Амплитудный детектор

Амплитудный детектор

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Соеетскиз

Социалистическиз

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено ЗО.V.1966 (№ 1079398/26-9) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 29.XII.1967. Бюллетень № 3

Дата опубликования описания 25.111.1968

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

8.8) Авторы изобретения

В. М. Волков и А. T. Рубцов

Заявитель

АМПЛИТУДНbIA ДЕТЕКТОР

Известные детекторы приемных устройств не обеспечивают быстрого установления переднего и заднего фронтов детектируемого импульса.

Описываемый детектор отличается тем, что параллельно эмиттерно-коллекторному переходу основного транзистора подключен эмиттерно-коллекторный переход дополнительного транзистора, база которого соединена с корпусом. Это позволяет увеличить быстродействие детектора.

Схема описываемого детектора приведена на чертеже.

Сигнал поступает на вход основного транзистора 1, в результате чего появляется приращение коллекторного тока. Поскольку составляющие эмиттерного тока от основного 1 и дополнительного 2 транзисторов складываются, а высокочастотные составляющие вычитаются, на нагрузке 8 образуется результирующее напряжение от суммы и разности токов транзисторов 1 и 2. Вследствие того, что на нагрузке детектора практически имеет место только приращение постоянной составляющей от продектированного импульса, время восстановления схемы сокращается.

5 Испытания описываемого детектора, в котором были применены транзисторы типа А-425 показали, что при различных значениях частоты входных сигналов передний и задний фронты продетектированных сигналов прак10 тически совпадают с передним и задним фронтами входных сигналов.

Предмет изобретения

Амплитудный детектор, выполненный на

15 транзисторе, в коллекторную цепь которого включена -активная нагрузка, отличающийся тем, что, с целью увеличения быстродействия, к эмиттерно-коллекторному переходу указанного транзистора параллельно подключен

20 эмиттерно-коллекторный переход дополнительного транзистора, база которого соединена с корпусом.

208012

Составитель 3. Гилинская

Редактор Н. О. Громов Техред T. П. Курилко Корректоры: А. А. Иерезуева и Е. Н. Гудзова

Заказ 197/13 Тираж 530 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, д, 2