Способ плавки электропроводящих материалов

Способ плавки электропроводящих материалов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

l9 0575

ОПИСАНИ Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Кл. 40а, 9/12

21h, 16/60

Заявлено 19.XI.1964 (№ 930493/22-2) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 29,XII.1966. Бюллетень № 2

Дата опубликования описания 6.II.1967

Номйтет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

МП1(C 22b

Н 05Ь

УД К 669.04:621.365.69 (088.8) Автор изобретения

А, Ф. Найденов

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе

Заявитель

6нь: »-,,-,;

СПОСОБ ПЛАВКИ ЭЛЕКТРОПРОВОДЯЩИХ МАТЕРИАЛОВ

Известен спосоо плавки электропроводящих материалов, например вольфрама, во взвешенном состоянии, по которому нагрев образца и его удержание в твердом и жидком виде осуществляется переменными магнитными полями, различающимися по частоте и напряженности.

Отличием описываемого способа является то, что нагрев парящего образца, удерживаемого переменным магнитным полем, осуществляют электронным пучком, направленным вдоль оси или плоскости симметрии поля, а ток и напряжение электронного пучка регулируют в соответствии с суммарной величиной вторичной электронной и термоэлектронной эмиссий с поверхности образца.

Использование магнитного поля только для удержания образца в жидком и твердом виде при нагреве образца электронным лучом дает возможность увеличить интервал непрерывного регулирования температуры переплавляе»oro образца.

Предмет изобретения

Способ плавки электропроводящих материалов, например вольфрама, удерживаемых во взвешенном состоянии переменным магнитным полем с конфигурацией, имеющей ось

10 или плоскость симметрии, отличающийся тем, что, с целью увеличения интервала непрерывного регулирования температуры, нагрев парящего образца осуществляют электронным пучком, направленным вдоль оси или плоско15 сти симметрии удерживающего поля, причем ток и напряжение электронного пучка регулируют в соответствии с суммарной величиной вторичной электронной и термоэлектронной эмиссий с поверхности образца,