Разговорный блок телефонного аппарата

Разговорный блок телефонного аппарата

Реферат

 

Изобретение относится к технике телефонной связи. Цель - упрощение путем сокращения числа элементов при сохранении выполняемых функций. Устройство содержит микрофон 1, телефон 2, номеронабиратель 3, первый и второй резисторы 4 и 5, первый конденсатор 6, диод 7, первый и второй транзисторы 8 и 9, второй конденсатор 10, третий транзистор 11, третий, четвертый, пятый, шестой и седьмой резисторы 12-17. В разговорном режиме постоянное напряжение с коллектора транзистора 9 через телефон 2 подается на клеммы питания номеронабирателя 3 и далее через резистор 17 на транзистор 11, чем обеспечивается общая отрицательная обратная связь по напряжению. Сигнал с микрофона через два каскада усиления на транзисторах 11 и 9 поступает в линию. Набор номера осуществляется импульсным режимом транзистора 11, который по сигналам номеронабирателя через резистор 12 замыкает и размыкает шлейф абонентской линии. В режиме отбоя линия нагружена только на высокоомный номеронабиратель. 1 ил.

Изобретение относится к телефонной связи и может использоваться в бытовых телефонных аппаратах.

Цель изобретения - упрощение путем сокращения числа элементов при сохранении выполняемых функций.

На чертеже показана электрическая схема телефонного аппарата (разговорный блок).

Разговорный блок телефонного аппарата содержит микрофон 1, телефон 2, номеронабиратель 3, первый 4 и второй 5 резисторы, первый конденсатор 6, диод 7, первый и второй транзисторы 8 и 9, второй конденсатор 10, третий транзистор 11, третий, четвертый, пятый, шестой и седьмой резисторы 12-16.

Разговорный блок работает следующим образом.

Блок выполняет функции разговорного узла, импульсного ключа и блока питания номеронабирателя.

1. Разговорный режим.

Выход NSI номеронабирателя 3 замкнут с общим приводом (вывод ОV), выход NSA2 - с проводом питания номеронабирателя 3. При этом второй транзистор 9 и третий транзистор 11 открыты и находятся в активном режиме, а первый транзистор 8 открыт и насыщен. Постоянное напряжение с коллектора второго транзистора 9 через телефон 2 подается на выводы V1, V2 подачи питания номеронабирателя 3 и далее через внутренние ключи ее на вывод NSA2, а затм через седьмой резистор 16 на базу третьего транзистора 11.

Таким образом, осуществляется общая отрицательная связь по постоянному напряжению, стабилизирующая режим электронной схемы. При этом на первом конденсаторе 6 формируется стабилизированное напряжение, питающее номеронабиратель 3. Сигнал с микрофона 1 через второй конденсатор 10 поступает на базу третьего транзистора 11, выполняющего функцию второго каскада микрофонного усилителя и далее усиливается вторым каскадом на втором транзисторе 9.

Через открытые первый транзистор 8 и диод 7 передающий сигнал поступает в телефонную линию. Приемный сигнал из телефонной линии через диод 7 и первый транзистор 8 поступает на телефон 2. Выходное сопротивление каскада на втором транзисторе 9 велико и незначительно шунтирует телефон 2. Кроме общей отрицательной обратной связи (ООС) через номеронабиратель 3 все транзисторы охвачены местной ООС по току резистор 4, резистор 13, резистор 5. Все эти меры обеспечивают малую зависимость режима устройства от разброса параметров транзисторов.

2. Режим отбоя.

Оба выхода номеронабирателя 3 NS1 и NSA2 замкнуты с общим проводом. Все транзисторы 8, 9 и 11 закрыты. Телефонная линия нагружена только на шестой резистор 15 и номеронабиратель 3.

3. Режим набора номера.

В этом режиме выход номеронабирателя NSA2 замкнут с общим проводом OV, а на выходе NS1 - импульсы набора номера с амплитудой, равной V1 (напряжение питания микросхемы). При этом устройство работает в импульсном режиме. В моменты, когда VN_S1 = 0, происходит размыкание шлейфа. В моменты, когда VN_S1 = V1 осуществляется замыкание шлейфа. В режиме замыкания шлейфа устройство обеспечивает ток линии I_л = 35 мА, что гарантирует надежность набора номера.

Так как электрическая схема предлагаемого устройства содержит меньше элементов, чем прототип и, при этом, выполняет те же функции, то можно говорить о технической и экономической целесообразности использования предлагаемого устройства в абонентских телефонных аппаратах с импульсным набором номера. (56) Бунин С. Е. и др. Телефонные аппараты с кнопочными номеронабирателями. М. : Радио и связь, 1987, с. 84, рис. 320.

Формула изобретения

РАЗГОВОРНЫЙ БЛОК ТЕЛЕФОННОГО АППАРАТА, содержащий номеронабиратель, микрофон, первый вывод которого соединен с первым выводом первого и второго резисторов, телефон, первый вывод которого соединен с первым выводом первого конденсатора, первый и второй транзисторы, коллекторы которых соединены, а эмиттер второго транзистора соединен с вторым выводом первого резистора, а также третий транзистор, база которого соединена с первым выводом третьего резистора и первым выводом второго конденсатора, эмиттер третьего транзистора через четвертый резистор соединен с вторым выводом второго резистора, коллектор третьего транзистора соединен с первым выводом пятого резистора, второй вывод которого соединен с первым выводом шестого резистора, а также содержащий седьмой резистор, отличающийся тем, что, с целью упрощения путем сокращения числа элементов при сохранении выполняемых функций, введен диод, анод которого соединен с первым проводом абонентской линии и первым выводом шестого резистора, второй вывод которого соединен с первым и вторым входами номеронабирателя и с первым выводом первого конденсатора, второй вывод которого соединен с эмиттером второго транзистора, база которого соединена с вторым выводом второго резистора, катод диода соединен с эмиттером первого транзистора, база которого соединена с коллектором третьего транзистора, база которого через седьмой резистор соединена с третьим входом номеронабирателя, четвертый и пятый входы которого соединены соответственно с вторым выводом третьего резистора и вторым выводом первого резистора, первый вывод которого соединен с вторым проводом абонентской линии, а второй вывод микрофона соединен с вторым выводом второго конденсатора, второй вывод телефона соединен с коллектором первого транзистора.

РИСУНКИ

Рисунок 1