Патент ссср 204711

Патент ссср 204711

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

2047ll

Сова Советских

Социалиотичвоких

Рвопублик

Зависимое от авт. свидетельства №

Кл. 42m, 14

21а1, 36/18

Заявлено 07.Х.1966 (№ 1106394/26-24) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 20.Х.1967. Бюллетень № 22

Дата опубликования описания 16.1.1968

МПК С 06f

Н 031;

УДК 681.325.65(088,8) Комитет по делам иаобретвииб и открытий при Совете Миииотров

СССР

Авторы изобретения

У. 1О. Эрглис и М. А. Ариит

Институт электроники и вычислительной техники

АН Латвийской ССР

Заявитель

ИМПУЛЬСНО-nOTEHUHAJlbHblA ЭЛЕМЕНТ <ЗАПРЕТА»

Импульсно-потенциальные элементы «запрета», выполненные на транзисторах, в коллекторных цепях которых включены выходные трансформаторы, известны.

Предложенный элемент отличается тем, что эмиттеры транзисторов соединены между собой. База одного из них подключена к источнику импульсных входных сигналов, а база другого — к источнику потенциальных входных сигналов. Схема этого элемента проще, а входное сопротивление более высокое.

Принципиальная схема описываемого элемента поясняет изобретение.

Принцип работы элемента «запрета» заключается в следующем. На вход 1 подается управляющий потенциальный сигнал, имеющий два уровня. Более отрицательный уровень Е1 принимается за 1, менее отрицательный Ею — за О. Величина Е,„определяется следующим соотношением:

Е,— Å, Еск—

Пусть на входе 1 более отрицательный уровень Ет(1). Транзистор 2 открыт, а транзистор 8 закрыт. Если в этом случае на вход

4, т. е. на эмиттер транзисторов, через резистор 5 поступает положительный импульс, открытый транзистор 2 усиливает его и на вы. ходе б появляется импульс.

При достаточно большом перепаде уровней управляющего напряжения легко обеспечить, чтобы транзистор 8 был при этом закрыт. Подаваемый на вход импульс повышает потенциал эмиттеров. Но так как открытый транзистор 2 включен по отношению к входному импульсу по схеме с общей базой, то его входное сопротивление весьма небольшое и транзистор сильно шунтирует импульс. Это шунтирование дополнительно затрудняет появление помехи на выходе 7 при 1 на входе 1.

Если же на входе 1 менее отрицательный потенциал Ео(0), то транзистор 2 заперт отрицательной разностью потенциалов между эмиттером и базой, а транзистор 8 заперт потому, что на его базе и эмиттере потенциалы одинаковые. Если при этом на вход 4 поступает входной импульс, потенциал эмиттеров повышается и транзистор 8 открывается, т. е. считая, что напряжения отпирания U, .OT„ транзисторов 2 и 8 одинаковые, импульс, отпирающий транзистор 2, должен превышать по амплитуде импульс, отпирающий транзистор 8, на величину (Е,+Е, Ею — Е1

Ео + 1вб.отп (2

+ (1e6. огп

/ 2

204711

Предмет изобретения

Составитель Ю. М. Большов

Редактор Л. М. Жаворонкова Техред P. М. Новикова Корректоры: Г. И. Плешакова и И. Л. Кириллова

Заказ 3888/15 Тираж 535 Подписное

ЦИИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, 2

Шунтирование импульса открытым транзистором затрудняет возможность появления помехи на выходе б закрытого транзистора, увеличивает допусковую надежность схемы, так как позволяет предъявить менее жесткие требования к диапазону изменения амплитуды входных импульсов. Резистор 8 вводится в схему, чтобы избежать появления помехи на выходе б в момент подачи отрицательного перепада управляющего сигнала на вход 1.

Резистор 9 позволяет получить одинаковые по амплитуде импульсы на выходах б и 7.

Импульсно-потенциальный элемент «запрета», выполненный на транзисторах, в коллекторных цепях которых включены выходные трансформаторы, отличающийся тем, что, с целью упрощения и повышения входного сопротивления, эмиттеры транзисторов соединены между собой, база одного из них подключена к источнику импульсных входных сигналов, а база другого — к источнику потенциальных входных сигналов.