2). резистор смещения (3) и подмодулятор (4), в состав которого входят N транзисторов (5.1...5.N), N резисторов (6,1„.6.N), импульсный трансформатор (7), N конденсаторов (8.1...8.N), N зарядных диодов (9.1...9,N) и N дополнительных зарядных диодов (10.1...10.N), 1 ил.

1817229

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в качестве устройства для управления модуляторной лампой импульсного модулятора в передающих устройствах с СВЧ-генераторами типа М, Целью изобретения является расширение области применения за счет обеспечения работы с модуляторной лампой, "0

Для этого в формирователь импульсов, содержащий N конденсаторов, N транзисто ров, N — 1 зарядных диодов, N — 1 дополнительных зарядных диодов, диод, N резисторов, источник питания нагрузки и источник управляющего сигнала, при этом коллектор каждого транзистора соединен с первой, обкладкой соответствующего. конденсатора, база каждого транзистора соединена с первым-выводом соответству- 20 ющего резистора. коллектор каждого ão транзистора, где = 1...(N 1), соединен с анодом соответствующего !-ro зарядного диода, катод каждого из которых подключен к коллектору (!+1)-го транзистора, змиттер !

-го транзистора подключен к второй обкладке (!+1)-го конденсатора и аноду i-го дополнительного зарядного диода, катод .которого соединен с эмиттером ()+ 1)-ro транзистора. дополнительно введены им- 30 пульсный трансформатор и резистор смещения, причем в качестве источника питания нагрузки использован источник смещения, нагрузкой является промежуток сетка — катод модуллторной лампы, положи- 35 тельный полюс источника смещения соединен с катодом модуляторной лампы и анодом диода, катод которого подключен к первой обкладке первого конденсатора, вторая обкладка которого соединена с отри- 40 цательным полюсом источника смещения и первым выводом резистора смещения, к второму выводу которого подключены сетка модуляторной лампы и эмиттер N-ro транзистора, источник управляющего сигнала под- 45 ключен к первичной обмотке импульсного трансформатора, N вторичных обмоток которого включены соответственно между вторым выводом резистора и эмиттером. каждого из транзисторов. 50

Введение новых элементов и связей позволяет использовать формирователь в качестве устройства управления модуллторной лампой, чем достигается поставленная цель. 65

На чертеже изображена схема формирователл импульсов.

Формирователь импульсов работает на модуляторную лампу 1, между сеткой и катодом которой включены последовательно соединенные источник смещения 2 и резистор смещения 3.

К сетке модуляторной лампы 1 подключен своим выходом подмодулятор 4, содержащий N транзисторов 5, базы которых через ограничивающие резисторы 6 и вторичные обмотки импульсного трансформатора 7 соединены со своими эмиттерами, коллекторы транзисторов 5 соединены с первой обкладкой конденсаторов 8, вторые обкладки которых подключены к эмиттеру предыдущего транзистора. Коллекторы транзисторов 5 соединены через зарядные диады 9, а эмиттеры — через дополнительные зарядные диоды 10. Коллектор первого транзистора 5 соединен с катодом диода 11, анод которого подключен к положительному полюсу источника смещения, Эмиттер последнего транзистора является выходом модулятора 4 и подключен к:сетке модуляторной лампы 1. Вторая обкладка первого из конденсаторов 8 подключена к точке соединения источника смещения 2 и резистора смещения.

Формирователь импульсов работает следующим образом, В исходном состоянии при отсутствии импульса запуска модуляторная лампа 1 заперта напряжением источника смещения 2, подаваемого на сетку модуляторной лампы через резистор смещения 3, Транзисторы 5 подмодулятора 4 также заперты, а конденсаторы 8 заряжены до напряжения источника смещения 2. Заряд конденсаторов 8 происходит по цепи: диод 11 — зарядные диоды 9 — дополнительные зарядные диоды

10- резистор смещения 3.

