Вещество для подложек со структурой граната

Вещество для подложек со структурой граната

Реферат

 

Изобретение относится к выращиванию монокристаллов и промышленно применимо при производстве монокристаллических пленок феррит-гранатов, предназначенных для использования в различных магнитооптических устройствах и запоминающих устройствах на цилиндрических магнитных доменах. Цель изобретения - повышение структурного совершенства вещества. Вещество характеризуется общей формулой Ca_xB_yM_zMe_uO_12-p, где В - элемент с валентностью более 3 из ряда ниобий и/или тантал и/или цирконий; М - элемент с валентностью не более трех из ряда галлий и/или литий, и/или тантал, и/или цирконий; Ме - элемент с валентностью не менее трех из ряда галлий и/или кремний. В веществе содержится в персчете на формульную единицу: от 2,90 до 3,10 кальция; от 0,05 до 1,79 ниобия и/или тантала; от 1,80 до 3,60 галлия; от 0,02 до 2,95 германия; от 0,01 до 0,22 лития; от 0,44 до 0,99 циркония; от 0,15 до 0,32 магния и до 0,04 кислородных вакансий. 3 з.п. ф-лы, 1 табл.

Изобретение относится к выращиванию монокристаллов и промышленно применимо при производстве монокристаллических пленок феррит-гранатов (МПФГ), предназначенных для использования в различных магнитооптических устройствах и запоминающих устройствах на цилиндрических магнитных доменах.

Известно вещество со структурой граната, содержащее в своем составе гадолиний, галлий и кислород [1] Недостатком такого вещества является высокая стоимость из-за наличия в его составе гадолиния и необходимости использования дефицитного иридиевого тигля при его выращивании по методу Чохральского.

Наиболее близким к предлагаемому является известное вещество для подложек со структурой граната, содержащее в своем составе кальций, галлий, кислород и по крайней мере один из элементов с валентностью более 3 (ниобий и германий) [2] Целью изобретения является повышение структурного совершенства вещества.

Для этого вещество для подложек со структурой граната, содержащее в своем составе кальций, галлий, кислород и по крайней мере один из элементов с валентностью более 3, содержит элемент В с валентностью более 3 в октаэдрической подрешетке структуры граната и соответствует химической формуле Ca_хB_yM_zMe_uO_12-p, где М по крайней мере один из элементов с валентностью не более 3, входящих в октаэдрическую подрешетку структуры граната; Ме по крайней мере один из элементов с валентностью не менее 3, входящих в тетраэдрическую подрешетку структуры граната; 2,90 х3,1; 0,05y 1,79; 3 11 z + +u4,91; р0,04, при этом оно в качестве элемента В содержит ниобий и/или тантал и/или цирконий, а в качестве элемента М галлий и/или литий и/или магний, в качестве элемента Ме галлий и/или германий и/или кремний.

В частности, состав вещества может соответствовать одной из химических формул: Ca_xB_yGa_5-yO_12-p, где 2,97х 3,03; 12,4 y 1,7; р 0,04; Сa_xB_yGa_uGe_vO_12-p, где 2,97 х 3,03; 0,05 y 1,7; 1,8 u 3,6; 0,09 v 2,95; р 0,01; Сa_xNb_yLi_zGa_uO_12-p, где 2,90х3,10; 1,71y1,79; 0,03 z0,22; 2,90u3,10; р0,01; Ca_xTa_yLi_zGa_uO_12-p, где 3,00х3,10; 1,72y1,78; 0,05z 0,22; 3,00u3,10; р0,01; Ca_xNb_yZr_qLi_zGa_uO_12-p, где 2,90х3,10; 1,05y1,64; 0,45q0,99; 0,01z 0,05; 3,00u 3,10; р0,01; Ca_xTa_yZr_qLi_zGa_uO_12-p, где 2,90х3,10; 1,03y1,66; 0,44 q 0,98; 0,01z 0,05; 3,00 u 3,10; р0,01; Ca_xNb_yMg_rLi_zGa_uO_12-p, где 2,90х3,10; 1,65y 1,70; 0,16 r0,32; 0,01z0,05; 3,00u 3,10; р0,1; Ca_xTa_yMg_rLi_zGa_uO_12-p, где 2,90х3,10; 1,64y1,71; 0,15 r 0,31; 0,01z0,05; 0,03 u 3,10; р 0,01; Ca_xNb_yLi_zGe_vGa_uO_12-p, где 3,00х3,10; 1,35y1,77; 0,02v1,17; 0,01 z 0,05; 1,90 u 3,10; р0,01.

