Патент ссср 195215
Иллюстрации
Реферат
ОЙ ИКАНИЕ
ИЗО БР ЕТЕ Й И Я
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕГ ". СТВУ
СОюз Спвптпппз
Спциаллстицюплиз
Республпз
Зависнмос от агт. свидетельства №
Кл. 42ш, 14
21aI, 37 52
Заявлено 30.1V.1966 (И 1074238, 26-24) с присоединением заяьки №
МП1; G 06(Н 03k ., ДК 681.142.07(088.8) Комитет по делам Приоритет изпбратпллб л QTKpblTNA при Спветп Мяппптрпв j О".óá lèêoâal:o 12.11,1067. Б оллстень ¹ 0
СССР
Датa опуоликования описания 119Л !.1967
Авторы изобретения М. А. Андреещев, Ю. С. Александров, Ю. В. Трусевич и M. Г. Симченков
Заявитель
ЯЧЕЙКА Г(АМЯТИ
Ячейки памяти, содержащие узел памчтп на туннельном диоде, подключенном к источнику одного тактового напряжения, и транзисторный ключ, известны.
Предложенная ячейка отличается тем, что база ключевого транзистора через резистор подсоединена к источнику другого тактового напряжения.
Это позволяет увеличить быстродействне, повысить устойчивость работы при изменении питающих напряжений и температуры, а также обеспечить твердосхемное исполнение.
На чертеже показана принципиальная схема ячейки памяти.
Высоковольтное состояние туннельного диода 1 ячейки соответствует «О» двои п.ой информации, а низковольтное состояние «1».
Если ячейка находится в состоянии «О», транзистор 2 закрыт напряжением на туннельном диоде. При действии тактового напряжения UT2, подключенного к базе транзистора 2, он остается в закрытом состоянии.
Если ячейка находится в состоянии «1», при действии этого же тактового напряжения транзистор Открывается, Ilo,члекторным током этого транзистора туннельпый диод следуюlIle1 ячейк I перебрасывается в низковольтное состояние, и на ячейку записывается «1». Под действием этого же возрастающего напряжения эмпттерный ток транзистора 2такжс возрастает. Когда эмнттсрный ток достигает максимального значения тока туннельного диода
1, происходит переключение туннельного диода в высоковольтное («О») состояние, и транзистор 2 запирается этим напряжением.
Предмет изобретения
Ячейка памяти, содержащая узел памяти на тунце II llobl диоде, подключенном к источнику одного тактового напряжения, и транзисторный ключ, отлсиа ошаяся тем, что, с целью увеличения быстродействия, повыше:шя устойчивости работы прп изменешш питаюI нх IlalIpz
195215
Составитель Ю. М. Большов
Редактор Л. А. Утехина Тсхред А. А. Кагиышникова Корректоры: О. Б. Тюрина и M. 11. Ромашова
Заказ 1739j16 1 ира «Бчб Подписшз»
ЦНИ1ЛПИ Комитета по делам изобретений и открытий прн Совете Министров СССР
Москва, Центр, пр. Серова, д. 4
Типография, пр. Сапунова, 2