Полупроводниковый лазер с электрической накачкой

Полупроводниковый лазер с электрической накачкой

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

О П И С А Н И Е (ii) ISI737

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ йоюз Советских

Социалистических республик (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 30.03.65 (21) 950840/26-25 с присоединением заявки № (32) Приоритет

Опубликовано 15.04.75. Бюллетень № 14

Дата опубликования описания 15.09.75 (51) М. Кл. Н 03b 3/09

Государственный комите1 авеста Министров СССР ло делам изобретений н открытий (53) УДК 621.375.8 (088.8) у а И Ю М +

Ж. И. Алферов и P. Ф. Казаринов (72) Авторы изобретения (71) Заявитель

Физико-технический институт им. А. Ф. Иофф (54) ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ЛАЗЕР С ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ

НАКАЧКОЙ

Уже известно использование р †/ — и структур при построении рабочего тела полупроводникового лазера. Однако такие устройства не обеспечивают непрерывный режим работы при повышенных температурах.

Предлагаемый полупроводниковый лазер с электрической накачкой выполнен в виде монокристальной структуры р — — n (р+ — и — и+, n+ — р — р+) и ширина запрещенной зоны в крайних (р, p+), (n„n+) слоях (эмиттерах) больше ширины в среднем (i, р, n) слое. Такое выполнение лазера позволило увеличить излучательную поверхность и использовать новые материалы в различных областях спектра.

В качестве эмиттеров полупроводниковых материалов используются такие, ширина запретной зоны которых превышает ширину зоны в основном материале, что повышает к. п. д. устройства.

Структуры p+ — n — и+ на основе фосфида галлия и сульфида кадмия в качестве эмиттеров и селенида кадмия в качестве активного вещества при той же геометрии позволяют осуществить лазер в видимой части спектра с пороговой плотностью тока порядка 100 а/см .

Большим преимуществом такой системы является то обстоятельство, что поглощение воз5 никающего излучения в пассивных областях может быть сведено к минимуму. Межзонное поглощение вынужденного излучения отсутствует вследствие большой ширины запрещенной зоны в эмиттерах.

10 В активном слое с меньшей шириной запрещенной зоны концентрации инъектированных носителей будут достаточными для инверсии населенности краев зоны.

Предмет изобретения

Полупроводниковый лазер с электрической накачкой, отличающийся тем, что, с целью увеличения излучательной поверхности и использования новых материалов в различ2Э ных областях спектра, он выполнен в виде монокристальной структуры p — t, — и (p+ — п—

n+, и+ — р — p+) и ширина запрещенной зоны в крайних (р, p+), (и, и+) слоях (эмиттерах) больше ширины в среднем (i, р, n) слое,