Достижение цели изобретения обусловлено следующим. Для прототипа характерно наличие дефектов типа "белой фазы". Введение в состав вещества ниобия или тантала в количестве не менее y 0,05 атома на формульную единицу граната (ф. е), как показал опыт, позволяет полностью исключить дефекты указанного типа. При этом в веществе могут образовываться кислородные вакансии в количестве до р 0,04 ф.е. Уменьшить плотность вакансий удалось, вводя в состав вещества литий в количестве до z 0,22 ф.е. Свойства вещества слабо меняются, если в его состав вводят четырехвалентные ионы германия и циркония, а также двухвалентные ионы магния.

Монокристаллы предлагаемого вещества выращивали по методу Чохральского при 1690-1720 К из платинового тигля (если в составе вещества в качестве элемента В доминирует ниобий) или при 1770-1810 К из иридиевого тигля (если в составе вещества в качестве элемента В доминирует тантал). Результаты эксперимента показали, что наиболее оптимальными являются условия роста: скорость вытягивания 2-5 мм/ч, скорость вращения 60-80 об/мин, направление роста <100> для y 0,8 ф.е. и <111> для y>0,8 ф.е. скорость потока кислорода через реакционный объем 0,5-2 л/мин, отношение диаметра кристалла к диаметру тигля не более 0,6. Выращенные кристаллы имели диаметр до 80 мм, причем из расплава переходило в кристалл до 75% вещества. В зависимости от содержания ниобия и/или тантала параметр кристаллической решетки изменялся по линейному закону в диапазоне 1,225-1,251 нм.

Возможность получения подложек с любым параметром решетки в указанном интервале упрощает оптимизацию параметров МПФГ, поскольку согласование параметров решетки пленки и подложки обеспечивается не вариацией параметра решетки пленки, а вариацией параметра решетки подложки.

Примеры конкретного выполнения вещества для подложек со структурой граната приведены в таблице.

Формула изобретения

1. ВЕЩЕСТВО ДЛЯ ПОДЛОЖЕК СО СТРУКТУРОЙ ГРАНАТА, содержащее в своем составе кальций, галлий, кислород и по крайней мере один из элементов с валентностью более 3, отличающееся тем, что оно содержит элемент В с валентностью более 3 в октаэдрической подрешетке структуры граната и соответствует химической формуле Ca_x B_y M_z Me_u O_12-p, где M по крайней мере один из элементов с валентностью не более 3, входящих в октаэдрическую подрешетку структуры граната; Me по крайней мере один из элементов с валентностью не менее 3, входящих в тетраэдрическую подрешетку структуры граната; 2,90 x 3,1; 0,05 y 1,79; 3,11 z +u 4,91; p 0,04, при этом оно в качестве элемента B содержит ниобий, и/или тантал, и/или цирконий, в качестве элемента M галлий, и/или литий, и/или магний, в качестве элемента M галлий, и/или германий и/или кремний.

2. Вещество по п.1, отличающееся тем, что оно соответствует химической формуле Ca_x B_y Ga_5-y O_12-p, где 2,97 x 3,03; 1,40 y 1,70; p 0,004.

3. Вещество по п.1, отличающееся тем, что оно соответствует химической формуле Ca_x B_y Ga_u Ge_v O_12-p, где 2,97 x 3,03; 0,05 y 1,40; 1,80 u 3,60; 0,09 v 2,95; p 0,01.

4. Вещество по п.1, отличающееся тем, что оно соответствует химической формуле Ca_x Nb_y Li_z Ca_u O_12-p, где 2,90 x 3,10; 1,71 y 1,79; 0,03 z 0,22; 2,96 u 3,10; p 0,01.