Мультивибратор на транзисторах
Патент 207977
Авторы
Классы МПК
Мультивибратор на транзисторах
Иллюстрации
Реферат
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
CoNs Советскик
Социалистическил
Республик
Всеееюэиам ттатеит.:c-тел;иичееиак
1,у де а с); lg
Зависимое от авт. свидетельства ¹
Заявлено ЗО.ХН.1966 (№ 1122550/26-9) Кл. 21а1, 36j02 с присоединением заявки №
Приоритет
МП1 Н 03k
УДК 621.373.431.1 (088.8) Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров
СССР
Опубликовано 29.XII.1967. Бюллетень № 3
Дата опубликования описания 2.IV.1968
Автор изобретения
JI. А, Черкасов
Заявитель Киевский филиал Центрального научно-исследовательского института связи
МУЛЬТИВИБРАТОР НА ТРАНЗИСТОРАХ
Известны мультивибраторы на транзисторах, в которых стабильность частоты осуществляется с помощью колебательных контуров, обычно включаемых в цепи баз транзисторов или сеток ламп.
В предложенном мультивибраторе вместо колебательных контуров включена катушка индуктивности с бифилярными обмотками, гальванически развязанными между собой.
Одна из обмогок включена между базой первого транзистора и времязадающим конденсатором, соединенным с коллектором второго транзистора. Вторая обмотка включена противофазно первой между базой второго транзистора и времязадающим конденсатором, соединенным с коллектором .первого транзистора.
Такое включение катушки индуктивности позволило сократить количество стабилизирующих элементов в схеме.
С целью улучшения формы генерируемых импульсов коллекторы транзисторов шунтированы стабилитронами.
На фиг. 1 представлена схема мультивибратора на транзисторах; на фиг. 2 показаны формы колебаний в различных точках схемы.
В обычный симметричный мультивибратор (см. фиг. 1) с коллекторно-базовыми связями ввод|ится катушка индуктивности 1 та ким образом, что одна из обмоток включается межчу базой транзистора 2 .и времязадающим конденсатором 8, связанным с коллектором транзистора 4. Другая обмотка включена между базой транзистора 4 и времязадающим
5 конденсатором 5. Параллельно одной обмотке может быть подсоединена контурная емкость б. Для улучшения форм коллекторного напряжения коллекторы транзисторов можно зашунтировать стабилитронами 7 и 8.
1о Во время работы мультивибратора в один из полупериодов автоколебаний при открытом транзисторе 2 и закрытом 4 конденсатор 8 и сопротивление 9 шунтируют первую обмотку катушки индуктивности по переменному току.
15 На базу за крытого транзистора 4 воздействует суммарное колебание конту ра и напряжение перезаряда конденсатора 5. При достижении порога срабатывания транзистор 4 открывается, схема опрокидывается и транзи20 стор 2 запирается. Второй полупериод автоколебаний осуществляется аналогично первому. В контурную емкость в этом случае входит емкость 5. Таким образом, катушка индуктивности работает оба полупериода авто25 колебаний мультивибратора, что иллюстрируется формами колебаний, приведенными,на фиг, 2.
На фиг. 2,а приведена форма напряжения на базе транзистора 2; на фиг. 2,б — на базе
30 транзистора 4; на фиг. 2,в —.на катушке ин207977
R z 1
Фиг. 2
Типограа>ия, пр. Сапунова, 2 дуктивности 1; на фиг. 2,г — на коллекторе т ранзистора -при включении шунтирующих ста билитронов.
Предмет изобретения
1. Мультивибратор на транзисторах, стабилизированный Е.С-элементами, отличающийся тем, что, с целью уменьшения количества стабилизирующих элементов, в нем применена катушка индуктивности с бпфилярными обмоз1ками, гальваничеоки развязанными между собой, причем одна из обмоток включена между базой первого транзистора и времязадающим конденсатором, соединенным с коллектором второго транзистора, а вторая обмотка включена противофазно первой между базой
5 второго транзистора и времязадающим конденсатором, соединенным с коллектором первого транзистора.
2. Мультивиоратор по п. 1, отличпющийся тем, что, с целью улучшения формы генери10 руемых прямоугольных импульсов, коллекторы транзисторов шунтированы стаби IHTpOHBми.
Редактор Б. Нанкина Техред Л. Я. Бриккер
Корректоры: Т. С. Кувшинова и А. П. Васильева
За каз 341/10 Тираж 530 Подпи нос
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, Центр, пр. Серова, д. 4