Способ металлизации в вакууме диэлектрических
Патент 196514
Классы МПК
Способ металлизации в вакууме диэлектрических
Иллюстрации
Реферат
l965I4
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕН ИЯ
И АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Соеетоаа
Социалиотичеокиз
Реооублии
Зависимое от авт. свидетельства №
Кл. 48Ь, 13/02
Заявлено 04Л !.1966 (№ 1081486/22-1) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 16Х.1967. Бюллетень № 11
Дата опубликования описания 21 VI.1967
МПК С 23с
УДК 621.793.14(088.8) Комитет ло делам изобретеиий и открытий ори Саеете Миииотрое
СССР
Авторы изобретения
К. В. Большова и А. А. Шубин физический институт им. П. Н. Лебедева
Заявитель
СПОСОБ МЕТАЛЛИЗАЦИИ В ВАКУУМЕ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ
ПОВЕРХНОСТЕЙ
Предмет изобретения
Известен способ металлизации в вакууме диэлектрических поверхностей, заключающийся в том, что эту поверхность предварительно подвергают ионной бомбардировке тлеющим разрядом.
Для получения покрытий высокого качества с зеркальным блеском предлагается обрабатываемую поверхность или пары металла в начальной стадии процесса металлизации облучать ультрафиолетовым светом.
Сущность способа сосгоит в том, что диэлектрическую поверхность или пары металла в начальной стадии процесса металлизации в вакууме облучают ультрафиолетовым светом.
Этим создают начальные центры конденсации паров металла.
Ультрафиолетовое освещение можно создать, например, при помощи вольфрамовой спирали, нагретой током до 2000 — 2200 С.
Облучение проводят только в течение времени, необходимого для образования следов конденсации. При продолжении облучения в процессе осаждения металла плотность плен5 ки будет меньше нормальной.
Способ может быть применен для нанесения цинка, кадмия и индия. Для получения хороших слоев индия подложку достаточно освещать ультрафиолетовым светом в течение
10 15 — 20 сек.
Спосоо металлизации в вакууме диэлектри15 ческих поверхностей, от тичающиася тем, что, с целью получения качественных покрытий с зеркальным блеском, обрабатываемую поверхность или пары металла в начальной стадии процесса облучают ультрафиолетовым светом,