Патент ссср 191637
Иллюстрации
Реферат
l9I637
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства №
Заявлено 15.Х.1965 (№ 1034205/26-24) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 26.1.1967. Бюллетень № 4
Дата опубликования описания ЗО.III.1967
Кл. 21ат, 37/16
МПК G 06f
УДК 681.142.07(088.8) Комитет по делам каобретвиий и открытий при Совете сйиииотров
СССР
Авторы изобретения
Г. П. Жариков и В. В. Звягинцев
Институт кибернетики АН Украинской CCP
Заявитель
ТОНКОПЛЕНОЧНАЯ ЗАПОМИНАЮЩАЯ МАТРИЦА
Известны тонкопленочные запоминающие матрицы, выполненные из дискретных магнитных пленок низкокоэрцитивного сплава (например, NiFe или NIFeCo, NiFeP), осажденных на подложку.
Предлагаемое устройство отличается тем, что на подложку осаждена сплошная пленка немагнитострикционного материала 10%
Fe — 90% Со. Это позволяет создать необходимую область допустимых изменений управляющих токов и исключить промежуточный слой.
На чертеже показана предлагаемая матрица.
Дискретные пленки 1 с пологими краями, осажденные на подложку 2 матрицы, покрыты сплошным слоем высококоэрцитивного материала 8.
Если толщины слоев малы и отсутствует промежуточный слой изоляции, магнитные свойства слоев усредняются. Толщины слоев подобраны так, чтобы магнитные свойства двухслойной пленки несущественно отличались от свойств дискретных пленок в сторону увеличения Н, и Н» (т. е. толщина высококоэрцитивного слоя много меньше толщины низкокоэрцитивного слоя) .
На пологих краях дискретных пленок, где соотношение толщин слоев изменяется за счет уменьшения толщины низкокоэрцитивного слоя, Нн,в возрастает, что и образует барьер
5 высокой коэрцитивной силы. Сплошной слой материала с большим Н, и Н» уменьшает разброс направлений осей анизотропии дискретных пленок.
Вследствие больших Н, и Н» сплошного
10 слоя на участках между дискретными пятнами состояние намагниченности этих участков от изменения намагниченности двухслойных пленок не изменяется, и взаимосвязь между намагниченностями соседних элементов через
15 м агнитную среду отсутствует.
Предмет изобретения
Тонкопленочная запоминающая матрица, выполненная из дискретных магнитных пле20 нок низкокоэрцитивного сплава, например, NiFe, %РеСо или NiFeP, осажденных на подложку, отличающаяся тем, что, с целью создания необходимой области допустимых изменений управляющих токов и исключения
25 промежуточного слоя, на подложку осаждена сплошная пленка немагнитострикционного материала 10% Fe — 90% Со.
191637
Редактор В. В. Дербинов
Техред Л. Бриккер
Корректоры: Л. Е. Гришина и H. Н. Самыгина
Типография, пр. Сапунова, 2
Заказ 729/7 Тираж 535 Подписное
LIHHHIIH Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, Центр, пр. Серова, д. 4