Патент ссср 194430

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

l94430 тииоа Советски а Сопиалистичесниа

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 06Х.1966 (№ 1074168/26-24) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 30.1111967. Бюллетень № 8

Кл, 42пт, 36

МПЕ, б 061

УДК 681.142:513.621,7 (088.8) Комитет по делам маобретений и открытий при Совете Министров

СССР

СПОСОБ ОПТИЧЕСКОЙ КОРРЕЛЯЦИИ

В известных способах оптической корреляции используют электрохимические модуляторы или оба процесса записывают на фотопленку. В тех случаях, когда определяется взаимная корреляция, возможно многократное использование одной из реализаций процесса, записываемой на фотопленке.

С целью упрощения процесса анализа, предложен способ, согласно которому считывание осуществляют путем освещения полупроводникового слоя через фотопленку с записью вто-„ого процесса, перемещаемую относительно слоя полупроводникового материала.

Сначала тонкий полупроводниковый слой равномерно заряжают электрическими зарядами. На этом слое записыв" þò второй процесс, изменяемый при каждой обработке. Затем, перемещая вдоль слоя узкий световой штрих, модулированный по яркости записываемым сигналом, осуществляют перераспределение зарядов по слою, т. е. образуется потенциальный рельеф, где большей яркости соответствует большая фотопроводимость.

Для определения взаимокорреляционной функции полупроводниковый слой освещают через перемещаемую фотозапись второго процесса. На небольшом расстоянии от полупроводникового слоя расположен прозрачный электрод, например стекло, фольгированнос тонким слоем золота. При разряде полупроводникового слоя светом, прошедшим через фотозапись, в прозрачном электроде индуцпруется сигнал, пропорциональный взапмокор10 реляционной функции, который затем может быть усилен и записан.

Предмет изобретения

Способ оптической корреляции с использованием записи одного из сигналов на фотопленку, а второго — на топкий слой полупроводникового материала, отлача ощш ся тем, что, с целью упрощения процесса анализа, считывание осуществляют путем освещеш я полупроводникового слоя через фотопленку с записью второго процесса, перемещаемую относительно слоя полупроводникового материала.