Способ выращивания клоновых подвоев в маточном поле питомника

Реферат

 

Использование: в сельском хозяйстве при выращивании посадочного материала, в частности клоновых подвоев плодовых культур. Сущность изобретения: посадку маточных растений проводят двухрядными лентами с расстоянием между рядами в лентах 30 см и между лентами 110 см. Валки в лентах формируют сдвоенными. Ширина сдвоенного валка равна 70 - 75 см и ширина валка в верхней части равна 40 - 45 см. 2 ил.

Изобретение относится к технологии выращивания посадочного материала, например клоновых подвоев в маточном поле питомника, и может быть использовано в садоводстве.

Известны способы выращивания клоновых подвоев в маточном поле питомника. При этом маточное растение высаживают с междурядиями 140-150 см, а для ускорения отрастаемых побегов в рядах формируют валки высотой 15-420 см, с основанием 45-50 см и шириной в верхней части 20-25 см. Однако такие маточники характеризуются малым выходом отводков с единицы площади. Уменьшение междурядий позволяет увеличить выход отводков, но при этом нарушается согласование ширины междурядий со стандартной колеей трактора; ширина междурядий меньше 110 см не обеспечивает формирование валка требуемого размера по причинам нехватки почвы в междурядиях без отрицательного воздействия на маточные растения (происходит оголение их корневой системы).

Цель изобретения увеличить выход подвоев с единицы площади.

Поставленная цель достигается тем, что при сохранении возможности формирования требуемого валика почвы без отрицательного воздействия на маточные растения последние высаживают ленточным способом, включающим два ряда. Такое размещение позволяет экономить почву при формировании валика за счет наложения валка одного ряда на валок другого и увеличить число маточных растений примерно в два раза.

На фиг. 1 изображена схема размещения маточных растений в маточном поле питомника; на фиг. 2 схема маточных растений в маточном поле питомника (заштрихованная зона наложение валка одной строчки на валок другой строчки).

Способ выращивания клоновых подвоев включает следующую схему посадки. Растения высаживают лентами. В лентах по два ряда. Расстояние между рядами в лентах 30 см, между крайними рядами лент 110 см. Схема посадки двухстрочная 30+110.

Данный способ выращивания позволяет механизировать основаные трудоемкие процессы: посадка маточных растений; окучивание растений в лентах; отделение отводков в лентах. Для осуществления механизации процесса посадки маточных растений можно, например, использовать рассадо-посадочную машину СКН-6А, при этом осуществив некоторую модернизацию: сошники расставив согласно схеме посадки. Снимают посадочный аппарат и сажальщики вручную опускают саженцы в борозду. Для окучивания растений в ленте используется машина для окучивания маточных растений. Для отделения отводков исполь- зуется машина для отделения отводков от маточных растений.

Технологический процесс выращивания клоновых подвоев происходит следующим образом.

Перед посадкой ведется подготовка почвы. Посадка маточных растений осуществляется весной. Обработка почвы между лентами первый год осуществляется, например, пропашным культиватором общего назначения КРН-4,2. На второй год и последующие годы маточное поле питомника обрабатывается машиной для окучивания. Осенью производится отделение отводков машиной для отделения отводков.

Увеличение числа маточных растений в маточном поле питомника позволяет увеличить выход отводков не менее чем в два раза.

Формула изобретения

СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КЛОНОВЫХ ПОДВОЕВ В МАТОЧНОМ ПОЛЕ ПИТОМНИКА, включающий рядовую посадку маточных растений, формирование валков в рядах высотой 15-20 см, укоренение отрастающих побегов в валках, отделение укорененных подвойтных саженцев, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода подвоев с единицы площади, посадку маточных растений осуществляют двухрядными лентами с расстоянием между рядами в лентах 30 см и между лентами 110 см, а валки в лентах формируют сдвоенными, при этом основание сдвоенного валка равно 70-75 см и ширина в верхней части равна 40-45 см.

РИСУНКИ

Рисунок 1, Рисунок 2