Полупроводниковый датчик для измерения механических величин

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Q П И С А Н И Е l98773

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Кл. 42k, 45/03

Заявлено 23Х.1966 (№1077738/25-28) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 28.V1,1967. Бюллетепь ¹ 14

Дата опубликования описания 18Х)EE.1967

МПК G Oll, Комитет по делам изобретений H открытий при Совете Министров

СССР

УДК 681.2.083.2: 531 787 913 (088.8) Авторы изобретения

Ю. М. Базжин и А. А. Цывнн

Заявитель Научно-иссле овательский и конст кто ский инстит т спытательных д ру р и машин, приборов и средств измерения масс

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДАТЧИК ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ

МЕХАНИЧЕСКИХ ВЕЛИЧИН

Предмет изобретения

1

Известные полупроводниковые датчики для измерения механических величин содержат полупроводниковые преобразователи р- и п-типов, расположенные параллельно направлению действующего усилия.

Предлагаемый датчик отличаегся тем, что он состоит из чередующихся, расположенных последовательно относительно направления действующего усилия и находящихся в омическом контакте полупроводниковых преобразователей р- и п-типов, между которыми установлены фольговые шайбы.

Это позволяет повысить точность измерения, так как снижает влияние эксцентриситета силы на результат измерения и улучшает температурную компенсацию.

Ela фиг. 1 изображена конструктивная схема предлагаемого датчика; на фиг. 2 — схема включения полупроводниковых преобразов а тел ей в мост.

Предлагаемый датчик представляет собой набор чередующихся полупроводниковых преобразователей 1 р- и п-типов, разделенных шайбами 2 из золотой фольги и расположенных последовательно относительно направления силы F. Преобразователи и шайбы сваривают при температуре 400 С, в результате создается омический контакт между полупроводниковыми преобразователями различных типов проводимости. Преобразователи соединены в мостовую схему.

Полупроводниковый датчик для измерения механических величин, например усилий, содер>кащий полупроводниковые преобразователи р-типа и п-типа, соединенные в мостовую схему, отгичаюигийся тем, что, с целью повышения точности измерения, датчик представляет собой набор чередующихся, располохкенных последовательно относительно направления действующего усилия и находящихся В омическом контакте полупроводниковых преобразователей р-типа и и-типа и снабжен устанавливаемыми между полупроводниковыми преобразователями фольговыми шайбамII.

198773 1 г 2

Составитель Э. Араловскаа

Редактор Т. 3. Орловская Техред Л. Я. Бриккер Корректоры: А. П. Татаринцева и Т. Д. Чунаева

Заказ 2631/11 Тираж 535 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, 2