Аппарат для контактных процессов в неподвижном слое сыпучей насадки

Аппарат для контактных процессов в неподвижном слое сыпучей насадки

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

АППАРАТ ДЛЯ КОНТАКТНЫХ ПРОЦЕССОВ

В НЕПОДВИЖНОМ СЛОЕ СЫПУЧЕЙ НАСАДКИ

Известен аппарат для контактных процессов в неподвижном слое сыиучей насадки при восходящем дви>к(нии в ием потоков газа, >кидкости, содержащий бункер, реакционный аппарат с сыпучей насадкой и закрывающую сверху слои насадки жестко закрепленную сеиарациониую решетку.

Предчожениое устройство отличается тем, что, с целью удержания в аппарате слоя и

II СОСТОЯ llllH ири л Юоых С f(0pOCTH х фильтруя)щего потока, ме>кду бункером и сенарацнонной решеткой расположены одна или несколько труб (сыну !ей насадкой, отношение высоты которых к диаметру ис мсисс 3: 1 и от!кипение диаметра к радиусу элемента насадки не менее 6: 1.

11а черте>ке схематично представлено предложенное устройство.

Устройство состоит из бункера /, рсякцион-! юго аппарата 2, ccttapatttlofflioi решетки 8 и тpуб 4.

ЕC, I II lt<3д ироду>ваемым IICIIOi(l)ff >I<)f 1>t At С, )ос>>>1 материала 5 разместить llсиродуl3асмый слои

6, !Tрукицсгося ш)тока. 1>0,!Сс того, как иоказыва!от опыты, иод воздействием динамических факторов нижний с,н)й IIO(T(fief fifo уи IOTIIHcTcH и cTaált Ill:)If j))< стcH C), I I)г0itàðH Occi)àl)!)!o частиц верхне)о слоя. 110этому высоту верхнего нсиродувясмого слоя следует выбирать с у и том возмож))ого уи IOTпения нижнего слоя.

ЕСТеСТвс I I I i 0, д, 1 я II ð0 M 1>l )II Iå I I и ы х <1ll ?? ???? 1????13 ?????? ????????????.(???????????? ?????????????????? ???????????????? b)ill>1, 5 ш>)сота которых 13 несколько раз lf 1)0âûøàñò диаметр. Здесь достат()чно разместить исског!!ко вертикальных труб небольшого,тиамс)ря с некоторым запасом материала иад ними д IH восполнения потерь ирн уилотиенш! слоя. 11ри

10 этом высота /! каждой трубки будет отвечать отношению /t/(/== )/1 в зависимости От диаметра. Минимальный диаметр иерстî fftf tx труб дочжсн быть нс меньше шести диаметров частиц, 15

1! р E . д м (Т I I 3 0 (i p с Т с I l II H

<«>и)!ЯРЯт д. ill контакт ньlх IfРОцсссов в I(.)1020 Диив(ном с, 10(. с!>Ifl! I(й lfa(ЯДки IIP)f ио() () IHЩсм Дии:кении в fl(. м IIOT01<01) газа, >f(tf;11(0(гll включан)щий t)) !f1<(. ð, рсакци(и)ный яппя )aT, :) Я ИОЛ )ICI I) I I>l и (l>111У<1(((ll 1)a(ЯДКОЙ, f f . ) ЯК P f>I I> <) l<) щуlo сверху этОт (, )ой няс<)дкн if((. стко зякр(и25 ленную сси )j)al)IIOIIII)>ю решетку, огл!! I(II()< jf!!1ся тем, что, с целью удс1)>каш)я н allll

cJIoH l3 ком ияктном c0cToallllll ll1)ll .)к)бых l(0j)ocTHx фи, )ьтрукицс! 0 иотокя, м(жду Г)тl3к(ром и ccliap;lltilnftlloi решеткой рясно>!О.кси!

30 одна или несколько всртикял)и!ых Tj)y(), заи )л191493 шение дпаметра к размеру элемента насадки не менее б: 1.

Сос>»»»òñëü Лебедева

1скрсд Л. Л. камы»<никона

Реда к тор Б. Б. Федо ro в

1 111411(111 <

Зака:< (2()(/2 Гир«.к 53 > lI (> д « » с > < (> (.

1ll1 К<>м»тета по делам»«>(>(>c((.»»h< и открь<тий при Со»етс Ми»»строп (.((;i

Москва, ((c»T(>, »р. С:сроп», д, 4

Ти»огра(рнн, пр, Сапун<>»а, 2 пенных сыпучей насадкой, имеющих отношение высоты к диаметру не менее 3: 1 н отноКоррск>ор<,> A. М, Сл<ак и С. hl. 1>е.<у<и» <