Селеновый фотоэлемент
Патент 199283
Классы МПК
Селеновый фотоэлемент
Иллюстрации
Реферат
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства №
Кл. 21g, 29/10
Заявлено 31.Х11.1965 (№ 1046991/26-25) с присоединением заявки №
МПК H 01l
УДК 621.383.42(088.8) Приоритет
Комитет оо делам изобретений и открытий ори Совете Министров
СССР
Опубликовано 13.V11.1967. Бюллетень № 15
Дата опубликования описания ЗОХШ.1967
Авторы изобретения., „дт 0; r";
С. И. Фрейверт, Л, А. Сизова и T. А. Болдырева и
Заявитель
СЕЛЕНОВЫЙ ФОТОЭЛЕМЕНТ
Фотоэлемент относится к приемникам излучения, чувствительным в близкой инфракрасной области спектра.
Известны селеновые фотоэлементы, у когорых помимо основного максимума спектральной чувствительности, характерного для селена, появляется второй длинноволновый, расположенный около 780 — 800 нм, причем величина второго максимума составляет около
50% от основного, их интегральная чувствительность по току превосходит 900 мка/лм.
Эти фотоэлементы имеют слоистую структуру и состоят из четырех слоев — слоя селена, барьерного слоя, слоя селенида индия и верхнего полупрозрачного электрода. Материалом для барьерного слоя служит диэлектрик — фтористый кальций, предназначенный для предотвращения диффузии промежуточного слоя в слой селепа. При применении в качестве материала для барьерного слоя металла, например серебра, удовлетворительных результатов не получили.
Предложенный селеновый фотоэлемент обладает резко выраженным вторым максимумом спектральной чувствительности, расположенным в близкой инфракрасной области спектра, и повышенной интегральной чувствительностью. Интегральная чувствительность
его превышает чувствительность обычного селенового фотоэлемен га в 3 — 6 раз и достигает
3000 мка/лм, фото-э.д.с. 180 мв при 10 лк. Эти свойства селенового фотоэлемента достигают образованием резкого гетероперехода между слоями фотопроводников различного химического состава. Промежуточный слой гетероперехода выполняют в виде твердого раствора двух или более селенидов тяжелых металлов.
Кроме того, слой гетероперехода выполняют из твердого раствора селенида индия и селенида серебра.
Изменяя состав п-слоя, т. е. увеличивая или уменьшая в твердом растворе содержание одного соединения по сравнению с другим, а также толщину этого слоя, можно в больших пределах менять спектральную чувствительность фотоэлемента (величину и положение ьторого длинноволнового максимума и положения длинноволновой границы).
На металлическую подложку нанесен слой поликристаллического селена с дырочной проводимостью. Слой покрыт тонкой пленкой фотопроводящего вещества с электронной проводимостью.
Фотопроводящее вещество представляет собой твердый раствор селенидов двух металлов, например, селенида индия и селенида серебра или селенида кадмия и селенида серебра, или селенида кадмия и селенида меди. На границе этих слоев с разным знаком проводи30 мости образуется гетеропереход.
199283
Предмет изобретения
Составитель А. Б. Кот
Редактор Т. А. Рыбалова Техред А. А. Камышникова Корректоры: А. П, Татаринцева и Т. Д. Чунаева
Заказ 2721/9 Тираж 535 Подписное
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, Центр. пр. Серова, д. 4
Типография, пр. Сапунова, 2
1. Селеновый фотоэлемент фотовольтаического типа с гетеропереходом, чувствительным в близкой инфракрасной области спектра, с промежуточным слоем между слоем селена и верхним прозрачным электродом, отличиюи1ийся тем, что, с целью расширения его спектральной характеристики и повышения интегральной чувствительности, промежуточный слой гетероперехода выполнен в виде твердого раствора двух или более селенидов тяжелых металлов.
2. Фотоэлемент по п. 1, отличиющийся тем, что слой гетероперехода выполнен из твердого раствора селенида индия и селенида сереб,ра.