Гальваническая модель chfтгсяг

Гальваническая модель chfтгсяг

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАН ИЕ l90084

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Саюа Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 23,111,1964 (№ 890961/26-24) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 16.Х11,1966. Бюллетень № 1

Дата опубликования описания 30.1.1967

1(л. 42m, 14

М11К 6 06f

УД 1(681. 142-523.8.07 (088.8) Комитет по делам иаобретений и открытий при Совете Министров

СССР торы изобретения Я, А. Райхман, М. П. Толмачев, A. А-;-Гаврилкин и И. И. Курилова

Предмет изооретения

Известна гальваническая модель синапса, содержащая сосуд с раствором электролита и помещенные в него два электрода.

Предложенное устройство отличается от известных тем, что регулируемым параметром является степень прозрачности электролита, помещенного в сосуде, образованном шайбой из непроводящего материала и двумя стеклянными пластинами. Одна из пластин покрыта прозрачным слоем металла, являющимсяэлектродом, а между второй стеклянной пластиной и электролитом помещена металлическая шайба, служащая вторым электродом.

Это позволяет устранить иска>кение информации при считывании.

На чертеже показан гальванический синаптический элемент, предназначенный для работы в цепях обучающихся устройств.

Элемент состоит из прозрачной стеклянной пластины 1 и стеклянной пластины 2 с нанесенным на нее прозрачным электропроводящим покрытием 8. Между ними помещены изоляционная шайба 4 и медная шайба 5, имеющая меньшее отверстие, чем изоляционная. Образовавшаяся камера 6 заполняется электролитом, Медная шайба 5 и электропроводящее покрытие 8 являются электродами гальванической модели синапса.

В исходном состоянии коэффициент пропускания светового потока 7 определяется оптическими свойствами стекла н электролита и является максимальным. При подаче полохкнтельного потенциала на шайбу 5 и отрицательного на покрытие 8 начинается процес". электролиза, и на электропроводящем покрытии образуется медная пленка 8, коэффициент пропускання которой определяется количеством осажденного металла.

При смене полярностей потенциалов на

10 электродах происходит стравливание медной пленки 8 и коэффициент пропускаштя гальванического элемента растет.

Таким образом, предлагаемая гальваническая модель синапса обладает управляемым коэффициентом передачи световой ннформа-. п,ии с памятью

Световой поток, проходящий через элемент, может быть зарегистрирован соответствующим фотоприемником.

Гальваническая модель сннапса, содержащая сосуд с раствором электролита и помещенные в него два электрода, отличатоитияс

30 шайбой из непроводящего материала и двумя

190084

Составитель В М. Головков

Редактор Л. А. Утехина Техред А. А. Камышникова Корректоры: О. Б. Тюрина и Е. Д. Курдюмова

Заказ 4335/13 Тираж 535 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, пр, Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, 2 стеклянными пластинами, одна из которых покрыта прозрачным слоем металла, являющимся электродом, а между второй стеклянной пластиной и электролитом помещена металлическая шайба, служащая вторым электродом.