Способ изготовления фотошаблонов, матриц

Способ изготовления фотошаблонов, матриц

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Реслублик

Зависимое от авт, свидетельства №

Заявлено 12 т/11.1966 (№ 1090289/28-12) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 20.Х.1967. Бюллетень № 22

Дата опубликования описания 28.ХП.1967

Кл 15b, 1/04

15b, 4/01

48d>, 1/08

МП1 ; В 41с

В 41с

С 23f

Комитет ло лолам изобретений и открытий ори Coeere Министров

АЗССР

УДЬ; 655.225:686.4(088.8) Авторы изобретения Е, И. Горгораки, Е, А, Ефимов, T. И, Пономарева и Л. Д. Болтунова

Заявитель

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОШАБЛОНОВ, МАТРЙЦ

ЙЛИ РАСТРОВ

Известен способ изготовления фотошаблонов, матриц или растров, заключающийся в том, что на диэлектрическую подложку наносят слой карбида хрома, после чего путем травления получают позитивное изображение оригинального рисунка фотошаблона с непрозрачными участками из карбида хрома и прозрачными участками из материала подложки.

Предложено перед нанесением слоя карбида хрома на диэлектрическую подложку наносить подслой металла, негативно повторяющий оригинальный рисунок фотошаблона с последующим травлением его в кислотах, действующих только на металл подслоя, что повышает срок службы фотошаблонов.

Способ заключается в следующем. На про.зрачную подложку-диэлектрик химическим, вакуумным или любым другим известным способом наносят подслой металла, негативно повторяющий рисунок оригинала и легко подвергающийся травлению в обычных травильных смесях. Последние применяются при изготовлении изделий в полупроводниковой и электронной промышленности. Затем поверх подслоя на диэлектрик известными способами наносят слой карбида хрома, получаемого термическим разложением бисареновых соединений хрома при 350 С. После нанесения слоя карбида хрома производят травление металла подслоя, в результате чего на тех участках диэлектрика, где первоначально был нанесен подслой металла, кислота растворяет металлическую пленку, эта пленка легко отходит от поверхности диэлектрика вместе с находящейся поверх нее пленкой карбида

5 хрома.

На тех участках диэлектрика, где подслой металла отсутствует, пленка карбида хрома закрепляется настолько прочно, что ее отделить от подложки очень трудно.

10 Таким образом получают четкий рисунок фотошаблона, матрицы или растра с непрозрачными участками из карбида хрома и прозрачными участками из материала подложки.

15 Предмет изобретения

Способ изготовления фотошаблонов, матриц или растров, заключающийся в том, что на диэлектрическую подложку наносят слой карбида хрома, после чего путем травления

20 получают позитивное изображение оригинального рисунка фотошаблона с непрозрачными участками из карбида хрома и прозрачными участками из материала подложки, отличаюитийся тем, что, с целью повышения срока

25 службы фотошаблонов, матриц или растров и улучшения качества воспроизводимого на подложке рисунка, перед нанесением слоя карбида хрома на диэлектрическую подложку наносят подслой металла, негативно повторязО ющий оригинальный рисунок фотошаблона, с последующим травлением его в кислотах, действующих только на металл подслоя,