Сцинтилляционный материал для регистрации ионизирующих излучений высоких энергий (варианты)

Реферат

 

Использование: в области сцинтилляционных материалов для регистрации ионизирующих излучений высоких энергий. Сущность изобретения: предложены высокочастотные (o= 6,12 г/см3) и радиационностойкие (109 рад) материалы, которые можно применять в качестве сцинтилляторов в системах регистрации ионизирующих излучений, в частности в электромагнитных калориметрах. Монокристаллические материалы представляют собой твердый раствор на основе CdF2 с добавкой фторида RF3, где R - церий, лантан или их смесь, соответствующий эмпирическим формулам Cd1-xClxF2+x, Cd0,99 La0,01F2,01, Cd0, 98La0,01 Cl0,01 F2,01. Другой материал представляет собой твердый раствор на основе монокристаллического фторида церия с добавкой фторида кадмия, соответствующей эмпирической формуле Cl0,995 Cd0,005 F2,995. Монокристаллы выращены методом Бриджмена-Стокбаргера в графитовых тиглях во фторирующей атмосфере. 2 с. п. ф-лы, 3 ил., 1 табл.

Изобретение относится к области создания высокоплотных и радиационностойких материалов, применяемых в качестве сцинтилляторов в системах регистрации ионизирующих излучений в физике высоких энергий, ядерной медицине и других областях.

Рост интенсивностей пучков на новых экспериментальных установках современных ускорителей и необходимость работы в жестких радиационных условиях обуславливают интерес к радиационной стойкости используемых материалов. Это особенно актуально для электромагнитных калориметров, элементы конструкций которых должны выдерживать радиационные нагрузки больше 107 рад/г. Известно, что электромагнитные калориметры, в которых используются тяжелые сцинтилляторы, позволяют получить требуемое высокое энергетическое разрушение. Это ограничивает круг пригодных материалов высокоплотными оптическими средами (6-8 г/см3 и выше). Такие материалы должны иметь пропускание не хуже 80% в УФ-области спектра при длинах волн 200-300 нм.

Среди фторидов металлов известен ряд соединений LaF3, CaF2, SrF3, BaF2 и др. имеющих радиационную стойкость 105-106 рад при плотности 4,24-5,95 г/см3.

Ближайшими к предлагаемому материалу на основе CdF2 являются монокристаллы дифторида тяжелого металла SrF2 ( 4,24 г/см3, = 200 нм), имеющие радиационную стойкость 8 105 рад [1] Однако этот материал, обладающий хорошими характеристиками, имеет недостаточно высокую плотность и радиационную стойкость для работы современных систем регистрации ионизирующих излучений высоких энергий.

Ближайшими к предлагаемому материалу на основе СеF3 являются монокристаллы СеF3 ( 6,12 г/см3, 300 нм), имеющие радиационную стойкость 107 рад [2] Хотя этот материал имеет более высокую плотность и радиационную стойкость, чем монокристаллы SrF2, однако эти показатели все еще низки для работы современных систем регистрации ионизирующих излучений высоких энергий.

Техническим результатом, на достижение которого направлено изобретение, является увеличение радиационной стойкости и повышение плотности монокристаллов.

Технический результат достигается тем, что полученные монокристаллы представляют собой твердые растворы на основе CdF2 и CeF3 и соответствуют эмпирическим формулам Cd1-xCexF2+x (x 0,01-0,03); Cd0,99La0,01F2+0,01; Cd0,98Ce0,01La0,01F2+0,02; Ce0,995Cd0,005F2,995.

Монокристаллические материалы указанных составов выращивались методом Бриджмена-Стокбаргера в графитовых тиглях во фторирующей атмосфере, создаваемой продуктами пиролиза тетрафторэтилена. Скорость опускания тигля из горячей зоны в холодную составляла 3 мм/ч. Для кристаллизации использовались реактивы CdF2, CeF3 и LaF3 марки ОСЧ. Хотя при выращивании кристаллов Сe1-xCdxF3-x исходная концентрация CdF2 в шихте составляла 1-8 мол. во всех кристаллах содержание CdF2 составило лишь0,005 мол. что связано с испарением CdF2 в процессе выращивания.

Кристаллы, полученные на основе CdF2, принадлежат к кубической сингонии (пространственная группа Fm3m), а кристаллы, полученные на основе CeF3, к тригональной сингонии (пространственная группа R3c1).

В таблице представлены данные по радиационной стойкости, плотности и спектру пропускания предложенных и известных материалов. На фиг. 1, 2 и 3 представлен их спектр пропускания после облучения дозой 109 рад.

Смешанные монокристаллы, выращенные на основе CdF3 и CeF3, имеют более высокую радиационную стойкость и плотность, чем монокристаллы SrF2 и CeF3 (таблица, фиг. 1).

Как видно из таблицы, при выращивании смешанных кристаллов на основе CdF2 м CeF3 решаются задачи повышения радиационной стойкости и плотности материала. Это достигается, с одной стороны, введением CdF2 в CeF3 в количестве 0,005 мас. а с другой стороны, получением кристаллов твердых растворов на основе CdF2 с содержанием либо CeF3 1-3 мол. либо LaF3 1 мол. либо по 1 мол. как CeF3, так и LaF3.

