Элемент памяти

Элемент памяти

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

I87409

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 26.Ч.1965 (№ 1009125/26-24) с присоединением заявки №

I!риоритет

Опубликовано 11.Х.1966. Бюллетень № 20

Кл. 42m, 14

21ат, 37/52

МПК Ст 06f

Н 03k

УДК 681.142.07(088.8) Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ

Элементы памяти, состоящие из бинистора, транзистора и ограничивающих сопротивлений, известны.

Предложенный элемент отличается тем, что первый управляющий электрод бинистора подключен к базе транзистора и через сопротивление — к плюсу источника питания.

Это позволяет сократить оборудование, выполнить элемент в твердосхемном исполнении н повысить надежность.

На чертеже показан предложенный элемент памяти.

Он состоит из бинистора 1, ключевого транзистора 2 и ограничивающих сопротивлений

8, 4, 5.

Питание схемы постоянным напряжением осуществляется от источника U,, минус которого подключен к клемме б, а плюс заземлен и от источника U„, у которого плюс подключен к клемме 7 и заземлен минус. Управляющее напряжение синусоидальной или иной формы, подаваемое от источника управляющего напряжения на клемму 8, управляет работой ячейки.

Бинистор 1 может находиться в двух устойчивых состояниях, открытом илн закрытом.

Открывается он при подаче на вход 9 импульса положительной полярности, что соответствует записи «единицы».

Стирание «единицы» происходит в момент подачи положительного напряжения на эмиттер ключевого транзистора 2. Базовым током транзистора 2 бинистор 1 закрывается, так как обратный ток его первого управляющего электрода увеличивается.

Одновременно транзистор 2 за счет базового тока открывается и на выходе 10 появляется положительный импульс считывания, длительность которого определяется временем выключения бинистора. После запирания бинистора 1 ключевой транзистор 2 также закрывается напряжением от источника U,„,.

Предмет изо бретени я

Элемент памяти, состоящий из бинистора, 2о транзистора и ограничивающих сопротивлений, отличающийся тем, что, с целью сокращения оборудования, выполнения элемента в твердосхемном исполнении и повышения надежности, первый управляющий электрод бипистора подключен к базе транзистора и через сопротивление — к плюсу источника питания.

187409

Составитель Ю. Ьольшов

Редактор Л. А. Утехина Текред А. А. Камышникова Корректоры: С. Н. Соколова и Л. Е. Марисич

Заказ 8898/! 5 Тираж 1750 Формат бум. 60+90 /ц Ouüåì О,l изд. л. Подписное

HIllI! IIIII Комитета по делам изосретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Тппогра<рня, пр. Сапунова, 2