Патент ссср 205077
Патент 205077
Классы МПК
Патент ссср 205077
Иллюстрации
Реферат
О П И С А Н И Е 205077
ИЗОБРЕТЕНИЯ
Союз Соввтскиз
Садиглистическиз
Республик
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Зависимое от авт. свидетельства ¹
Заявлено 17 1/1!1.1966 (№ 1098170/26-24) Кл. 21а>, 37/82
42m, 14 с присоединением заявки ¹
МПК H 03k
G 06E
УДК 681.327.66 11 (088.8) Приоритет
Опубликовано 13.XI.1967. Бюллетень № 23
Дата опубликования описания 12.1.19б8
Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров
СССР
Авторы изобретения
В. А. Макарычев и В. А. Миколайтис
Научно-исследовательский институт электрографии
Заявитель
СПОСОБ ЭЛЕКТРОГРАФИЧЕСКОИ ЗАПИСИ ИНФОРМАЦИИ
Известен способ электрографической записи информации на носитель с фотополупроводниковым слоем. Известны также носители, выполненные с прозрачной подложкой.
Предложенный способ отличается от известных тем, что, с целью сокращения времени записи информации и получения цветного изображения, запись информации производят со стороны подложек двух носителей, разделенных зазором, величина которого достаточна для возникновения газового разряда при подаче напряжения на фотополупроводниковые слои этих носителей.
Чертеж иллюстрирует предлагаемый способ записи.
Два фотополупроводниковых слоя 1 и 2, способных длительно удерживать нанесенный заряд, располагают параллельно друг другу так, что между ними остается небольшой зазор 8. Прозрачную проводящую подложку 4 заземляют, а к проводящей подложке б с помощью ключа б от источника напряжения 7 подают напряжение такой величины, что в зазоре между двумя поверхностями возникает разряд, приводящий к осаждению зарядов противоположных знаков на слоях 1 и 2, В результате осаждения зарядов на лицевых поверхностях фотополупроводниковых слоев напряжение в зазоре падает. Когда напряженность поля становится ниже критической, разряд прекращается и оба фотополупроводниковых слоя оказываются равномерно заряженными зарядами противоположных знаков.
Световое изображение через прозрачную проводящую подложку 4 проецируют на фотополупроводниковый слой 1, в результате чего заряд в освещенных местах стекает с его n0верхности. Если второй фотополупроводниковый слой 2 не чувствителен к спектральной
N области света, проходящего через слой 1, то слой 2 во время освещения первого фотополупроводникового является изолятором, через который заряды стекать не могут.
Напряженность поля в воздушном зазоре в
15 светлых местах, соответствующих проецирхемому изображению, повышается до значения больше критического, вследствие перераспределения напряжения источника питания между слоями и вследствие стекания зарядов че20 рез первый фотополупроводник в этих местах.
Таким образом, в светлых местах происходит дополнительное осаждение зарядов на фотополупроводниковых слоях 1 и 2. Заряды на фотополупроводниковом слое 8 накапливают25 ся, образуя потенциальный рельеф в виде потенциальных бугров на некотором уровне.
Потенциальный рельеф на слое 1 имеет вид потенциальных ям, так как осаждающиеся дополнительно в освещенных местах заряды
30 стекают через фотополупроводниковый слой, 205077
Предмет изобретения
Составитель А. Соколов
Редактор Л. Угехина Техред А. А, Камышникова Корректоры; М. П. Ромашова н Е. H. Гудзова
Заказ 4228/1 Тираж 535 Подписное (НИИПИ Комитета по делам изобретении и открытий при Совете Министров CCCP
Москва, Центр, пр. Серова, д. 4
Типография, пр. Сапунова, 2 имеющий в,,этих местах низкое сопротивление.
Фотополупроводниковые поверхности разделяют при полном напряжении источника, чтобы не было обратного разряда в воздушном промежутке. Зазор необходимо выбирать несколько больше минимальной величины, определяемой параметрами фотополупроводнико вых слоев, чтобы при разделении слоев не происходило дополнительной разрядки, IIpilводящей к потере разрешающей способности.
Разделение можно проверить, когда изображение проецируется на слой, либо когда проецирование уже прекращено, т. е. имеется возможносгь накопления при последовательном проецировании отдельных частей изображения.
Предлагаемым способом можно формировать сложный потенциальный рельеф, имеющий три уровня, путем записи информации как со стороны первой подложки, так и со стороны-второй. Если оба фотополупроводннковых слоя по чувствительности и полосе поглощения удовлетворяют вышеприведенному условию, то на каждой фотополупроводниковой поверхности можно сформировать такой рельеф.
Фотополупроводники можно выбрать таким образом, чтобы области спектрального поглощения и чувствительности одного фотополупроводника лежали вне полосы поглощения и чувствительности другого. Пусть, например, один фотополупроводник чувствителен к красной области спектра и не поглощает синей области спектра, а второй фотополупроводник — к синей области спектра. Если в экспонируемом изображении есть красные и синие элементы, то красные элементы запишутся в виде потенциальных ям на том фотополупроводнике, который чувствителен и красной области спектра и через который ведется экспонирование изображения, а на втором фотополупроводнике синие элементы изображения запишутся в виде потенциальных бугров на фотополупроводнике, чувствительном к красной области спектра, и в виде потенциальных ям на другом фотополупровод10 нике. Далее на обоих фотополупроводниках можег быть проявлено цветное изображение.
Разрешающая способность сформированного потенциального изображения тем выше, чем ближе друг к другу расположены поверх15 ности фотополупроводников. Однако при разделении поверхностей при полном напряжении внешнего источника 7 этот выигрыш в разрешающей способности реализовать не удается из-за возникновения дополнительного
20 разряда в момент разделения. Для устранения этого недостатка можно запись изображения вести при малом зазоре, а разделение поверхностей — при пониженном напряжении источника 7.
Способ электрографической записи информации на носитель с фотополупроводниковым
30 слоем и прозрачной подложкой, отличаюи иися тем, что, с целью сокращения времени записи информации и возможности получения цветного изображения, запись информации производят со стороны подложек двух носи35 телей, разделенных зазором, величина которого достаточна для возникновения газового разряда при подаче напряжения на фотополупроводниковые слои этих носителей.