При концентрации CeF3 или LaF3 меньше 1 мол. радиационная стойкость не достигает 109 рад, при содержании CeF3 или LaF3 больше 3 мол. радиационная стойкость не поднимается выше 109 рад, а плотность материала уменьшается, что нежелательно. Поэтому выбрана оптимальная концентрация введения добавок CeF3 и LaF3 в монокристаллы CdF2.

Таким образом, введение CdF2 в монокристаллы CeF3 повышает их радиационную стойкость на два порядка практически без изменения плотности материала и без смещения края оптического пропускания в УФ-области по сравнению с СeF3. Получение смешанных монокристаллов на основе CaF2 с добавлением CeF3 и LaF3 в количестве 1-3 мол. повышает радиационную прочность также на два порядка, а плотность материала на 8% облегчает процесс выращивания кристалла, поскольку температура плавления этих составов на 350о ниже, чем температура плавления СeF3.

П р и м е р 1. Для выращивания монокристаллов Ce0,995Cd0,005F2,995 используют исходные предварительно проплавленные во фторирующей атмосфере реактивы CeF3 и CdF2 марки ОСЧ. Берут навеску СeF3 и CdF2 в отношении 99-92 и 1-8 мол. соответственно. Навески помещают в графитовый тигель, который нагревается в графитовой двухзонной печи сопротивления до температуры 1470-1490oС, расплав гомогенизируется и фторируется продуктами пиролиза тетрафторэтилена в течение 1 ч. Затем тигель с расплавом опускают из верхней более горячей в нижнюю тепловую зону со скоростью 3 мм/ч, в результате чего получают монокристаллы Ce0,995Cd0,005F2,995. Из выращенного кристалла вырезают образцы, механически полируют их, исследуют спектры пропускания и радиационную стойкость. Спектр пропускания выращенного кристалла Сe0,995Cd0,005F2,995 до и после -облучения представлен на фиг. 1.

П р и м е р 2. Для выращивания монокристаллов состава Cd0,99Ce0,01F2,01 берут навеску реактивов CdF2 и CeF3 марки ОСЧ, предварительно проплавленные во фторирующей атмосфере, в отношении 99 и 1 мол. соответственно. Тигель с готовыми навесками устанавливают в двухзонную графитовую печь сопротивления и нагревают до температуры 1075оС. После того, как расплав гомогенизируется и профторируется в течение 1 ч, тигель опускают из верхней горячей зоны в нижнюю со скоростью 3 мм/ч, в результате чего происходит рост монокристалла состава Cd0,99Ce0,01C2,01, из которого затем получают образцы нужного размера, полируют их и исследуют спектры оптического пропускания и радиационную стойкость. Спектр пропускания кристалла состава Сd0,99Ce0,01F2,01 до и после -облучения показан на фиг. 2.

П р и м е р 3. Для получения монокристаллов состава Сd0,99La0,01F2,01 готовят навески из проплавленных во фторирующей атмосфере реактивов CdF2 и LaF3 марки ОСЧ в отношении 99 и 1 мол. соответственно. Навески засыпают в тигель, который помещают в графитовую двухзонную печь сопротивления. Верхнюю зону нагревают до температуры 1075оС в течение 1 ч, расплав гомогенизируется и фторируется продуктами пиролиза тетрафторэтилена. Затем тигель с расплавом опускают в нижнюю более холодную зону со скоростью 3 мм/ч. Таким образом, получают монокристалл состава Сd0,99La0,01F2,01, вырезают из него образцы, механически полируют их и исследуют на спектры пропускания и радиационную стойкость. Спектр пропускания кристалла Cd0,99La0,01F2,01 до и после -облучения приведен на фиг. 3 (кривая 1).

П р и м е р 4. Для получения монокристалла состава Cd0,98La0,01Ce0,01F2,02 готовят навески из предварительно проплавленных реактивов CdF2, LaF3, CeF3 марки ОСЧ в соотношении 98:1:1 мол. соответственно. Все последующие операции выполняют, как описано в примерах 2 и 3. Спектр пропускания кристалла Cd0,98La0,01Ce0,01F2,02 до и после -облучения представлен на фиг. 3 (кривая 2).

На фиг. 1-3 видно, что спектры пропускания полученных материалов не изменяются после -облучения с дозой 109 рад.

Таким образом, выращенные монокристаллы представляют собой оптические материалы с плотностью 6,12-6,64 г/см3 и характеризуются радиационной прочностью 109 рад, что делает возможным их использование в качестве сцинтилляционных регистраторов ионизирующих излучений в физике высоких энергий и других областях.

Формула изобретения

1. Сцинтилляционный материал для регистрации ионизирующих излучений высоких энергий, содержащий монокристаллический дифторид тяжелого металла, отличающийся тем, что он дополнительно содержит добавку фторида RF3, где R - церий, лантан или их смесь, а в качестве тяжелого металла используют кадмий, при этом фториды образуют твердый раствор в соответствии с эмпирическими формулами Cd1-xCexF2+x (x=0,01-0,03); Cd0,99 La0,01 Fe2,01; Cd0,98 La0,01 Ce0,01 Fe2,01.

2. Сцинтилляционный материал для регистрации ионизирующих излучений высоких энергий, содержащий монокристаллический фторид церия CeF3, отличающийся тем, что он дополнительно содержит добавку фторида кадмия CaF2, при этом фториды образуют твердый раствор в соответствии с эмпирической формулой Ce0,995 Cd0,005 F2,995.

РИСУНКИ

Рисунок 1, Рисунок 2, Рисунок 3, Рисунок 4