При подаче импульса запуска на пер-. вичную обмотку импульсного трансформатора 7 на его вторичных обмотках наводится импульс напряжения, включающий через резисторы 6 транзисторы 5. При этом все конденсаторы 8 включаются в последовательную цепь. Происходит их частичный разряд по цепи. "включенные транзисторы 5 — промежуток сетка — катод модуляторной лампы 1-- источник смещения 2. К промежутку сетка — катод модуляторной лампы 1 прикладывается напряжение, равное алгебраической сумме напряжений источника смещения 2 и напряжений на конденсаторах 8, т.е. равное U(N — 1), где U — величина напряжения источника смещения.

По окончании импульса запуска с трансформатора 7 транзисторы 5 запираются, с сетки модуляторной лампы 1 снимается управляющий импульс. Модуляторная лампа запирается источником смещения 2, конденсаторы дозаряжаются до напряжения источника смещения, 1817229

Составитель И.."шамрина

Техред М.Моргентал Корректор, М.Петрова

Редактор Т.Иванова

Заказ 1730 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета Ао изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/6

Производственно-издательский комбинат "Патент", r. Ужгород, ул,Гагарина, 101

Таким образом можно формировать ник питания нагрузки и источник управляюимпульс напряжения на сетке модулятор- щего сигнала, при этом коллектор каждого ной лампы, амплитуда которого превыша- транзистора соединен с первой обкладкой ет допустимое напряжение на одном соответствующегоконденсатора,баэатрантранзисторе, При этом нестабильность им- 5 зистора соединена с первым выводом соотпульса управления определяется неста- ветствующего резистора, коллектор бильностью одного источника смещения, каждого i-го транзистора, где l = 1...(N-1), что расширяет возможности применения соединен с анодом соответствующего l-го формирователя. зарядного диода, катод каждого из которых

Проведенные исследования подтверди- 10 подключен к коллектору (!+1)-ro транзистоли работоспособность формирователя им- ра, эмиттер 1-го транзистора подключен к пульсов. Формирователь применен для второй обкладке (И+1)-го конденсатора и управления модуляторной лампой ГМИ- аноду й-го дополнительного зарядного дио42Б,Требуемаяамплитудапревышения(им- да, катод которого соединен с эмиттером пульса управления модуляторной лампой 1) 15 (N+ 1)-ro транзистора, о тл и ч а ю шийся порядка 800 Вформируется от источника тем,,что, с целью расширения области присмещения напряжением 400 В со стабиль- менения за счет обеспечения работы с моностью напряжения + 2% и возможностью . дуляторной лампой, в него дополнительно регулировки + 30% при помощи трех,тран- введены импульсный трансформатор и резисторов 2Т506А, Максимальная величина 20 зистор смещения. причем в качестве источнапряжения смещения для лампы ГМИ-425 ника питания нагрузки использован ограничивается напряжением 600 Б, поэто- источник смещения, а нагрузкой является му такие изменения напряжения смещения промежуток сетка — катод модуляторной допустимы. Импульсный токанода модуля- лампы, положительный полюс источника торной лампы поддерживается в пределах 25 смещения соединен с катодом модулятор+ 2% при изменении анодного напряжения ной лампы и анодом диода, катод которого модуляторной лампы 15 кВ в пределах подключен к первой обкладке nepeoro кон - 10%. денсатора, вторая обкладка которого соедиt

Защита транзисторов от перенапряже- нена с отрицательным полюсом источника нийпри пробояхвмодуляторнойлампеосу- 30 смещения и первым выводом резистора ществляется с помощью диодов, смещения, к второму выводу которого подвключенных в обратном для транзисторов. ключены сетка модуляторной лампы и эмитнаправлении (не показаны). тер Й-ro транзистора, источник улравляющего сигнала подключен к первичФ о р м у л а и з о б р е т е н и я 35 ной обмотке импульсного трансформатора, Формирователь импульсов, содержа- .. М вторичных обмоток которого включены щий N транзисторов, N конденсаторов, N-1 соответственно между вторым выводом резарядных диодов, N-1 дополнительных за- . зистора и эмиттером каждого из транзисторядных диодов; диод, и резисторов, источ- ров.