Способ обработки поверхности полупроводниковыхприборов

Способ обработки поверхности полупроводниковыхприборов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

I86632

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЯЫЛВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 16.11.1965 (1чЪ 943049/26-25) с присоединением заявки ¹

Приоритет

Огубликовано 121Х,1966. Бюллетень № 18

Дата опубликования описания 20.Х.19бб

1хл. 21g, 11/02

МГЭИК Н Oll

Комитет по делам изобретений и открытий при Спеете Министрое

СССР

УД 1х 621.382.2/3 (088.8)

Лвтор изобретения

Г, В. Смирнов

Институт физической химии AH СССР

Заявитель

СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ

ПРИБОРОВ

Известны способы обработки поверхности полупроводниковых приборов, например кремниевых триодов, безводным газообразным фтористым водородом и сухим кислородом с промежуточным вакуумированием рабочего объема до 1 ° 10 — 4 лтм рт. ст.

Предлагаемый способ отличается от известных тем, что после воздействия фтористого водорода и последующего вакуумирования рабочего объема до 1 10 — 4 мм рт. ст. обрабатываемую поверхность подвергают воздеиствию кислорода при давлении порядка 1 мм рт, ст. Способ позволяет получить более стабильные и низкие значения обратных токов и увеличить коэффициент усиления по току.

Сущность предлагаемого способа заключается в следующем. Полупроводниковые приборы после сборки на ножку, стандартного химического травления и промывки помещают в реактор из нержавеющей стали. В реакторе создают вакуум порядка 1 ° 10 — 4 мм рт. ст. и подвергают воздействию газообразного фтор истого водорода при давлении порядка

100 мм рт. ст. и комнатной температуре.

После откачки фтористого водорода из ре5 актора прибор подвергают воздействию сухого кислорода при давлении порядка 1 мм рт. ст.

Предмет изобретения

1р Способ обработки поверхности полупроводниковых приборов, например кремниевых триодов, безводными газообразными фториc1ым водородом и кислородом с промежуточным вакуумированием рабочего объема до

15 1 ° 10 — 4 мм рт. ст., отличающийся тем, что, с целью получения низких и стабильных значений обратных токов и увеличения коэффициен. та усиления по току, обработанную фтористым водородом поверхность прибора подвер20 гают воздействию кислорода при давлении порядка 1 мм рт. ст.