Реле времени на полупроводниковых приборах

Реле времени на полупроводниковых приборах

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимoc OT авт, свидетельств". ¹

Заявлено 09.I I I,1966 (¹ 1060876/26-24) Кл. 21о, 4/05 с присоединением заявки №

NI I K, Н 0 1h

УДК, 621.318.57(088.8) Приоритет

Комитет по»»ь>ав> изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

Опубликовано 14Л.1967. Бюллетень ¹ 3

Дата опубликования описания 10.111.19á7

РЕЛЕ ВРЕМЕНИ НА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРАХ

Известны реле времени lie полупроводниковых приборах, содер5кащие мостовую схему с времязадающнм конденсатором, работающим в режиме перезаряда и управляемым транзисторными ключами.

Предложенное устройство отлнча ется uò известных тем, что вход транзисторных ключей соединен с выходом дополпнтсльной cxcMbi стабильной выдержки Bpci lcHII, задающей уровень заряда врсмязадающего конденсатора.

Это повышает точность выдержки времени в широком диапазоне изменения окружающей температуры.

На черте»же дана схема устройства.

Мост содержит два сопротивления R» и R>, ключ Т» и диоды Д», Дз. В диагональ моста вклю IEIIbl эмиттерно-базовый переход транзистора Т и конденсатор С», работа»ощий в режиме перезаряда. Конденсатор С» соединен последовательно с сопротивлением R3 для обеспечения запирания транзистора Т, в момент подключения источника — Е„питания ключом К». Коллектор транзистора Т.,соединен с выходом усилителя ВУ.

Дополнительная схема cTHáiiëüíoé выдер>кки времени выполнена такхке в виде моста, плечи которого образованы сопротивлениями

R», R„-, стабнлитроном Д» н конденсатором С,, а в диагональ включен эмнттсрно-базовый переход транзистора Т».

Коллектор транзистора Т;, через сопрот»гвление Я» соединен с базой кл»оча Т», кол.IcK5 тор которого в свою очередь через сопрогнвлеш»с R-, соединен с базой ключа Т». Диод Д» с сопротивлением Rg и диод Д. с сопротивлением i,> образуют цепи смсщення для указанных ключей. Д>год Д-, IcoiilleHciipyeT Te»,iep->10 турные II3 1PHcHI»5I напряжения эмнттер-база транзистора Тз.

В момент подачи напря5кецня от источника — Е„диод Д» насыщен, транзистор Т, за15 перт. Происходит заряд конденсатора С, через сопротивление R» (должно соблюдаться условие Л» ((R>) . Одновременно заряжается конденсатор С;, н когда напряжение на нем становится приблизительно равны.;1 вели п»н».

20 н и и Р Я5ке H II II cT;1 011. I I I TP oil а Дз, в коллектоР ной цепи транзистора Тз появляется ток.

При этом транзисторы Т, и Т» переключаются, транзистор Т, насыщается, а диод Д, запирается. Конденсатор С» начинает переза25 ряжаться через большое сопротивление R

Когда напря5кенне эмнттер-база транзистор;.

7 llpl10 IH311TcB K ну,110, в cro Ko,l,lcкторной цепи появляется ток, который поступает IIII выходной усилитель. Этот сигнал соответствует

30 окончанию выдержки времени.

190992

Предмет изобретения

Ф

IP У к %

Составитель И, Засядииков

Редактор Л. A. Утехина Техред Л. Бриккер Корректоры: А. М. Смак и М. П. Ромашова

Заказ 267 13 Тираж 535 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров CCCF"

Москга, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, д. 2

Б качестве конденсатора С1 может быть использован малогабаритный электролитнческий конденсатор. Б этом случае между ба зой транзистора Т и одной из его обкладок последовательно с диодом Дв включают сопротивление Я(1„для обеспечения выдачи н11ходного сигналя до полного разряда конденсатора Сь

Температурные изменения емкости коппс исатора Ст автоматически учитываются прн заряде конденсатора определенным током н течение эталонного времени (норяд1сл дсс ятых и сотых долей секунды), задаваемого;1онолннтельной времязадяющей схемой. Температурныее изменения емкости вызывают измене; ния величины начального напряжения в конце процесса зарядя. Разряд конденсатора от этого начального напряжения до минимально- . го напряжения определяет ockroBIIóro величн-. ну выдержки времени, нс зависящу1о от температуры, Реле времени kra полупроводниковых npu6npH÷, содержащее мостоьую схему с времязадающим конденсатором, работающим в режиме перезаряда и управляемым транзисторными ключами, нуль-индикатор, включенньп". в днагопаль указанной мостовой схемы, н вы: одной усн„нтель, от1ича1ощееся тем, что, с целью повьпнения точности выдержки времени в нп1роком диапазоне изменения окружающей температуры, вход транзисторных ключей соединен с выходом дополнительной схемы стабильной выдержки времени, задающей уровень заряда времязадающего конденсатора.