Способ определения структуры псевдоожиженногослоя
Иллюстрации
Показать всеРеферат
I84490
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства №
Заявлено 24.Ч.1965 (№ 1009952/23-26) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 21,VII.1966. Бюллетень № 15
Дата опубликования описания 10.IX.1966
Кл, 42k, 14/04
МПК G Oll
УДК 66.096.5:621.3.083.8 (088.8) Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров
СССР
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ СТРУКТУРЫ ПСЕВДООЖИЖЕН НОГО
СЛОЯ
Изобретение относится к области исследования процессов псевдоожижения, а именно — к определению структуры взвешенного слоя.
Известные способы определения структуры псевдоожиженного слоя, заключающиеся в измерении импульсов давления вводом в кипящий слой тензометрического датчика и фиксации этих измерений осциллографом, имеют тот недостаток, что позволяют проводить исследования лишь в узком диапазоне температур кипящего слоя.
Предлагаемый способ дает возможность определять структуру при любой температуре кипящего слоя. С этой целью импульсы давления направляют в канал упругого элемента, для чего используют трубку из материала, подобранного в зависимости от температуры кипящего слоя, один конец которой вводят в этот слой, а другой соединяют степзодатчиком.
Таким образом, чувствительный элемент датчика — тензометрические сопротивления — находится вне кипящего слоя. Кроме того, к концу трубки, который вводят в кипящий слой, припаивают сетку для защиты от попадания частиц из этого слоя.
Импульсы пульсации давления в кипящем слое через трубку поступают к присоединенному тензодатчику и, усиленные тензометрической станцией, записываются шлейфным осциллографом.
Предмет изобретения
Способ определения структуры псевдоожиженного слоя, заключающийся в измерении импульсов давления с помощью тензометрического датчика и фиксации этих измерений осциллографом, отличающийся тем, что, с целью анализа при любой температуре, импульсы давления направляют в канал упругого эле20 мента, например трубки.